SiC衬底上异质外延GaN薄膜结构缺陷对黄光辐射的影响

摘要

利用光致发光技术对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延未故意掺杂的GaN进行发光特性的研究 ,发现在室温下有很强的黄光输出 ,同时 ,采用扫描电子显微术和X光衍射对样品的表面形貌和结构进行了研究 ,结果发现 ,随着缺陷密度的减少 ,黄光输出强度也有所降低 ,因此 。