University of California Berkeley;
机译:90℃低温水热合成在GaN缓冲Al_2O_3(0001)衬底上生长异质外延ZnO薄膜
机译:90℃下低温水热合成在GaN缓冲的Al_2O_3(0001)衬底上生长异质外延ZnO薄膜
机译:通过高质量的碳化硅缓冲层在硅衬底上异质外延生长光滑连续的金刚石薄膜
机译:使用ZnO多晶膜作为缓冲层在玻璃基板上异质外延生长的热致变色非掺杂和W掺杂VO_2膜
机译:通过控制退火实验研究异质外延Si(1-x)Ge(x)薄膜的形态不稳定性和缺陷形成
机译:使用GaN缓冲层在透明导电(2̅01)取向的β-Ga2O3上形成高质量的III氮化物膜
机译:用分子束外延研究在中温缓冲层上生长的GaN薄膜
机译:利用Ga金属缓冲层改善异质外延mBE GaN生长