机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
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机译:GaN成核作用可有效降低350nm发光二极管的AlGaN外延层中穿线边缘位错密度
机译:多步法降低MOCVD生长的GaN外延层中的位错密度
机译:在电化学蚀刻纳米多孔GaN模板上进行再生GaN的线程脱位,优化缓冲层生长
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:GaN癫痫术中的Ultralow穿线脱位密度在近乎应急的GaN符合缓冲层及其在杂外延LED中的应用