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游树达;
中国华晶电子集团公司掩模工厂;
掩模; 缺陷; 定义缺陷; 保护膜; IC; 光刻;
机译:极紫外光刻掩模坯料的屏蔽粗糙度对Mo / Si缺陷密度的影响
机译:具有图案粗糙度的极紫外掩模吸收剂缺陷对光刻图像的影响
机译:晶圆厂中的掩模版质量管理策略可解决低k1光刻技术中掩模掩模缺陷增长的问题
机译:用于自然缺陷分析的极紫外光刻掩模版的局部掩模图案
机译:高度对准的聚合物纳米线蚀刻掩模光刻可实现石墨烯纳米孔晶体管的整合
机译:采用双面(结构化)光掩模制作硅通孔制造的优化光刻工艺,用于掩模对准器光刻
机译:极紫外光刻掩模上基板和吸收体缺陷的可印刷性
机译:在半导体部件生产中修复光刻掩模上的光影响结构的缺陷的方法包括在缺陷区域中照射镓离子以注入到掩模衬底中
机译:缺陷例如晶体生长缺陷,光刻掩模,即掩模版的检测方法,以产生例如集成电路,涉及检查图像集上的缺陷以评估图像中重复缺陷的存在
机译:掩模缺陷影响减少的光刻方法
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