基于EUV光刻掩模简化模型的掩模衍射分析

摘要

EUV光刻掩模是EUV光刻成像系统的重要组成部分。不同于DUV光刻掩模，EUV掩模为反射式掩模，且掩模厚度远大于入射光波长。在斜入射光照明下，掩模的厚掩模效应将导致光刻成像质量的恶化，出现图形位置偏移、图形特征尺寸偏差等掩模像差现象。随着光刻特征尺寸的不断缩小，EUV光刻成像系统工艺容限的要求越来越严格，斜入射条件下的厚掩模效应在光刻成像系统中不容忽视。