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陈刚; 吴建宏; 刘全;
南京信息职业技术学院微电子工程系,江苏,南京,210046;
苏州大学信息光学工程研究所,江苏,苏州,215006;
衍射光栅; 全息光栅掩模; 铬膜; 槽形;
机译:光刻胶在CMOS技术的离子注入中用作掩模材料:优化掩模厚度
机译:使用负性光刻胶材料的无掩模光刻:紫外激光强度对固化线宽的影响
机译:槽形矩形槽形床的稳定性:槽形配置的影响
机译:光刻胶掩模设计,用于评估光刻胶介导的充电大电流离子注入过程中的影响
机译:使用掩埋的光刻胶掩模方法制造多层,独立式,SU-8结构
机译:M3:基于显微镜的无掩模微图案具有干膜光刻胶
机译:计算光刻中的光刻胶掩模形成建模的基本方法
机译:微光刻胶掩模开发(mmD)。 CDRL H007:选项3合同摘要报告CDRL H004:承包商进度,状态,管理报告
机译:去除光刻胶掩模的方法,该光刻胶掩模用于在低K碳掺杂的氧化硅介电材料中制作通孔,并去除通孔形成中的蚀刻残留物并去除光刻胶掩模
机译:用于将单个光刻胶掩模图案分解成3个光刻胶掩模图案的系统和方法
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