In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N多量子阱结构发光特性的测量与分析

摘要

利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N多量子阱结构外延层,并用变温光致发光(PL)光谱、选择激发光谱以及激发(PLE)光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应的起源以及峰位随温度变化等信息.变温PL光谱的结果表明:在温度从30 K变化到300 K时,其峰值强度只下降了1.36倍且发光波长发生了蓝移.通过选择激发光谱证明了其发光峰位的独立性.PLE结果表明了GaN和势垒层的Stokes位移很小,但是In_xGa_(1-x)N阱层的Stokes位移变化很大.同时,提出了一种可同时获得多个吸收边的数据处理方法.