Department of Physics and Measurement Technology, Linkoeping University, SE-581 83 Linkoping, Sweden;
electroluminescence; GaN; InGaN; LEDs; multiple quantum wells; photoluminescence;
机译:n-GaN厚度对在Si(111)衬底上生长的In_xGa_(1-x)N多量子阱发光二极管中内部量子效率的影响
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)和发光二极管(LED)制造的Si(111)上的高质量单轴In_xGa_(1-x)N / GaN多量子阱(MQW)纳米线(NWs)
机译:Si(111)衬底上的同轴In_xGa_(1-x)N / GaN多量子阱纳米线阵列用于高性能发光二极管
机译:MBE生长的高应变和部分应变补偿的In / sub x / Ga / sub 1-x / As / In / sub y / Al / sub 1-y / A / sub s /量子级联发光二极管的材料表征在近红外光下(2-4 / spl mu / m)
机译:GaP上晶格失配的In(x)Ga(1-x)P黄色发光二极管的生长和表征
机译:量子阱宽度对AlGaN深紫外发光二极管在不同温度下的电致发光性能的影响
机译:通过调整量子阱相对于InGaN / GaN多量子阱发光二极管中p掺杂区的位置来改善电致发光性能
机译:N掺杂Gaas(1-x)p(x)发光二极管外量子效率的压力研究。