机译:通过MOCVD生长的In_xGa_(1-x)N / In_yGa_(1-y)N多量子阱中光学和晶体质量的表征
Materials and Devices Lab, Samsung Advanced Institute of Technology, P. O. Box 111, Suwon 440-600, South Korea;
A1. atomic force microscopy; A1. high resolution X-ray diffraction; A3. metalorganic chemical vapor deposition; B1. nitrides;
机译:在晶格匹配的In_yGa_(1-y)N / ScAIMgO_4(0001)模板上生长的发出红色的In_xGa_(1-x)N / In_yGa_(1-y)N量子阱
机译:MOCVD法生长掺Mg的In_xGa_(1-x)N的光学和电学性质
机译:阻挡层TMIn流量对In_xGa_(1-x)N / In_yGa_(1-y)N多量子阱的光学和结构性质的影响
机译:MOCVD-CROOW in_xga_(1-x)AS_(1-Y)N_Y电影格栅与GAAs的深度缺陷研究
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:$ c / a $各向异性和局部晶体结构对其影响 超导性 $ a \ mathrm {Fe_ {2}}(\ mathrm {作为} _ {1-X} \ mathrm {p} _ {X} \ {mathrm)_ {2}} $ ($ a $ = Ba $ _ {1-y} $ sr $ _y $,sr $ _ {1-y} $ Ca $ _y $和Eu)
机译:mOCVD生长的深层缺陷研究(x)Ga(1-x)as(1-y)N(y)薄膜与Gaas晶格匹配