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International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan
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1.
On the Temperature Coefficient of 4H-SiC npn Transistor Current Gain
机译:
4H-SiC npn晶体管电流增益的温度系数
作者:
X. Li
;
Y. Luo
;
J.H. Zhao
;
P. Alexandrov
;
M. Pan
;
M. Weiner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
numerical simulation;
power bipolar transistors;
temperature coefficient;
2.
Ohmic Contact Structure and Fabrication Process Applicable to Practical SiC Devices
机译:
适用于实际SiC器件的欧姆接触结构和制造工艺
作者:
Satoshi Tanimoto
;
Norihiko Kiritani
;
Masakatsu Hoshi
;
Hedeyo Okushi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
4H-SiC;
contact;
contact annealing;
contact resistance;
α-SiC;
3.
On Shallow Interface States in n Type 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures
机译:
n型4H-SiC金属氧化物半导体结构中的浅界面态
作者:
H.OE. Olafsson
;
F. Allerstam
;
E.OE. Sveinbjoernsson
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
deep-level transient spectroscopy;
interface states;
MOS;
4.
Gamma-Ray Irradiation Effects on the Electrical Characteristics of 6H-SiC MOSFETs with Annealed Gate-Oxide
机译:
γ射线辐照对6G-SiC MOSFET退火后的电特性的影响
作者:
Takeshi Ohshima
;
Kin Kiong Lee
;
Akihiko Ohi
;
Masahito Yoshikawa
;
Hisayoshi Itoh
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
annealing of gate-oxide;
gamma-ray irradiation;
MOSFETs;
5.
High Performance AlGaN/GaN HEMTs with Recessed Gate
机译:
具有嵌入式栅的高性能AlGaN / GaN HEMT
作者:
Y. Sano
;
J. Mita
;
T. Yamada
;
T. Makita
;
K. Kaifu
;
H. Ishikawa
;
T. Egawa
;
T. Jimbo
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
AlGaN;
GaN;
HEMT;
high frequency;
microwave;
recessed gate;
sapphire;
6.
GaN Grown by Hydride - Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (H-MOVPE) on Lattice-Matched Oxide and Silicon Substrates
机译:
氢化物生长的GaN-晶格匹配的氧化物和硅衬底上的金属有机气相外延(H-MOVPE)
作者:
M. Mastro
;
O.M. Kryliouk
;
T. Dann
;
T.J. Anderson
;
A.E. Nikolaev
;
Yu.V. Melnik
;
V.A. Dmitriev
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
GaN substrates;
hydride;
lattice-matched oxide substrates;
metal organic vapor phase epitaxy (H-MOVPE);
silicon;
7.
Highly-Doped Implanted pn Junction for SiC Zener Diode Fabrication
机译:
用于SiC齐纳二极管制造的高掺杂注入pn结
作者:
P. Godignon
;
X. Jorda
;
R. Nipoti
;
G. Cardinali
;
N. Mestres
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
high-energy implantation;
pn junctions;
SiC;
zener diodes;
8.
High-Power SiC Diodes: Characteristics, Reliability and Relation to Material Defects
机译:
高功率SiC二极管:特性,可靠性以及与材料缺陷的关系
作者:
H. Lendenmann
;
F. Dahlquist
;
J.P. Bergman
;
H. Bleichner
;
C. Hallin
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
300A/4.5KV SiC diodes;
forward degradation;
JBS diodes;
PiN diode;
SiC defect table;
stacking faults;
9.
High-Performance Silicon Carbide MESFET Utilizing Lateral Epitaxy
机译:
利用横向外延的高性能碳化硅MESFET
作者:
A.O. Konstantinov
;
C.I. Harris
;
P. Ericsson
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
MESFETs;
microwave;
10.
Temperature Dependence of DC Characteristics in AlN/GaN Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor
机译:
AlN / GaN金属绝缘体半导体场效应晶体管中直流特性的温度依赖性
作者:
Toshihide Ide
;
Mitsuaki Shimizu
;
Akira Suzuki
;
Xu-Qiang Shen
;
Hajime Okumura
;
Toshio Nemoto
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
AIN/GaN;
metal insulator semiconductor field effect transistor;
temperature dependence;
11.
TCAD Optimisation of 4H-SiC Channel-Doped MOSFET with P-Polysilicon Gate
机译:
具有P多晶硅栅极的4H-SiC沟道掺杂MOSFET的TCAD优化
作者:
K. Adachi
;
C.M. Johnson
;
K. Arai
;
K. Fukuda
;
S. Harada
;
T. Shinohe
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
4H-SiC;
B-MOSFET;
buried channel;
channel-doped;
channel mobility;
C-MOSFET;
dit;
interface traps;
modeling;
MOSFETs;
simulation;
surface mobility;
TCAD;
12.
Thermal Analysis of GaN-Based HFET Devices Using the Unit Thermal Profile Approach
机译:
使用单位热剖面法对GaN基HFET器件进行热分析
作者:
Jeong Park
;
Chin C. Lee
;
Jong-Wook Kim
;
Jae-Seung Lee
;
Won Sang Lee
;
Jin-Ho Shin
;
Moo Whan Shin
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
GaN;
HFET;
hot spotl;
liquid crystal;
thermal profile;
13.
The Investigation of 4H-SiC/SiO_2 Interfaces by Optical and Electrical Measurements
机译:
光电测量研究4H-SiC / SiO_2界面
作者:
Y. Ishida
;
T. Takahashi
;
H. Okumura
;
T. Jikimoto
;
H. Tsuchida
;
M. Yoshikawa
;
Y. Tomioka
;
M. Midorikawa
;
Y. Hijikata
;
S. Yoshida
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
C-V;
FTIR;
interface layer;
MOS;
spectroscopic ellipsometry SE;
14.
X-Ray Photoelectron Spectroscopy Studies of Post-Oxidation Process Effects on Oxide/SiC Interfaces
机译:
氧化后过程对氧化物/ SiC界面影响的X射线光电子能谱研究
作者:
Y. Hijikata
;
H. Yaguchi
;
M. Yoshikawa
;
S. Yoshida
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
bond;
post-oxidation annealing;
Re-oxidation;
SiC-MOSFETs;
slope-shaped oxide film;
X-ray photoelectron spectroscopy;
15.
High-Voltage Pulse Instabilities in SiC Schottky Diodes with Implanted Resistive Edge Terminations
机译:
具有注入电阻边缘端接的SiC肖特基二极管中的高压脉冲不稳定性
作者:
D.T. Morisette
;
J.A. Cooper
;
Jr.
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
high-voltage pulse;
instability;
PiN diodes;
schottky diodes;
SiC;
16.
Growth of AlN Films by Hot-Wall CVD and Sublimation Techniques: Effect of Growth Cell Pressure
机译:
热壁CVD和升华技术生长AlN膜:生长细胞压力的影响
作者:
A. Kakanakova-Georgieva
;
U. Forsberg
;
B. Magnusson
;
R. Yakimova
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
aluminium nitride;
cathodoluminescence;
energy dispersive X-ray analysis;
hot-wall CVD;
infrared reflectance;
optical microscopy;
sublimation;
17.
Growth and Characterization of GaGdN and AlGdN on SiC by RF-MBE
机译:
RF-MBE在SiC上生长GaGdN和AlGdN并表征
作者:
N. Teraguchi
;
A. Suzuki
;
Y. Nanishi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
AlGaN;
GaGdN;
RF-MBE;
SiC;
18.
Demonstration of 4H-SiC Avalanche Photodiode Linear Array
机译:
4H-SiC雪崩光电二极管线性阵列的演示
作者:
F. Yan
;
C. Qin
;
J.H. Zhao
;
M. Bush
;
G.H. Olsen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
avalanche breakdown;
avalanche photodiodes;
linear array;
visible blind UV detector;
19.
Correlation between Inversion Channel Mobility and Interface Traps near the Conduction Band in SiC MOSFETs
机译:
SiC MOSFET导带附近的反向沟道迁移率与界面陷阱之间的相关性
作者:
S. Suzuki
;
S. Harada
;
R. Kosugi
;
J. Senzaki
;
K. Fukuda
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
gate-controlled diodes;
inversion channel mobility;
MOSFETs;
shallow interface trap;
20.
Demonstration of IMPATT Diode Oscillators in 4H-SiC
机译:
在4H-SiC中演示IMPATT二极管振荡器
作者:
L. Yuan
;
J.A. Cooper
;
Jr.
;
K.J. Webb
;
M.R. Melloch
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
IMPATT diodes;
microwave;
millimeter wave;
oscillator;
SiC;
21.
Damage Evolution and Recovery in Al-Implanted 4H-SiC
机译:
铝注入4H-SiC的损伤演化与恢复
作者:
Y. Zhang
;
W.J. Weber
;
W. Jiang
;
A. Hallen
;
G. Possnert
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
amorphization;
ion channeling;
isochronal annealing;
nuclear reaction analysis;
recrystallization;
rutherford backscattering;
SiC;
thermal recovery;
22.
Development of 600 V / 8 A SiC Schottky Diodes with Epitaxial Edge Termination
机译:
具有外延边缘端接的600 V / 8 A SiC肖特基二极管的开发
作者:
F. Templier
;
P. Ferret
;
L. Di Cioccio
;
E. Collard
;
A. Lhorte
;
T. Billon
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
edge termination;
epitaxy;
manufacturing;
passivation;
schottky diodes;
23.
Design and Processing of High-Voltage 4H-SiC Trench Junction Field-Effect Transistor
机译:
高压4H-SiC沟道结型场效应晶体管的设计与加工
作者:
Lin Zhu
;
T. Paul Chow
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
4H-SiC;
JFETs;
simulation;
trench;
24.
Distribution Profile of Deep Levels in SiC Observed by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy
机译:
等温瞬态光谱法观察SiC深层分布规律
作者:
M. Fujimaki
;
R. Ono
;
M. Kushibe
;
K. Masahara
;
K. Kojima
;
T. Shinohe
;
H. Okushi
;
K. Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
deep-level;
depth profile;
epitaxial layers;
ICTS;
interface;
25.
Effects of Successive Annealing of Oxides on Electrical Characteristics of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Structures
机译:
氧化物的连续退火对碳化硅金属氧化物半导体结构电特性的影响
作者:
Masahito Yoshikawa
;
Mirei Satoh
;
Takeshi Ohshima
;
Hisayoshi Itoh
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
C-V;
interface;
interface traps;
MOS;
steam annealing;
successive annealing;
26.
Effects of Surface Treatments of 6H-SiC upon Metal-SiC Interfaces
机译:
6H-SiC表面处理对金属-SiC界面的影响
作者:
K. Abe
;
M. Sumitomo
;
T. Sumi
;
O. Eryu
;
K. Nakashima
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
AES;
aluminum;
CAICISS;
contamination;
ohmic contacts;
surface treatment;
XPS;
27.
Effects of Interfacial Reactions on Electrical Properties of Ni Ohmic Contacts on n-Type 4H-SiC
机译:
界面反应对n型4H-SiC Ni欧姆接触电性能的影响
作者:
Sang Youn Han
;
Nam-Kyun Kim
;
Eun-Dong Kim
;
Jong-Lam Lee
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
microstructure;
ni contact;
ohmic contacts;
X-ray photoelectron spectroscopy;
28.
Electrical Properties of Graphite/p-Type Homoepitaxial Diamond Contact
机译:
石墨/ p型同质外延金刚石触头的电性能
作者:
Y.G. Chen
;
M. Hasegawa
;
S. Yamanaka
;
H. Okushi
;
N. Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
diamond applications;
diamond properties;
ohmic contacts;
specific contact resistance;
transmission line model;
29.
Electrical Properties of 4H-SiC Thin Films Reactively Ion-Etched in SP_6/O_2 Plasma
机译:
在SP_6 / O_2等离子体中反应性离子刻蚀4H-SiC薄膜的电性能
作者:
Bum Seok Kim
;
Jae Kyeong Jeong
;
Myung Yoon Um
;
Hoon Joo Na
;
In Bok Song
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
etching-induced damage;
reactive ion etching;
schottky barrier diodes;
30.
Electrical Characteristics of Al~+ Ion-Implanted 4H-SiC
机译:
Al〜+离子注入4H-SiC的电学特性
作者:
H. Tanaka
;
S. Tanimoto
;
M. Yamanaka
;
M. Hoshi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
Al~+ ion-implantation;
high-temperature annealing;
sheet resistance;
surface roughness;
31.
Electrical Characterization of High-Voltage 4H-SiC Diodes on High-Temperature CVD-Grown Epitaxial Layers
机译:
高温CVD生长外延层上高压4H-SiC二极管的电学特性
作者:
Uwe Zimmermann
;
John Oesterman
;
Jie Zhang
;
Anne Henry
;
Anders Hallen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
breakdown;
degradation;
diodes;
HTCVD;
MPS;
PiN;
schottky;
32.
Electrical Characterization of Nickel Silicide Contacts on Silicon Carbide
机译:
碳化硅上硅化镍触点的电特性
作者:
F. Roccaforte
;
F. La Via
;
V. Raineri
;
P. Musumeci
;
L. Calcagno
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
Ni_2Si;
ohmic contacts;
schottky diodes;
TLM;
33.
Effect of Temperature Treatment on Au/Pd Schottky Contacts to 4H-SiC
机译:
热处理对Au / Pd肖特基与4H-SiC接触的影响
作者:
L. Kassamakova
;
R. Kakanakov
;
R. Yakimova
;
A. Kakanakova-Georgieva
;
M. Syvaejaervi
;
L. Wilzen
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
ageing;
barrier height;
schottky contacts;
temperature treatment;
34.
Effect of Rapid Thermal Annealing Conditions on Parameters of Ni/21R-SiC Contacts
机译:
快速热退火条件对Ni / 21R-SiC触头参数的影响
作者:
V.L. Litvinov
;
K.D. Demakov
;
O.A. Agueev
;
A.M. Svetlichnyi
;
R.V. Konakova
;
P.M. Lytvyn
;
V.V. Milenin
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
Ni/21R-SiC contacts;
rapid thermal annealing;
structural studies;
35.
Large-Area (3.3 mm x 3.3 mm) Power MOSFETs in 4H-SiC
机译:
采用4H-SiC的大面积(3.3 mm x 3.3 mm)功率MOSFET
作者:
Sei-Hyung Ryu
;
Anant Agarwal
;
James Richmond
;
Mrinal Das
;
Lori Lipkin
;
John Palmour
;
Nelson Saks
;
John Williams
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
avalanche;
high voltage;
MOSFETs;
NO annealing;
switching speed;
36.
Hot-Carrier Luminescence in 4H-SiC MESFETs
机译:
4H-SiC MESFET中的热载流子发光
作者:
C. Banc
;
E. Bano
;
T. Ouisse
;
O. Noblanc
;
C. Brylinski
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
hot carriers;
impact ionization;
luminescence;
MESFETs;
photon emission;
37.
Influence of Epitaxial Layer on SiC Schottky Diode Gas Sensors Operated under High-Temperature Conditions
机译:
外延层对高温条件下SiC肖特基二极管气体传感器的影响
作者:
Shinji Nakagomi
;
Hiroaki Shinobu
;
Lars Uneus
;
Ingemar Lundstroem
;
Lars-G. Ekedahl
;
Rositza Yakimova
;
Mikael Syvaejaervi
;
Anne Henry
;
Erik Janzen
;
Anita Lloyd Spetz
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
epitaxial layers;
gas sensors;
high temperature;
resistance;
scattering;
schottky diodes;
38.
Improving 4H-SiC/SiO_2 Interface Properties by Depositing Ultra-Thin Si Nitride Layer Prior to Formation of SiO_2 and Annealing
机译:
通过在形成SiO_2并进行退火之前沉积超薄氮化硅层来改善4H-SiC / SiO_2界面性能
作者:
X.W. Wang
;
H.M. Bu
;
B.L. Laube
;
C. Caragianis-Broadbridge
;
T.P. Ma
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
4H-SiC MOS;
angle-resolved X-ray;
gate dielectrics;
interface trap density;
photoelectron spectroscopy (ARXPS);
39.
Influence of Gate Finger Width on RF Characteristics of 4H-SiC MESFET
机译:
栅指宽度对4H-SiC MESFET射频特性的影响
作者:
Manabu Arai
;
Hirotake Honda
;
Makoto Ogata
;
Hiroshi Sawazaki
;
Shuichi Ono
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
gate finger width;
load pull;
MESFETs;
output power;
output power density;
40.
Masking Process for High-Energy and High-Temperature Ion Implantation
机译:
高能高温离子注入的掩膜工艺
作者:
Takasumi Ohyanagi
;
Hidekatsu Onose
;
Atsuo Watanabe
;
Tomoyuki Someya
;
Toshiyuki Ohno
;
Kensuke Amemiya
;
Yutaka Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
aluminum;
ion implantation;
JFETs;
mask;
silicon dioxide;
41.
Infrared Investigation of Implantation Damage in 6H-SiC
机译:
红外研究6H-SiC中的植入损伤
作者:
J. Camassel
;
H.Y. Wang
;
J. Pernot
;
P. Godignon
;
N. Mestres
;
J. Pascual
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
infrared spectroscopy;
ion implantation;
radiation damage;
42.
Influence of Trenching Effect on the Characteristics of Buried-Gate SiC Junction Field-Effect Transistors
机译:
沟槽效应对埋栅SiC结场效应晶体管特性的影响
作者:
S.-M. Koo
;
S.-K. Lee
;
C.-M. Zetterling
;
M. Oestling
;
U. Forsberg
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
dry etching;
JFETs;
SiC;
trenching effect;
43.
Influence of the Wet Re-Oxidation Procedure on Inversion Mobility of 4H-SiC MOSFETs
机译:
湿式再氧化工艺对4H-SiC MOSFET反向迁移率的影响
作者:
R. Kosugi
;
M. Okamoto
;
S. Suzuki
;
J. Senzaki
;
S. Harada
;
K. Fukuda
;
K. Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
MOSFETs;
pyrogenic re-oxidation annealing (ROA);
water vapor content;
44.
Influence of Rapid Thermal Annealing on Ni/6H-SiC Contact Formation
机译:
快速热退火对Ni / 6H-SiC接触形成的影响
作者:
Oleg A. Agueev
;
Alexander M. Svetlichnyi
;
Roman N. Razgonov
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
Ni/6H-SiC contacts;
rapid thermal annealing;
45.
Ion-Implantation Induced Deep Levels in SiC Studied by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy (ICTS)
机译:
等离子电容瞬态光谱法(ICTS)研究离子注入引起的SiC中深能级
作者:
Rudi Ono
;
M. Fujimaki
;
J. Senzaki
;
S. Tanimoto
;
T. Shinohe
;
H. Okushi
;
K. Aral
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
deep-level;
depth profile;
ICTS;
ion implantation;
SiC;
46.
Ion Implantation - Tool for Fabrication of Advanced 4H-SiC Devices
机译:
离子注入-先进的4H-SiC器件制造工具
作者:
E.V. Kalinina
;
G. Kholujanov
;
Yu. Goldberg
;
T. Blank
;
G. Onushkin
;
A. Strelchuk
;
G. Violina
;
V. Kossov
;
R. Yafaev
;
A. Hallen
;
A. Konstantinov
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
defects;
detector;
diodes;
ion implantation;
pn junctions;
SiC;
47.
Improvement and Analysis of Implanted-Emitter Bipolar Junction Transistors in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中注入发射极双极结晶体管的改进和分析
作者:
Yi Tang
;
Jeffery B. Fedison
;
T. Paul Chow
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
4H-SiC;
bipolar junction transistor;
implant;
48.
Improvements in Electrical Properties of n-Type-Implanted 4H-SiC Substrates Using High-Temperature Rapid Thermal Annealing
机译:
高温快速热退火技术改善n型注入4H-SiC衬底的电性能
作者:
Junji Senzaki
;
Shinsuke Harada
;
Ryoji Kosugi
;
Seiji Suzuki
;
Kenji Fukuda
;
Kazuo Aral
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
depth profile;
high-temperature rapid thermal annealing;
ion implantation;
sheet resistance;
surface morphology;
49.
Minimization of Electric Field Enhancement at Electrode Edge by Surface High Resistive Layer in Ti/4H-SiC Schottky Barrier Diode
机译:
Ti / 4H-SiC肖特基势垒二极管中的表面高阻层可最大程度地减小电极边缘的电场增强
作者:
K. Ohtsuka
;
H. Sugimoto
;
S. Kinouchi
;
Y. Tarui
;
M. Imaizumi
;
T. Takami
;
T. Ozeki
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
breakdown;
electrode edge;
pinning;
schottky;
trap;
50.
All-SiC Inductively-Loaded Half-Bridge Inverter Characterization of 4H-SiC Power BJTs up to 400V/22 A
机译:
高达400V / 22 A的4H-SiC功率BJT的全SiC电感负载半桥逆变器特性
作者:
Y. Luo
;
L. Fursin
;
J.H. Zhao
;
P. Alexandrov
;
B. Wright
;
M. Weiner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
fabrication;
half-bridge inverter;
power transistor;
SiC;
51.
Microstructural Characterization of Recombination-Induced Stacking Faults in High-Voltage SiC Diodes
机译:
高压SiC二极管中复合诱导的堆垛层错的微观结构表征
作者:
J.Q. Liu
;
M. Skowronski
;
C. Hallin
;
R. Soederholm
;
H. Lendenmann
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
SiC diodes;
stacking faults;
TEM;
52.
Radiation Response of p-Channel 6H-SiC MOSFETs Fabricated Using Pyrogenic Conditions
机译:
使用热解条件制造的p沟道6H-SiC MOSFET的辐射响应
作者:
Kin Kiong Lee
;
Takeshi Ohshima
;
Hisayoshi Itoh
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
gamma-ray irradiation;
interface traps;
oxide charge traps;
53.
New Evidence of Interfacial Oxide Traps in n-Type 4H- and 6H-SiC MOS Structures
机译:
n型4H-和6H-SiC MOS结构中界面氧化物陷阱的新证据
作者:
H.OE. Olafsson
;
E.OE. Sveinbjoernsson
;
I.E. Rudenko
;
V.I. Kilchytska
;
I.P. Tyagulski
;
I.N. Osiyuk
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
interface states;
MOS;
thermally stimulated currents;
54.
NiSi_2 Ohmic Contact to n-Type 4H-SiC
机译:
NiSi_2欧姆接触n型4H-SiC
作者:
Tomonori Nakamura
;
Masataka Satoh
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
NiSi_2;
ohmic contacts;
specific contact resistance;
55.
N and p Type 6H-SiC Films for the Creation Diode and Triode Structure of Nuclear Particle Detectors
机译:
用于核粒子探测器的二极管和三极管结构的N和p型6H-SiC膜
作者:
A.M. Ivanov
;
N.B. Strokan
;
A.A. Lebedev
;
D.V. Davydov
;
N.S. Savkina
;
E.V. Bogdanova
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
alpha-spectrometry;
amplification;
carrier transport;
diode structure;
radiation hardness;
triode structure;
vacuum sublimation epitaxy;
56.
Optimisation of Implanted Guard-Ring Terminations in 4H-SiC Schottky Diodes
机译:
4H-SiC肖特基二极管中植入的保护环端接的优化
作者:
A.B. Horsfall
;
K.V. Vassilevski
;
C.M. Johnson
;
N.G. Wright
;
A.G. ONeill
;
R.M. Gwilliam
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
breakdown;
guard rings;
implantation;
schottky diodes;
57.
Post-Implantation Annealing Effects on the Surface Morphology and Electrical Characteristics of GH-SiC Implanted with Aluminum
机译:
注入后退火对注入铝的GH-SiC表面形貌和电特性的影响
作者:
A. Ohi
;
T. Ohshima
;
M. Yoshikawa
;
K.K. Lee
;
M. Iwami
;
H. Itoh
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
aluminum implantation;
hall effect;
surface roughness;
58.
Plasma Oxidation of SiC at Low Temperatures (below 300℃)
机译:
低温(300℃以下)的SiC等离子体氧化
作者:
Masataka Satoh
;
Hisanori Shimada
;
Tomonori Nakamura
;
Naoshi Nagamoto
;
Sachiko Yanagihara
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
O_2 plasma;
oxidation;
59.
Raman Scattering from Wurtzite GaN Bulk Crystal
机译:
纤锌矿GaN块状晶体的拉曼散射
作者:
P. Verma
;
A. Yamada
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
GaN bulk crystal;
raman scattering;
60.
Phosphorus Ion Implantation into 4H-SiC (0001) and (1120)
机译:
磷离子注入4H-SiC(0001)和(1120)
作者:
Yuuki Negoro
;
Nao Miyamoto
;
Tsunenobu Kimoto
;
Hiroyuki Matsunami
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
4H-SiC (1120) plane;
P~+lmplantation;
61.
Photon Emission Analysis of Defect-Free 4H-SiC pn Diodes in Avalanche Regime
机译:
雪崩状态下无缺陷的4H-SiC pn二极管的光子发射分析
作者:
C. Banc
;
E. Bano
;
T. Ouisse
;
K. Vassilevski
;
K. Zekentes
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
avalanche breakdown;
p~+-n-n~+ diodes;
photon emission;
striations;
62.
Photoelectrochemical Etching Process of 6H-SiC Wafers Using HF-Based Solution and H_2O_2 Solution as Electrolytes
机译:
HF基溶液和H_2O_2溶液为电解质的6H-SiC晶片的光电化学刻蚀工艺
作者:
Jung Gyun Song
;
Moo Whan Shin
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
etching rate;
photoelectrochemical (PEC) etching;
surface roughness;
63.
Performance of SiC Bipolar (PiN) and Unipolar (SBD) Power Rectifiers in Current-Voltage-Frequency Parameter Space
机译:
SiC双极(PiN)和单极(SBD)功率整流器在电流-电压-频率参数空间中的性能
作者:
D.T. Morisette
;
J.A. Cooper
;
Jr.
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
PiN diodes;
schottky diodes;
SiC;
64.
Photoreflectance Characterization of GaNAs/GaAs Multiple Quantum Well Structures
机译:
GaNAs / GaAs多量子阱结构的光反射特性
作者:
Chien-Rong Lu
;
Jia-Ren Lee
;
Yo-Yu Chen
;
Wei-I Lee
;
Shih-Chang Lee
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
GaNAs/GaAs;
photoreflectance;
quantum wells;
65.
Passivation of the 4H-SiC/SiO_2 Interface with Nitric Oxide
机译:
一氧化氮对4H-SiC / SiO_2界面的钝化
作者:
J.R. Williams
;
G.Y. Chung
;
C.C. Tin
;
K. McDonald
;
D. Farmer
;
R.K. Chanana
;
R.A. Weller
;
ST. Pantelides
;
O.W. Holland
;
M.K. Das
;
L.C. Feldman
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
interface states;
inversion channel mobility;
nitric oxide passivation;
66.
Oxidation of Porous 4H-SiC Substrates
机译:
多孔4H-SiC衬底的氧化
作者:
S. Soloviev
;
T. Das
;
T.S. Sudarshan
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
atomic force microscopy;
oxidation;
porous layer;
67.
SIMS Analyses of SiO_2/4H-SiC(0001) Interface
机译:
SiO_2 / 4H-SiC(0001)界面的SIMS分析
作者:
K. Yamashita
;
M. Kitabatake
;
O. Kusumoto
;
K. Takahashi
;
M. Uchida
;
R. Miyanaga
;
H. Itoh
;
M. Yoshikawa
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
C-V;
interface;
MOS;
nit;
oxides;
SIMS;
SiO_2;
68.
Reverse Characteristics of a 4H-SiC Schottky Barrier Diode
机译:
4H-SiC肖特基势垒二极管的反向特性
作者:
Tetsuo Hatakeyama
;
Takashi Shinohe
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
barrier lowering;
device simulation;
field emission;
JBS;
schottky barrier diode;
SiC;
thermionic field emission;
tunneling current;
69.
Silicon Carbide Buffer Layers for Nitride Growth on Si
机译:
用于在氮化硅上生长氮化物的碳化硅缓冲层
作者:
P. Masri
;
Z. Herro
;
Th. Stauden
;
J. Pezoldt
;
M. Sumiya
;
M. Averous
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
heteroepitaxy;
interface optimal composition;
strained interfaces;
70.
Silicon/Oxide/Silicon Carbide (SiOSiC) -A New Approach for High Voltage, High Frequencies Integrated Circuits
机译:
硅/氧化物/碳化硅(SiOSiC)-一种用于高压,高频率集成电路的新方法
作者:
F. Udrea
;
A. Mihaila
;
R. Azar
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
high-frequency ICs;
high-voltage ICs;
power integrated circuits;
SiC;
SOI;
71.
Significant Improvement of Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFET on (1120) Face Using Hydrogen Post-Oxidation Annealing
机译:
使用氢后氧化退火技术显着改善(1120)面上4H-SiC MOSFET的反向沟道迁移率
作者:
Junji Senzaki
;
Kenji Fukuda
;
Kazutoshi Kojima
;
Shinsuke Harada
;
Ryoji Kosugi
;
Seiji Suzuki
;
Takaya Suzuki
;
Kazuo Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
4H-SiC (1120) plane;
buried channel;
hydrogen post-oxidation annealing;
inversion channel mobility;
MOSFETs;
72.
Super-Junction Device Forward Characteristics and Switched Power Limitations
机译:
超级结器件的正向特性和开关功率限制
作者:
K. Adachi
;
C.M. Johnson
;
H. Ohashi
;
T. Shinohe
;
K. Kinoshita
;
K. Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
CoolMOS;
JFETs;
MOSFETs;
on-state resistance;
on-state;
super-junction;
thermal limit;
73.
Sublimation Growth of Bulk AIN Crystals: Materials Compatibility and Crystal Quality
机译:
大块AIN晶体的升华生长:材料相容性和晶体质量
作者:
B.M. Epelbaum
;
D. Hofmann
;
M. Bickermann
;
A. Winnacker
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
AIN single crystal;
AIN-siC mixed crystals;
bulk growth;
crucible material;
sublimation growth;
74.
Characteristics of Schottky Diodes on 6H-SiC Surfaces after Sacrificial Anodic Oxidation
机译:
牺牲阳极氧化后6H-SiC表面的肖特基二极管的特性
作者:
M. Kato
;
M. Ichimura
;
E. Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
6H-SiC;
AES spectrum;
snodic oxidation;
contact resistance;
sacrificial oxidation;
schottky diodes;
surface layer;
75.
Comparison of Al and Al/C Co-Implants in 4H-SiC Annealed with an AIN Cap
机译:
铝帽退火后的4H-SiC中Al和Al / C共放大的比较
作者:
K.A. Jones
;
P.B. Shah
;
MA Derenge
;
M.H. Ervin
;
G.J. Gerardi
;
J.A. Freitas Jr.
;
G.C.B. Braga
;
R.D. Vispute
;
R.P. Sharma
;
O.W. Holland
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
AIN cap;
aluminum;
annealing;
carbon;
CL;
EPR;
implantation;
RBS;
76.
Annealing of Implanted Layers in (1100) and (1120) Oriented SiC
机译:
(1100)和(1120)取向SiC中注入层的退火
作者:
Masataka Satoh
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
(1100) plane;
(1120) plane;
implantation;
solid phase regrowth;
77.
Annealing Kinetics of Implantation-Induced Amorphous Layer in 6H-SiC (0001)
机译:
6H-SiC中注入诱导非晶层的退火动力学(0001)
作者:
Tomonori Nakamura
;
Seiken Matsumoto
;
Tatsunobu Horibe
;
Masataka Satoh
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
(0001)-oriented 6H-SiC;
annealing kinetics;
ion implantation-induced amorphous layer;
78.
Application-Oriented Unipolar Switching SiC Devices
机译:
面向应用的单极开关SiC器件
作者:
Peter Friedrichs
;
Heinz Mitlehner
;
Reinhold Schoerner
;
Karl-Otto Dohnke
;
Rudolf Elpelt
;
Dietrich Stephani
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
application;
high voltage;
JFETs;
MOSFETs;
SiC devices;
79.
Aluminium Nitride Bulk Crystals by Sublimation Method: Growth and X-Ray Characterization
机译:
升华法氮化铝块状晶体的生长和X射线表征
作者:
Sergey I. Dorozhkin
;
Andrew 0. Lebedev
;
Andrew Yu. Maximov
;
Yuri M. Tairov
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
aluminium nitride;
sublimation growth;
X-ray diffraction;
80.
A Novel Technology for the Formation of a Very Small Bevel Angle for Edge Termination
机译:
形成用于端接的非常小的斜角的新技术
作者:
F. Yan
;
C. Qin
;
J.H. Zhao
;
M. Weiner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
avalanche breakdown;
edge termination;
inductively coupled plasma;
positive bevel;
81.
A Novel High-Voltage Normally-Off 4H-SiC Vertical JFET
机译:
新型高压常关4H-SiC垂直JFET
作者:
J.H. Zhao
;
X. Li
;
K. Tone
;
P. Alexandrov
;
M. Pan
;
M. Weiner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
numerical simulation and fabrication;
power devices;
vertical JFETs;
82.
A JBS Diode with Controlled Forward Temperature Coefficient and Surge Current Capability
机译:
具有可控正向温度系数和浪涌电流能力的JBS二极管
作者:
F. Dahlquist
;
H. Lendenmann
;
M. Oestling
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
device design;
forward temperature coefficient;
JBS rectifier;
power rectifier;
schottky rectifiers;
surge current;
83.
A Large Reduction in Interface-State Density for MOS Capacitor on 4H-SiC (1120) Face Using H_2 and H_2O Vapor Atmosphere Post-Oxidation Annealing
机译:
使用H_2和H_2O蒸气气氛后氧化退火技术,大幅度降低4H-SiC(1120)面上MOS电容器的界面态密度
作者:
K. Fukuda
;
J. Senzaki
;
M. Kushibe
;
K. Kojima
;
R. Kosugi
;
S. Suzuki
;
S. Harada
;
T. Suzuki
;
T. Tanaka
;
K. Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
4H-SiC (1120) plane;
C-V characteristics;
interface-state density;
MOS capacitor;
POA;
84.
A New Type of SiC Gas Sensor with a pn-Junction Structure
机译:
新型具有pn结结构的SiC气体传感器
作者:
K. Nakashima
;
Y. Okuyama
;
S. Ando
;
O. Eryu
;
K. Abe
;
H. Yokoi
;
T. Oshima
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
gas sensors;
ion implantation;
laser processing;
pn junctions;
response;
sensitivity;
85.
4H- and 6H-SiC MOSFETs Fabricated on Sloped Sidewalls Formed by Molten KOH Etching
机译:
在熔融KOH蚀刻形成的倾斜侧壁上制造4H和6H-SiC MOSFET
作者:
Q. Wahab
;
H. Kosugi
;
H. Yano
;
C. Hallin
;
T. Kimoto
;
H. Matsunami
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
anisotropy;
channel mobility;
KOH etching;
MOSFETs;
86.
4H-SiC MESFET Large-Signal Modeling Using Modified Materka Model
机译:
使用改进的Materka模型进行4H-SiC MESFET大信号建模
作者:
Soowoong Lee
;
Nam Jin Song
;
Jinwook Burm
;
Chul An
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.2 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
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2001年
关键词:
ATLAS;
band-gap;
breakdown field;
dielectric constant;
large-signal modeling;
materka model;
PAE;
thermal conductivity;
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