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王小军; 刘伟; 胡雄伟; 王启明; 黄美纯;
国家光电子工艺中心;
中国科学院半导体研究所;
厦门大学物理系;
光伏测量; IngGaAs; 应变量子阱;
机译:在晶格匹配的In_yGa_(1-y)N / ScAIMgO_4(0001)模板上生长的发出红色的In_xGa_(1-x)N / In_yGa_(1-y)N量子阱
机译:IN_(0.70)GA_(0.30)的效果为in_yga_(1-y)p / in_xga_(1-x)中间电池中的量子点插入为/ ge triple-nong-clanction用于太阳能电池
机译:在松弛的In_yGa_(1-y)P缓冲层上形成的高拉伸应变Ge_(1-x)Sn_x的生长和表征
机译:在AL_XGA_(1-X)和IN_XGA_(1-x)上的分子束外延生长的ZnSe膜中的晶体质量和Ga偏析作为GaAs基板上的缓冲层
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:缓冲剂类型对InP(100)衬底上生长的In0.82Ga0.18As外延层的影响
机译:对广泛抛物线势中嵌入的随机(al(x)Ga(1-x)as)(n)(al(y)Ga(1-y)as)(m)超晶格的无序效应的研究
机译:Inas(x)sb(1-x),al(y)Ga(1-y)sb和Inas(x)sb(1-x)/ al(y)Ga(1-y)sb的生长和性质异质
机译:Al y Ga 1-y As 1-x Sb中的晶格常数分级。亚合金系统
机译:蓝宝石上外延层gan-和ga deep x al deep 1-x n-层的方法
机译:In x Sub> Ga 1-x Sub> As Y Sub> P 1-Y Sub>季蚀刻停止层可提高砷化镓的化学电阻率场效应晶体管
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