一种c－Mg_xZn_1－xO/MgO多量子阱异质结构材料及其制备工艺

摘要

本发明的c-Mg_xZn_1-xO/MgO多量子阱异质结构材料，其结构特征是：由6个～25个c-Mg_xZn_1-xO/MgO“势阱/势垒”周期所构成；MgO材料做势垒层，c-Mg_xZn_1-xO(即立方Mg_xZn_1-xO)材料做势阱层；每个“势阱/势垒”周期中的垒层厚度为20nm～30nm，阱层厚度为2nm～3nm。本发明的c-Mg_xZn_1-xO/MgO多量子阱异质结构材料，其制备工艺特征是：采用电子束反应蒸发方法，通过让高能聚焦电子束交替轰击MgO陶瓷靶材和(MgO)_x(ZnO)_1-x陶瓷靶材，在衬底表面交替生长超薄MgO势垒层和超薄c-Mg_xZn_1-xO势阱层得到c-Mg_xZn_1-xO/MgO多量子阱异质结构材料产品。