AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究

摘要

在不同应力条件下,研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火前后的电流崩塌、栅泄漏电流以及击穿电压的变化.结果表明,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管通过肖特基高温退火以后,器件的特性得到很大的改善.利用电镜扫描(SEM)和x射线光电子能谱(xPs)对高温退火前、后的肖特基接触界面进行深入分析,发现器件经过高温退火后,Ni和^JGaN层之间介质的去除,并且AlGaN材料表面附近的陷阱减少,使得肖特基有效势垒提高.从而提高器件的电学特性.