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机译:块状和完全耗尽的绝缘体上硅氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极引起的势垒降低和电流起始电压可变性的栅极长度和栅极宽度依赖性
机译:具有理想亚阈值因子和小变异性的纳米级MOSFET组成的低压SRAM的静态噪声裕度改善分析
机译:缩放MOSFET中的“电流开启电压”变异性的原点
机译:4H碳化硅低压MOSFET和功率MOSFET的表征和建模
机译:从不一致的交替子期间的相变空间尺度推断电压和钙交替子的细胞起源
机译:纳米尺度MOSFET中的栅极几何形状的阈值电压变化