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马玉涛; 刘理天; 李志坚;
中国电子学会;
MOSFET器件; 开启电压; 恒定载流子浓度; 表面强反型;
机译:基于晶体管电压 - 基于电压测量的测试结构,用于快速MOSFET器件不匹配表征
机译:具有用于超低开启和高击穿电压的横向AlGaN / GaN二极管,用于超低开启和高击穿电压
机译:精密测量SiC MOSFET器件阈值电压不稳定性的研究
机译:用于高输入电压的DC / DC转换器:具有峰值电压的四个开关,v {sub} / 2,电容式关闭缓冲和零电压开启
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:针对最终电压传感器转换的静电钾通道开启器
机译:1.3 kV反向阻断AlGaN / GaN Mishemt,具有超级开启电压0.25 V
机译:现代欧洲家庭。语境中的家庭模式比较研究
机译:逻辑块混合低阈值电压MOSFET器件和普通阈值电压MOSFET器件,用于深亚微米VLSI设计
机译:低阈值电压MOSFET器件的逻辑块,用于深亚微米形式的VLSI和正常阈值电压MOSFET器件的设计
机译:使用开启延迟,相关电路和计算机程序产品测量碳化硅电源MOSFET器件中实时结温的方法
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