一种基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法

摘要

一种基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法，它涉及微电子技术领域。它根据MOSFET沟道从积累区、耗尽区到反型区引起的栅控产生电流变化来提取V_FB和V_TH，包括下列步骤：悬空MOSFET源端电极，漏电电极上施加一小漏电压V_D，且|V_D|＜＝0.2V；扫描栅电压V_G，使沟道从积累区到反型区变化，测量小漏偏压V_D下的栅控产生电流；对得到的栅控产生电流曲线I_GD进行二次偏导运算得到二次导数和V_G的关系曲线。该曲线会形成三个峰值点，得到对应于上升沿的峰值点和对应于下降沿峰值点；从对应于上升沿的峰值点做垂线交于栅压轴得到平带电压V_FB。从对应于下降沿峰值点做垂线交于栅压轴得到阈值电压V_TH。