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Silicon Nanoelectronics Workshop
Silicon Nanoelectronics Workshop
召开年:
2017
召开地:
Kyoto(JP)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
A Parallel Bitstream Generator for Stochastic Computing
机译:
用于随机计算的平行比特流发生器
作者:
Yawen Zhang
;
Runsheng Wang
;
Xinyue Zhang
;
Zherui Zhang
;
Jiahao Song
;
Zuodong Zhang
;
Yuan Wang
;
Ru Huang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Generators;
Encoding;
Thermometers;
Decoding;
Energy consumption;
Logic gates;
Hardware;
2.
Evaluation of Analog Circuit Performance for Ferroelectric SOI MOSFETs considering Interface Trap Charges and Gate Length Variations
机译:
考虑界面陷阱电荷和栅极长度变化的铁电SOI MOSFET的模拟电路性能评估
作者:
Yi-Chun Lu
;
Vita Pi-Ho Hu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
MOSFET;
Analog circuits;
Switching circuits;
Logic gates;
Resistance;
Capacitance;
3.
Reduced RTN Amplitude and Single Trap induced Variation for Ferroelectric FinFET by Substrate Doping Optimization
机译:
通过基板掺杂优化降低RTN幅度和单阱诱导铁电FINFET的变化
作者:
Zih-Tang Lin
;
Vita Pi-Ho Hu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
conduction bands;
current density;
ferroelectric devices;
MOSFET;
random noise;
semiconductor device noise;
semiconductor doping;
work function;
4.
Design of Multi-Layer Single-Electron Information-Processing Circuit Mimicking Behavior of Bubble Film for Solving Nonlinear Problem
机译:
泡泡膜求解非线性问题的多层单电子信息处理电路模拟行为的设计
作者:
Nobuhiko Kurata
;
Takahide Oya
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Junctions;
Tunneling;
Integrated circuit modeling;
Oscillators;
Color;
Plastics;
Face;
5.
Elastic Response of 10-nm Insulator Films Measured by Dynamic Indentation for Nano-scale Electron Device Fabrication
机译:
通过动态压痕测量的纳米级电子器件制造的动态压痕的弹性响应
作者:
Leonid Bolotov
;
Noriyuki Uchida
;
Wen Hsin Chang
;
Tatsuro Maeda
;
Shinji Migita
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Films;
Insulators;
MOSFET;
Aluminum oxide;
Nanoscale devices;
Fabrication;
6.
Structual Design of T-gate, Air-spacer Poly-Si TFTs for RF applications
机译:
用于RF应用的T型栅极,空间隔多Si TFT的结构设计
作者:
Yu-An Huang
;
Yu-Hsiang Yeh
;
Horng-Chih Lin
;
Pei-Wen Li
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Junctions;
Logic gates;
7.
Characterization and Analysis of 5 nm-thick Hf
0.5
Zr
0.5
O
2
for Negative Capacitance FinFET
机译:
用于5 nm厚的HF
0.5 INF> ZR
0.5 INF> O
2 ING>负电容FINFET的表征及分析
作者:
Pin-Jui Chen
;
Meng-Ju Tsai
;
Fu-Ju Hou
;
Yung-Chun Wu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
FinFETs;
Hafnium compounds;
Logic gates;
Silicon;
Capacitance;
8.
Germanium Layer Transfer with Low Temperature Direct Bonding and Epitaxial Lift-off Technique for Ge-based monolithic 3D integration
机译:
具有低温直接粘接和基于GE基于整体三维集成的锗层转移和外延升降技术
作者:
Tatsuro Maeda
;
Hiroyuki Ishii
;
Wen Hsin Chang
;
Toshifumi Irisawa
;
Yuichi Kurashima
;
Hideki Takagi
;
Noriyuki Uchida
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
9.
Novel fabrication technique of sub-10-nm-diameter Si nanowire FET using active oxidation
机译:
使用主动氧化的亚10纳米直径Si纳米线FET的新型制造技术
作者:
Yukinori Morita
;
Shinji Migita
;
Wataru Mizubayashi
;
Hiroyuki Ota
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
10.
Design theory and fabrication process of 90nm Unipolar-CMOS
机译:
90nm UniPolar-CMOS的设计理论与制造过程
作者:
Jyi-Tsong Lin
;
Hsuan-Hsu Chen
;
Kuan-Yu Lu
;
Chih-Hung Sun
;
Yi-Chuen Eng
;
Chih-Hao Kuo
;
Po-Hsieh Lin
;
Tung-Yen Lai
;
Fu-Liang Yang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
11.
Internal structure and electrical properties of Ge quantum dot in single-electron transistors
机译:
单电子晶体管GE量子点的内部结构和电性能
作者:
K. H. Chen
;
I. H. Chen
;
P. W. Li
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
12.
Investigating Scattering effects in Nano-scale Double Gate MOSFETs by Using Direct Solution of the Boltzmann Transport Equation and Poisson-Schrodinger Equation Method
机译:
使用Boltzmann运输方程和泊松 - 施罗格方程方法的直接解决方案来研究纳米级双栅MOSFET中的散射效果
作者:
Gang Du
;
Tiao Lu
;
Pingwen Zhang
;
Xiaoyan Liu
;
Ruqi Han
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
13.
CMOS-compatible fabrication of room-temperature Ge QD single hole transistors
机译:
CMOS兼容的室温GE QD单孔晶体管的制造
作者:
I. H. Chen
;
K. H. Chen
;
H. H. Chou
;
P. W. Li
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
14.
Irregular Resistive Switching Characteristics and Its Mechanism based on NiO Unipolar Switching Resistive Random Access Memory (RRAM)
机译:
基于NIO Unipolar开关电阻随机存取存储器(RRAM)的不规则电阻开关特性及其机制
作者:
Kyung-Chang Ryoo
;
Jeong-Hoon Oh
;
Hongsik Jeong
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
15.
Investigation of IT DRAM Cell with Non-Overlap Structure and Recessed Channel
机译:
具有非重叠结构和嵌入式通道的IT DRAM细胞的研究
作者:
Sang Wan Kim
;
Garam Kim
;
Wonjoo Kim
;
Hyoungsoo Ko
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
16.
Device Characteristics of Double-Gate MOSFETs with Si-Dielectric Interface Model from First Principle Calculations
机译:
具有第一个原理计算的Si-介电接口模型双栅极MOSFET的器件特性
作者:
Yongjin Park
;
Ki-jeong Kong
;
Hyunju Chang
;
Mincheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
17.
Channel Scaling in Si and In_(0.3)Ga_(0.7)As Bulk MOSFETs: A Monte Carlo Study
机译:
SI和IN_(0.3)GA_(0.7)的频道缩放为散装MOSFET:蒙特卡罗研究
作者:
Aynul Islam
;
Karol Kalna
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
18.
Modeling Hole Effective Mass of Si Modulated by External Field
机译:
外场调节Si的建模孔有效质量
作者:
Yasuhisa Omura
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
19.
Enhanced Hole Mobility in Non-(001) Oriented Sidewall Corner of Si pMOSFETs Formed on (001) Substrate
机译:
在(001)面向Si PMOSFET的非(001)定向侧壁拐角处的增强孔移动性,形成在(001)衬底上
作者:
Chih-Yu Hsu
;
Hua-Gang Chang
;
Shin-Jiun Kuang
;
Wei-Han Lee
;
Yu-Cheng Chen
;
Chien-Chih Lee
;
Ming-Jer Chen
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
20.
Effects of Aluminum Layer and Oxidation on TiO_2 based Bipolar Resistive Random Access Memory (RRAM)
机译:
铝层和氧化对基于TiO_2的双极电阻随机存取存储器(RRAM)的影响
作者:
Jeong-Hoon Oh
;
Kyung-Chang Ryoo
;
Sunghun Jung
;
Kyung Seok Oh
;
Hyungcheol Shin
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
21.
Statistic Characteristics of 'Current-Onset Voltage' in Scaled MOSFETs Analyzed by 8k DMA TEG
机译:
8K DMA TEG分析缩放MOSFET中“电流开展电压”的统计特征
作者:
T. Mizutani
;
A. Kumar
;
T. Tsunomura
;
A. Nishida
;
K. Takeuchi
;
S. Inaba
;
S. Kamohara
;
K. Terada
;
T. Hiramoto
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
22.
Dielectric Confinement and Fluctuations of the Local Density of State in the Source and Drain of an Ultra Scaled SOI NMOS Transistor
机译:
超尺度SOI NMOS晶体管源极和漏极局部局部密度的介质限制和波动
作者:
M. Pierre
;
B. Roche
;
X. Jehl
;
M. Sanquer
;
R. Wacquez
;
M. Vinet
;
O. Cueto
;
B. Previtali
;
V. Deshpande
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
23.
Pragmatic Study of the Nanowire FETs with Nonideal Gate Structures
机译:
具有非膜栅极结构的纳米线FET的语用研究
作者:
Jyi-Tsong Lin
;
Chun-Yu Chen
;
Meng-Hsueh Chiang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
24.
Intrinsic Parameter Fluctuations on Current Mirror Circuit with Different Aspect Ratio of 16-nm Multi-Gate MOSFET
机译:
具有16-NM多栅极MOSFET不同纵横比的电流镜电路的内在参数波动
作者:
Hui-Wen Cheng
;
Chun-Yen Yiu
;
Thet-Thet Khaing
;
Yiming Li
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
25.
Improvement of Field Effect Mobility with Dual-Work Function Gate in n-LDMOST by Using Ni-silicidation of Poly-Si Gate
机译:
利用Poly-Si栅极的Ni-Sircation改进与N-Ldsom中的双功函数门的现场效应移动性
作者:
Jong-Bong Ha
;
Hee-Sung Kang
;
Ki-Won Kim
;
Ki-Sik Im
;
Dong-Seok Kim
;
Eun-Hwan Kwak
;
Sung-Nam Kim
;
Sung-Gil Lee
;
Jung-Hee Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
26.
Atomistic Modeling of the Thermoelectric Power Factor in Ultra-scaled Silicon Nanowires
机译:
超尺度硅纳米线热电电源系数的原子模型
作者:
Abhijeet Paul
;
Gerhard Klimeck
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
27.
Impact of Surface Orientation on V(th) Variability of FinFET
机译:
表面取向对FinFET的V(TH)变异性的影响
作者:
Yu-Sheng Wu
;
Ming-Long Fan
;
Pin Su
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
28.
VLS-grown Silicon Nanowires - Dopant Deactivation and Tunnel FETs
机译:
VLS-生长的硅纳米线 - 掺杂剂停用和隧道FET
作者:
M. T. Bjork
;
K. E. Moselund
;
H. Schmid
;
H. Ghoneim
;
S. Karg
;
E. Lortscher
;
J. Knoch
;
W. Riess
;
H. Riel
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
29.
Origin of 'Current-Onset Voltage' Variability in Scaled MOSFETs
机译:
缩放MOSFET中的“电流开启电压”变异性的原点
作者:
A. Kumar
;
T. Mizutani
;
K. Shimizu
;
T. Tsunomura
;
A. Nishida
;
K. Takeuchi
;
S. Inaba
;
S. Kamohara
;
K. Terada
;
T. Hiramoto
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
30.
Challenges of Si-LSIs Integrated with Optical Components
机译:
SI-LSIS与光学部件集成的挑战
作者:
Kazumi Wada
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
31.
Modeling and RF Analysis of Silicon Inter-Band Tunnel Diode with THz Cut-Off Frequency
机译:
截止频率硅间隧道二极管的建模与RF分析
作者:
Kyung Rok Kim
;
In Man Kang
;
Robert W. Dutton
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
32.
A New Type of Inverter with Juctionless (J-Less) Transistors
机译:
一种具有毫巴(J-LIST)晶体管的新型逆变器
作者:
E. R. Hsieh
;
Steve S. Chung
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
33.
A detailed 3D-NEGF simulation study of tunnelling in n-Si nanowire MOSFETs
机译:
N-Si纳米线MOSFET隧道隧道仿真研究的详细3D-NegF仿真研究
作者:
Antonio Martinez
;
Natalia Seoane
;
Andrew R. Brown
;
Asen Asenov
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
34.
Analysis of SCEs in Nanoscale FinFET with High-k Gate Dielectric
机译:
高k栅极电介质纳米尺度的SCES分析
作者:
Qian Xie
;
Jun Xu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
35.
Tight-Binding Study of Size and Geometric Effects on Hole Effective Mass of Silicon Nanowires
机译:
硅纳米线孔有效质量的尺寸和几何效应紧密结合研究
作者:
Naoya Morioka
;
Hironori Yoshioka
;
Jun Suda
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
36.
Ambipolarity Characterization of Tunneling Field-Effect Transistors
机译:
隧道隧道场效应晶体管的静脉曲化特征
作者:
Jung-Shik Jang
;
Woo Young Choi
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
37.
Enhancement of TFET Performance Using Dopant Profile-Steepening Implant and Source Dopant Concentration Engineering at Tunneling Junction
机译:
使用掺杂剂型材 - 陡峭的植入物和隧穿接线源掺杂剂浓度工程提高TFET性能
作者:
Genquan Han
;
Ye Sheng Yee
;
Pengfei Guo
;
Yue Yang
;
Lu Fan
;
Chunlei Zhan
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
38.
Electrical Characteristic Fluctuation and Suppression in Emerging CMOS Device and Circuit
机译:
新兴CMOS装置和电路中的电气特性波动和抑制
作者:
Hui-Wen Cheng
;
Ming-Hung Han
;
Yiming Li
;
Kuo-Fu Lee
;
Chun-Yen Yiu
;
Thet-Thet Khaing
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
39.
Effect of Oxide Thickness on the Low-Frequency Noise in MOSFET-Based Charge Transfer Devices
机译:
氧化物厚度对基于MOSFET电荷转移装置低频噪声的影响
作者:
Vipul Singh
;
Hiroshi Inokawa
;
Hiroaki Satoh
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
40.
Control of dopant-induced quantum dots by channel geometry
机译:
通过沟道几何控制掺杂剂诱导的量子点
作者:
Daniel Moraru
;
Ryusuke Nakamura
;
Sakito Miki
;
Takeshi Mizuno
;
Michiharu Tabe
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
41.
3-D Stacked Active Layers and Vertical Gate NAND Flash String with Single-Crystal Si Channel by Adopting Si/SiGe Selective Etch Process
机译:
3-D堆叠有源层和垂直门NAND闪存串,采用单晶SI通道采用SI / SIGE选择性蚀刻工艺
作者:
Ju-Wan Lee
;
Min-Kyu Jeong
;
Hyuck-In Kwon
;
Byung-Gook Park
;
Hyungcheol Shin
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
42.
Monte Carlo Analysis of In_(0.53)Ga_(0.47)As Implant-Free Quantum-Well Device Performance
机译:
Monte Carlo In_(0.53)GA_(0.47)作为无植入量子阱器件性能的分析
作者:
B. Benbakhti
;
E. Towie
;
K Kalna
;
G. Hellings
;
G. Eneman
;
K. De Meyer
;
M. Meuris
;
A. Asenov
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
43.
Influence of Interface Traps on high-mobility channel performance
机译:
界面陷阱对高迁移渠道性能的影响
作者:
Geert Hellings
;
Geert Eneman
;
Guy Brammertz
;
Koen Martens
;
Jerome Mitard
;
Wei-E Wang
;
Thomas Hoffmann
;
Marc Meuris
;
Kristin De Meyer
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
44.
Investigation of Source Potential Impacts On Drain Disturb in Nanoscale Flash Memory
机译:
纳米透视闪存排水干扰源潜在影响的研究
作者:
Yimao Cai
;
Poren Tang
;
Shiqiang Qin
;
Ru Huang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
45.
Potential of Nano-scale Optical Rotor Based on a pn-Junction Wire
机译:
基于PN结线的纳米级光学转子的潜力
作者:
Yasuhisa Omura
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Rotors;
Wires;
Silicon;
Lighting;
Biomedical optical imaging;
Electrodes;
Electric potential;
46.
Prediction of Characteristics of Future Scaled 3D NAND Flash Memory by Using TCAD and SPICE
机译:
使用TCAD和Spice预测未来缩放3D NAND闪存的特性
作者:
Minsoo Kim
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
SPICE;
Three-dimensional displays;
Flash memories;
Ions;
Predictive models;
Solid modeling;
Market research;
47.
Switching Current of Ta
2
O
5
-Based Resistive Analog Memories
机译:
TA
2 INF> O
5 INF>基于电阻模拟存储器的开关电流
作者:
Yuanlin Li
;
Atsushi Tsurumaki-Fukuchi
;
Masashi Arita
;
Takashi Morie
;
Yasuo Takahashi
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
analogue storage;
copper;
resistive RAM;
tantalum compounds;
48.
Comparison of switching characteristics of HfO
x
RRAM device with different switching layer thicknesses
机译:
HFO
X / INF> RRAM装置具有不同开关层厚度的开关特性的比较
作者:
Dong Keun Lee
;
Min-Hwi Kim
;
Suhyun Bang
;
Tae-Hyeon Kim
;
Yeon-Joon Choi
;
Sungjun Kim
;
Seongjae Cho
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Hafnium compounds;
Current measurement;
Thickness measurement;
Neuromorphics;
Switching circuits;
Electric potential;
49.
Study of Twin Ge FinFET Structure Non-Volatile Memory
机译:
双米FinFET结构非易失性记忆的研究
作者:
Chien-Chang Li
;
Mu-Shih Yeh
;
Yao-Jen Lee
;
Yung-Chun Wu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Germanium;
FinFETs;
Nonvolatile memory;
Logic gates;
Integrated circuits;
Silicon;
50.
An Improved Hardware Accelaration Architecture of Binary Neural Network With 1T1R Array Based Forward/Backward Propagation Module
机译:
基于基于前/向后传播模块的1T1R阵列的二元神经网络的改进硬件加速架构
作者:
Yizhou Zhang
;
Zheng Zhou
;
Peng Huang
;
Mengqi Fan
;
Runze Han
;
Wensheng Shen
;
Lifeng Liu
;
Xiaoyan Liu
;
Jinfeng Kang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Backpropagation;
Acceleration;
Training;
Virtual machine monitors;
Hardware;
Current measurement;
Computer architecture;
51.
Feasibility of Ge Double Quantum Dots With High Symmetry and Tunability in Size and Inter-Dot Spacing
机译:
GE双量子点的可行性具有高对称性和可调性的大小和点间距
作者:
Kang-Ping Peng
;
Tsung-Lin Huang
;
Thomas George
;
Horng-Chih Lin
;
Pei-Wen Li
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Germanium;
Oxidation;
Fabrication;
Silicon;
Qubit;
Silicon germanium;
Couplings;
52.
Short-Channel Effects and Sub-Surface Behavior in Bulk MOSFETs and Nanoscale DG-SOI- MOSFETs: A TCAD Investigation
机译:
散装MOSFET中的短信效应和亚表面行为和纳米级DG-SOI-MOSFET:TCAD调查
作者:
Harshit Kansal
;
Aditya Sankar Medury
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
MOSFET;
Potential well;
Logic gates;
Silicon;
Substrates;
Nanoscale devices;
Junctions;
53.
Resonant Photocurrent at 1550 nm in an Erbium Low-Doped Silicon Transistor at Room Temperature
机译:
在室温下在铒低掺杂硅晶体管中为1550nm的共振光电流
作者:
Enrico Prati
;
Michele Celebrano
;
Lavinia Ghirardini
;
Marco Finazzi
;
Giorgio Ferrari
;
Takahiro Shinada
;
Keinan Gi
;
Yuki Chiba
;
Ayman Abdelghafar
;
Maasa Yano
;
Takashi Tanii
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Transistors;
Photoconductivity;
Erbium;
Silicon;
Atomic measurements;
Photoluminescence;
Absorption;
54.
Directivity of SOI Photodiode with Gold Surface Plasmon Antenna
机译:
金表面等离子体天线SOI光电二极管的指向性
作者:
Anitharaj Nagarajan
;
Shusuke Hara
;
Hiroaki Satoh
;
Aruna Priya Panchanathan
;
Hiroshi Inokawa
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Gratings;
Gold;
Antennas;
Photodiodes;
Finite difference methods;
Surface plasmons;
Imaging;
55.
Impacts of Remote Coulomb Scattering on Hole Mobility in Si p-MOSFFETs at Cryogenic Temperatures
机译:
远程库仑散射对低温温度下Si P雾孔移动性的影响
作者:
Xianle Zhang
;
Pengying Chang
;
Gang Du
;
Xiaoyan Liu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Scattering;
Cryogenics;
Mathematical model;
Silicon;
Phonons;
Temperature dependence;
Computational modeling;
56.
Si Surface Orientation Dependence of SiC Nano-Dot Formation in Hot-C+ -Ion Implanted Bulk-Si Substrate
机译:
SiC纳米点形成在Hot-C
+ Sup> -ion植入体 - Si衬底中的Si表面取向依赖性
作者:
Tomohisa Mizuno
;
Masaki Yamamoto
;
Takashi Aoki
;
Toshiyuki Sameshima
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Silicon carbide;
57.
Simultaneous operation of singlet-triplet qubits
机译:
单次三重态Qubits的同时操作
作者:
Federico Fedele
;
Anasua Chatterjee
;
Ferdinand Kuemmeth
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Qubit;
Quantum dots;
Logic gates;
Synchronization;
Gallium arsenide;
Oscillators;
Transmission line measurements;
58.
Study of Germanium Nanosheet Channel With Negative Capacitance Field-Effect-Transistor
机译:
负电容场效应晶体管锗纳米晶沟道的研究
作者:
Yu-Ning Chen
;
Fu-Ju Hou
;
Chun-Jung Su
;
Yung-Chun Wu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Germanium;
Logic gates;
Capacitance;
Fabrication;
Transistors;
Aluminum oxide;
Microwave circuits;
59.
Subthreshold Degradation of 2D material Junctionless FETs -Impact of Fringe Field from Source/Drain Electrodes through Insulator-
机译:
通过绝缘体从源极/漏电电极劣化2D材料连接FET的借调劣化。
作者:
Hidehiro Asai
;
Wen Hsin Chang
;
Naoya Okada
;
Koich Fukuda
;
Toshifumi Irisawa
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Two dimensional displays;
Electrodes;
Degradation;
Insulators;
Logic gates;
Field effect transistors;
Electric potential;
60.
Dopant-Induced Terahertz Resonance of a Dopant-Rich Silicon Quantum Dot
机译:
掺杂的富含掺杂剂的硅量子点的太赫兹共振
作者:
Takuya Okamoto
;
Naoki Fujimura
;
Tetsuo Kodera
;
Yukio Kawano
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Photoconductivity;
Optical devices;
Quantum dots;
Photonics;
Laser excitation;
Optical control;
61.
Effect of Device Scaling on Lateral Migration Mechanism of Electrons in V-NAND
机译:
装置缩放对V-NAND中电子横向迁移机理的影响
作者:
Changbeom Woo
;
Shinkeun Kim
;
Jaeyeol Park
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Data models;
Tunneling;
Electric fields;
Analytical models;
Flash memories;
Computational modeling;
Solids;
62.
Comparative Study of High-k Dielectric on MoS
2
Deposited by Plasma Enhanced ALD
机译:
血浆增强铝沉积高k电介质对MOS
2 INF>的比较研究
作者:
Wen Hsin Chang
;
Naoya Okada
;
Hidehiro Asai
;
Koichi Fukuda
;
Mitsuhiro Okada
;
Takahiko Endo
;
Yasumitsu Miyata
;
Toshifumi Irisawa
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Sulfur;
Molybdenum;
Logic gates;
Dielectrics;
Hafnium compounds;
Aluminum oxide;
MOSFET;
63.
Single-Electron Information-Processing Circuit Mimicking Behavior of Fish Shoals
机译:
单电子信息处理电路模仿鱼浅滩的行为
作者:
Hideto Yamashita
;
Takahide Oya
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Fish;
Information processing;
Collision avoidance;
Oscillators;
Integrated circuit modeling;
Multi-agent systems;
Junctions;
64.
The Understanding of Gate Capacitance Matching on Achieving a High Performance NC MOSFET with Sufficient Mobility
机译:
具有足够移动性实现高性能NC MOSFET的栅极电容匹配的理解
作者:
C. K. Chiang
;
P. Husan
;
Y. C. Lou
;
F. L. Li
;
E. R. Hsieh
;
C. H. Liu
;
Steve S. Chung
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Capacitance;
Annealing;
Ions;
MOSFET circuits;
Tin;
Zirconium;
65.
Atomic-level Analysis by Synchrotron Radiation and Characterization of 2 nm, 3 nm, and 5 nm-thick Hf
0.5
Zr
0.5
O
2
Negative Capacitance FinFET
机译:
通过同步辐射和表征2nm,3nm和5nm厚的Hf
0.5 Inm> Zr
0.5 INF> O
2 IM>负电容Finfet.
作者:
Meng-Ju Tsai
;
Pin-Jui Chen
;
Po-Yang Peng
;
Fu-Ju Hou
;
Yung-Chun Wu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Very large scale integration;
Atomic measurements;
Capacitance;
Synchrotron radiation;
Hafnium compounds;
FinFETs;
66.
Comparative Study on 1-THz Antenna-Coupled Bolometer with Various SOI-CMOS based Temperature Sensors: MOSFET, Diode, Resistor and Thermocouple
机译:
具有各种SOI-CMOS的温度传感器的1-THZ天线耦合大计的比较研究:MOSFET,二极管,电阻和热电偶
作者:
Durgadevi Elamaran
;
Takeo Ueta
;
Hiroaki Satoh
;
Norihisa Hiromoto
;
Hiroshi Inokawa
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Bolometers;
MOSFET;
Resistors;
Antennas;
Temperature sensors;
Silicon;
Heating systems;
67.
The Prelimniary Investigation of Octrafluorocyclobutane Plasma Jet Etching of Crystalline Silicon
机译:
结晶硅丁氟环丁烷等离子体喷射蚀刻的预备研究
作者:
Chun Huang
;
Wei-Ting Liu
;
Wei-Lun Li
;
Li-Ko Huang
;
Yi-An Chen
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Etching;
Silicon;
Atmospheric-pressure plasmas;
Plasma jets;
Substrates;
Fluid flow;
68.
Evaluation of Photosensitive Performance of Different Structured UTBB MOSFET
机译:
不同结构utbb MOSFET的光敏性能评估
作者:
Liqiao Liu
;
Xiaoyan Liu
;
Gang Du
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Photodiodes;
Image sensors;
MOSFET;
Doping;
Lighting;
Performance evaluation;
69.
Modeling of Lateral Migration Mechanism of Holes in 3D NAND Flash Memory Charge Trap Layer during Retention Operation
机译:
保持操作期间3D NAND闪存充电陷阱孔横向迁移机制的建模
作者:
Jaeyeol Park
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
DSL;
Flash memories;
Three-dimensional displays;
Mathematical model;
Temperature;
Computational modeling;
Solid modeling;
70.
Atomistic Study of Transport Characteristics in Sub-1nm Ultra-narrow Molybdenum Disulfide (MoS
2
) Nanoribbon Field Effect Transistors
机译:
亚1NM超窄钼二硫化钼(MOS
2 INF>)纳米波磁场效应晶体管的原子研究
作者:
Fei Wang
;
Xiaolei Ma
;
Jixuan Wu
;
Jiezhi Chen
;
Xiangwei Jiang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Passivation;
Field effect transistors;
Photonic band gap;
Atomic layer deposition;
Ions;
71.
The GAAFETs with Five Stacked Ge Nano-sheets Made by 2D Ge/Si Multilayer Epitaxy, Excellent Selective Etching, and Conformal Monolayer Doping
机译:
带有五个堆叠的GE纳米片的GAAFET由2D GE / SI多层外延,优异的选择性蚀刻和共形式单层掺杂制成
作者:
Chun-Lin Chu
;
Guang-Li Luo
;
Kehuey Wu
;
Shih-Hong Chen
;
Chien-Chung Hsu
;
Bo-Yuan Chen
;
Kun-Lin Lin
;
Wen-Fa Wu
;
Wen-Kuan Yeh
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Germanium;
Silicon;
Etching;
Logic gates;
Doping;
Nonhomogeneous media;
Epitaxial growth;
72.
Characterization of Four-Level Random Telegraph Noise in a Gate-All-Around Poly-Si Nanowire Transistor
机译:
四级随机电报噪声在栅极 - 全面纳米线晶体管中的表征
作者:
You-Tai Chang
;
Pei-Wen Li
;
Horng-Chih Lin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Electron traps;
Logic gates;
Transistors;
Gallium arsenide;
Silicon;
Histograms;
Controllability;
73.
Effect of TiO
x
Film Thickness on Resistive Switching Behavior of TiN/TiO
x
/HfO
2
/Pt RRAM Device
机译:
TiO
X / INF>膜厚度对锡/ TIO
X / INF> / HFO
2 INF> / PTRRAM装置电阻切换行为的影响
作者:
Xiangxiang Ding
;
Lifeng Liu
;
Yulin Feng
;
Peng Huang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Resistance;
Pulse measurements;
Random access memory;
Sputtering;
Performance evaluation;
Dielectrics;
74.
Ultra-Low Power Brain-Inspired Processors and Neuromorphic Processors With CMOS/MTJ Hybrid Technology
机译:
超低功耗脑机启发处理器和CMOS / MTJ混合技术的神经胸处理器
作者:
Tetsuo Endoh
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Nonvolatile memory;
Very large scale integration;
Random access memory;
Artificial intelligence;
Memory management;
Spintronics;
Magnetic tunneling;
75.
A Novel Nitrogen-doped SiO_x Resistive Switching Memory with Low Switching Voltages
机译:
具有低开关电压的新型氮掺杂SiO_X电阻开关存储器
作者:
Dejin Gao
;
Lijie Zhang
;
Ru Huang
;
Runsheng Wang
;
Dongmei Wu
;
Yongbian Kuang
;
Yu Tang
;
Zhe Yu
;
Albert Z. H. Wang
;
Yan gyuan Wang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
76.
Variability Induced by Line Edge Roughness in Silicon on Thin Box (SOTB) MOSFETs
机译:
薄盒(SOTB)MOSFET上硅中线边缘粗糙度引起的变异性
作者:
Yunxiang Yang
;
Xiaoyan Liu
;
Gang Du
;
Ruqi Han
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
77.
Single-dopant memory effect in P-doped Si SOI-MOSFETs
机译:
P掺杂Si-MOSFET中的单掺杂内存效果
作者:
Earfan Hamid
;
Juli Cha Tarido
;
Sakito Miki
;
Takeshi Mizuno
;
Daniel Moraru
;
Michiharu Tabe
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
78.
Quantum Transport in Ultra-scaled Phosphorous-doped Silicon Nanowires
机译:
超缩放的磷掺杂硅纳米线中的量子传输
作者:
Hoon Ryu
;
S. Lee
;
B. Weber
;
S. Mahapatra
;
M. Y. Simmons
;
L. C. L. Hollenberg
;
G. Klimeck
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
79.
Electron-Phonon Scattering in Planar MOSFETs with NEGF
机译:
使用negf的平面MOSFET中的电子 - 声子散射
作者:
Himadri S. Pal
;
Dmitri E. Nikonov
;
Raseong Kim
;
Mark S. Lundstrom
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
关键词:
NEGF;
Scattering;
Phonon;
CMOS;
80.
Spin-Related Tunneling in Lithographically-Defined Silicon Quantum Dots
机译:
在光刻定义的硅量子点中有旋转相关的隧道
作者:
T. Kodera
;
G. Yamahata
;
T. Kambara
;
K. Horibe
;
K. Uchida
;
C. M. Marcus
;
S. Oda
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
81.
Long Range Pinning Interaction in Ultra-thin Insulator-inserted Metal/Germanium Junctions
机译:
超薄绝缘子插入金属/锗连接中的长距离钉扎相互作用
作者:
T. Nishimura
;
K. Kita
;
K. Nagashio
;
A. Toriumi
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
82.
Modeling Self-Heating Effects in 10nm Channel Length Nanowire Transistors
机译:
10nm通道长度纳米线晶体管中的自热效果建模
作者:
A. Hossain
;
D. Vasileska
;
S. M. Goodnick
;
Katerina Raleva
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
83.
Scattering in Si-Nanowires - Where does it matter?
机译:
散射在Si-纳米线 - 它在哪里?
作者:
Gerhard Klimeck
;
Mathieu Luiser
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
84.
Charge Effects on Semiconductor-Metal Phase Transition in Mono-layer MoTe
2
机译:
单层MOTE
2 IM>中半导体 - 金属相转变的电荷效应
作者:
Jixuan Wu
;
Xiaolei Ma
;
Jiezhi Chen
;
Xiangwei Jiang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Doping;
Charge carrier processes;
Energy barrier;
Resistance;
Switches;
Photonic band gap;
Phase distortion;
85.
ON Current Enhancement by Gate Controlled Strain in The InAs n-Type Piezoelectric Tunnel FETs
机译:
in In型压电隧道FET中栅极控制应变的电流增强
作者:
Yuxiong Long
;
Jun Z Huang
;
Zhongming Wei
;
Jun-Wei Luo
;
Xiangwei Jiang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Field effect transistors;
Ions;
Mathematical model;
Logic gates;
Tensile strain;
Poisson equations;
86.
Improved Gradual Reset Phenomenon in SiN
x
-based RRAM by Diode-Connected Structure
机译:
通过二极管连接结构改进了SIN
X / INF>基于RRAM的逐步复位现象
作者:
Min-Hwi Kim
;
Suhyun Bang
;
Tae-Hyeon Kim
;
Dong Keun Lee
;
Sungjun Kim
;
Seongjae Cho
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
electric resistance;
resistive RAM;
87.
Atomic qubits in silicon
机译:
硅中的原子Qubits
作者:
Michelle Y. Simmons
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Qubit;
Nanotechnology;
Computer architecture;
Logic gates;
Communications technology;
88.
Negative Capacitance in Short-Channel Tunnel Field-Effect Transistors
机译:
短信隧道场效应晶体管中的负电容
作者:
Hung-Jin Teng
;
Yu-Hsuan Chen
;
Nguyen Dang Chien
;
Chun-Hsing Shih
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
TFETs;
MOSFET;
PIN photodiodes;
Logic gates;
Capacitance;
Iron;
89.
Temporal feature analysis in brain-inspired neural systems
机译:
脑激发神经系统中的时间特征分析
作者:
Tomoki Fukai
;
Toshitake Asabuki
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Neurons;
Brain modeling;
Analytical models;
Reservoirs;
Biological system modeling;
Computational modeling;
Biological neural networks;
90.
A systematic model parameter extraction using differential evolution searching
机译:
差分演进搜索的系统模型参数提取
作者:
Jeesoo Chang
;
Min-Hye Oh
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Genetic algorithms;
Parameter extraction;
Optimization;
Prediction algorithms;
Systematics;
Semiconductor device modeling;
Convergence;
91.
Extreme Ultra-Violate Exposure Induced Damages on Non-Volatile Memories
机译:
极端的超违反曝光造成对非易失性记忆的损害
作者:
Bing-Yue Tsui
;
Chih-Chan Yen
;
Po-Hsueh Li
;
Chih-Pei Lu
;
Jui-Yao Lai
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
92.
Π-Gate Nanowires TANOS Poly-Si TFT Nonvolatile Memory
机译:
π栅极纳米线Tanos Poly-Si TFT非易失性存储器
作者:
Min-Feng Hung
;
Jiang-Hung Chen
;
Yung-Chun Wu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
93.
Si Electron Nano-Aspirator towards Emerging Hydro-Electronics
机译:
Si电子纳米吸气器朝向新兴水电站
作者:
Manjakavahoaka Razanoelina
;
Himma Firdaus
;
Yasuo Takahashi
;
Akira Fujiwara
;
Yukinori Ono
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
electrohydrodynamics;
elemental semiconductors;
low-power electronics;
MOSFET;
silicon;
94.
Metallic Source/Drain Ge-Based Charge-Trapping Memory Cells
机译:
基于金属源/排水的电气捕获存储器单元
作者:
Yu-Hsuan Chen
;
Chun-Hsing Shih
;
Hung-Jin Teng
;
Chenhsin Lien
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Germanium;
Silicon;
Logic gates;
Schottky barriers;
Programming;
95.
New-Generation Design-Technology Co-Optimization (DTCO): Machine-Learning Assisted Modeling Framework
机译:
新一代设计技术协同优化(DTCO):机器学习辅助建模框架
作者:
Zhe Zhang
;
Runsheng Wang
;
Cheng Chen
;
Qianqian Huang
;
Yangyuan Wang
;
Cheng Hu
;
Dehuang Wu
;
Joddy Wang
;
Ru Huang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
data handling;
learning (artificial intelligence);
MOSFET;
neural nets;
optimisation;
semiconductor device models;
tunnel field-effect transistors;
96.
Energy Efficient Nanoelectronics
机译:
节能纳米电子学
作者:
An Chen
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Nanoscale devices;
Switching circuits;
Support vector machines;
TFETs;
97.
3D Heterogeneous Integration with 2D Materials
机译:
3D与2D材料的异构集成
作者:
Connor McClellan
;
Connor Bailey
;
Isha Datye
;
Alexander Gabourie
;
Ryan Grady
;
Kirstin Schauble
;
Sam Vaziri
;
Eric Pop
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Electromagnetic compatibility;
Electrical engineering;
Two dimensional displays;
Very large scale integration;
98.
Ferroelectric FET with Gd-doped HfO2: A Step Towards Better Uniformity and Improved Memory Performance
机译:
具有GD-掺杂的HFO2的铁电FET:迈向更好的均匀性和提高内存性能的步骤
作者:
N. Ronchi
;
L.-Å. Ragnarsson
;
L. Breuil
;
K. Banerjee
;
S. R. C. McMitchell
;
B. OSullivan
;
A. Milenin
;
S. Kundu
;
M. Pak
;
G. Van den bosch
;
J. Van Houdt
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2021年
关键词:
Performance evaluation;
Voltage measurement;
Pulse measurements;
Logic gates;
Tin;
Silicon;
FeFETs;
99.
Resistive Switching in Memristors Based on Artificially Stacked Chemical-Vapor-Deposited Hexagonal-Boron Nitride
机译:
基于人工堆叠的化学蒸汽沉积六方氮化物的椎间体电阻切换
作者:
Lukas Völkel
;
Dennis Braun
;
Melkamu Belete
;
Satender Kataria
;
Thorsten Wahlbrink
;
Max C. Lemme
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2021年
关键词:
Boron;
Conferences;
Electric variables measurement;
Memristors;
Switches;
Silicon;
Nanoelectronics;
100.
Graphene Photodetector Enhanced by a Planar Yagi-Uda Antenna
机译:
石墨烯光电探测器由平面yagi-uda天线增强
作者:
N. Torabi
;
M.A. Mubashar
;
S. Suckow
;
M. Otto
;
S. Parhizkar
;
A.L. Giesecke
;
M. Agio
;
M.C. Lemme
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
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2021年
关键词:
Absorption;
Yagi-Uda antennas;
Graphene devices;
Power lasers;
Photodetectors;
Silicon;
Data models;
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