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机译:比例式十米管体HKMG MOSFET的统计阈值电压变异性:全面的3-D模拟比例研究
Device Modelling Group, School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow , U.K.;
Granularity; MOSFETs; metal gate; scaling; variability; workfunction;
机译:倾析仪MOSFET中的RTS幅度:3D仿真研究
机译:倾析仪和纳米级MOSFET中固有参数波动的仿真
机译:金属门粒度对阈值电压可变性的影响:全面的三维统计仿真研究
机译:can析器体MOSFET和FinFET的均一性和可变性原子TCAD仿真之间的差异
机译:将批量驱动的MOSFET扩展到can级批量CMOS技术
机译:统计量表效应作为均值和变异性之间正遗传相关性的来源:模拟研究
机译:模拟研究结果设计,性能表征,统计变异性和滗析仪mOsFET的可靠性