不同气压下放电功率对微晶硅薄膜生长特性的影响

摘要

本文采用理论模拟和实验相结合的方法,研究了不同气压下放电功率对VHF-PECVD沉积的微晶硅薄膜的生长特性的影响.低压时,SiH3为主要的沉积前驱基团,且沉积过程为气相扩散限制,基团浓度的增加有利于(111)面的生长和晶粒尺寸的增大;高压时,高硅基团的产生得到增强,使速率进一步增加.同时,沉积前驱基团浓度的大幅度升高使沉积向表面反应限制转变,等离子体中H原子浓度的增加有助于(110)面的生长.