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【2h】

Radial n-i-p structure SiNW-based microcrystalline silicon thin-film solar cells on flexible stainless steel

机译:挠性不锈钢上的径向n-i-p结构基于SiNW的微晶硅薄膜太阳能电池

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摘要

Radial n-i-p structure silicon nanowire (SiNW)-based microcrystalline silicon thin-film solar cells on stainless steel foil was fabricated by plasma-enhanced chemical vapor deposition. The SiNW solar cell displays very low optical reflectance (approximately 15% on average) over a broad range of wavelengths (400 to 1,100 nm). The initial SiNW-based microcrystalline (μc-Si:H) thin-film solar cell has an open-circuit voltage of 0.37 V, short-circuit current density of 13.36 mA/cm2, fill factor of 0.3, and conversion efficiency of 1.48%. After acid treatment, the performance of the modified SiNW-based μc-Si:H thin-film solar cell has been improved remarkably with an open-circuit voltage of 0.48 V, short-circuit current density of 13.42 mA/cm2, fill factor of 0.35, and conversion efficiency of 2.25%. The external quantum efficiency measurements show that the external quantum efficiency response of SiNW solar cells is improved greatly in the wavelength range of 630 to 900 nm compared to the corresponding planar film solar cells.
机译:通过等离子增强化学气相沉积法在不锈钢箔上制备了基于径向n-i-p结构的硅纳米线(SiNW)基微晶硅薄膜太阳能电池。 SiNW太阳能电池在很宽的波长范围(400至1,100 nm)内显示出非常低的光反射率(平均约15%)。最初的基于SiNW的微晶(μc-Si:H)薄膜太阳能电池的开路电压为0.37 V,短路电流密度为13.36 mA / cm 2 ,填充系数为0.3,转换效率为1.48%。经过酸处理后,改进的基于SiNW的μc-Si:H薄膜太阳能电池的性能得到了显着改善,其开路电压为0.48 V,短路电流密度为13.42 mA / cm 2 ,填充因子为0.35,转换效率为2.25%。外部量子效率测量结果表明,与相应的平面膜太阳能电池相比,SiNW太阳能电池的外部量子效率响应在630至900 nm的波长范围内得到了极大的改善。

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