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放电功率对微晶硅薄膜的晶化调控及光电性质的影响

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以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在不同放电功率下沉积微晶硅薄膜,通过调节放电功率实现了微晶硅薄膜的晶化调控和光电性质的优化,并利用Langmuir探针和质谱计分别对等离子体空间的电子特性和中性基团进行在线检测,初步探讨了成膜的微观机理.

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来源
《四川大学学报：自然科学版》 |2019年第2期|318-322|共5页
作者
祝祖送; 尹训昌; 张杰; 易明芳; 闻军;
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作者单位

安庆师范大学物理与电气工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光谱学;
关键词
微晶硅薄膜; 晶化控制; 光电性质; 电子特性;

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