不同Ar/O2气压比例条件下立方MgZnO薄膜生长特性及紫外光吸收特性

摘要

利用脉冲激光沉积技术在非晶石英衬底上制备了立方结构MgZnO薄膜,研究了在不同Ar/O2气压比例条件下,立方结构MgZnO薄膜的生长取向、光学带隙和Mg/Zn含量比例的变化规律.当固定氧气分压为2Pa、通过注入惰性的Ar气使生长气压从2 Pa升高到7 Pa时,MgZnO薄膜的生长取向由(200)向(1 1 1)转变.当生长气压从2 Pa升高到6 Pa时,MgZnO薄膜光学带隙变窄.而当生长气压从6 Pa升高到7 Pa时,MgZnO薄膜光学带隙反而变宽.通过XPS数据分析,不同生长气压下MgZnO薄膜光学带隙的变化规律与薄膜Mg/Zn含量比例的变化规律不一致,MgZnO薄膜中Mg和Zn与O的结合情况的变化对薄膜的光学带隙也有影响.