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International conference on nitride semiconductors
International conference on nitride semiconductors
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1.
Demonstration of high-efficient InGaN-based violet light-emitting diodes with an external-quantum efficiency of more than 40
机译:
高效indaN的紫色发光二极管的示范,外部量子效率超过40%
作者:
Hiromitsu Kudo
;
Youichiro Ohuchi
;
Takahide Jyouichi
;
Takashi Tsunekawa
;
Hiroaki Okagawa
;
Kazuyuki Tadatomo
;
Yasuhide Sudo
;
Munehiro Kato
;
Tsunemasa Taguchi
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
electroluminescence;
light-emitting devices;
2.
Growth of homoepitaxial III-nitride layers on bulk GaN single crystals by molecular-beam epitaxy
机译:
分子束外延散装GaN单晶在散装GaN单晶上的同性恋III-氮化物层的生长
作者:
S. Iwata
;
S. Kubo
;
M. Konishi
;
T. Saimei
;
S. Kurai
;
T. Taguchi
;
K. Kainosho
;
A. Yokohata
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
3.
Quantum-well thickness dependence of stimulated emission in InGaN/GaN structures
机译:
刺激刺激在ingaN / GaN结构中的量子阱厚度依赖性
作者:
S. Jursenas
;
S. Miasojedovas
;
G. Kurilcik
;
A. Zukauskas
;
Shih-Wei Feng
;
Yung-Chen Cheng
;
C. C. Yang
;
Cheng-Ta Kuo
;
Jian-Shihn Tsang
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
stimulated emission;
III-V semiconductors;
quantum wells;
4.
Growth of wurtzite InN using MOVPE and its optical characteristics
机译:
使用MOVPE的Wurtzite Inn的生长及其光学特性
作者:
T. Matsuoka
;
H. Okamoto
;
M. Nakao
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
including refractive index;
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
emissivity;
reflection and transmission coefficients;
absorption;
complex dielectric constant;
5.
MOVPE growth and n-type conductivity control of high-quality Si-doped Al_(0.5)Ga_(0.5)N using epitaxial AlN as an underlying layer
机译:
MOVPE生长和N型电导率控制使用外延ALN作为底层的高质量Si掺杂AL_(0.5)Ga_(0.5)n
作者:
Yoshihiro Kida
;
Akira Iishiga
;
Tomohiko Shibata
;
Hiroyuki Naoi
;
Hideto Miyake
;
Kazumasa Hiramatsu
;
Mitsuhiro Tanaka
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
6.
Effect of AlN buffer layer on the growth of InN epitaxial film on Si substrate
机译:
ALN缓冲层对Si衬底Inn外延膜生长的影响
作者:
T. Yamaguchi
;
Y. Saito
;
C. Morioka
;
K. Yorozu
;
T. Araki
;
A. Suzuki
;
Y. Nanishi
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
clean metal, semiconductor, and insulator surfaces;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
7.
Si(111) as alternative substrate for AlGaN/GaN HEMT
机译:
SI(111) as alternative substrate for AL Gan/Gan he Mt
作者:
Y. Dikme
;
M. Fieger
;
F. Jessen
;
A. Szymakowski
;
H. Kalisch
;
J. F. Woitok
;
P. van Gemmern
;
P. Javorka
;
M. Marso
;
N. Kaluza
;
R. H. Jansen
;
M. Heuken
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
interface structure and roughness;
nucleation and growth: microscopic aspects;
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
field effect devices;
8.
The effect of Gallium gallium adsorbate on SiC(0001) surface for GaN by MBE
机译:
镓镓吸附物对MBE的GaN的SiC(0001)表面的影响
作者:
K. Jeganathan
;
M. Shimizu
;
T. Ide
;
H. Okumura
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
9.
Metastability in the excitonic luminescence of electron-irradiated GaN
机译:
电子辐照甘灭火发光中的延展性
作者:
Q. Yang
;
H. Feick
;
R. Armitage
;
E. R. Weber
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
electron and positron radiation effects;
excitons and related phenomena;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
10.
Fabrication of sub-50-nm-gate i-AlGaN/GaN HEMTs on sapphire
机译:
在蓝宝石上制造Sub-50-NM-Gate I-Algan / GaN Hemts的制造
作者:
Akira Endoh
;
Yoshimi Yamashita
;
Keiji Ikeda
;
Masataka Higashiwaki
;
Kohki Hikosaka
;
Toshiaki Matsui
;
Satoshi Hiyamizu
;
Takashi Mimura
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
field effect devices;
11.
High electron concentrations in Si-doped AlN/AlGaN superlattices with high average Al content of 80
机译:
掺杂Aln / AlGaN超晶格中的高电子浓度高平均Al含量为80%
作者:
Yoshitaka Taniyasu
;
Makoto Kasu
;
Kazuhide Kumakura
;
Toshiki Makimoto
;
Naoki Kobayashi
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
12.
Thick crack-free AlGaN films deposited by facet-controlled epitaxial lateral overgrowth
机译:
通过刻面控制的外延横向过度生长沉积厚的无裂缝AlGaN薄膜
作者:
R. Liu
;
A. Bell
;
F. A. Ponce
;
H. Amano
;
I. Akasaki
;
D. Cherns
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
13.
Growth and photoluminescence of InAlGaN films
机译:
InalGan薄膜的生长和光致发光
作者:
Da-Bing Li
;
Xun Dong
;
Jinsong Huang
;
Xianglin Liu
;
Zhongying Xu
;
Zhanguo Wang
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
14.
Characterization of MOVPE-grown GaN layers on GaAs (111)B with a cubic-GaN (111) epitaxial intermediate layer
机译:
GaAs(111)B与立方GaN(111)外延中间层的表征Movpe-生长的GaN层
作者:
S. Sanorpim
;
E. Takuma
;
R. Katayama
;
H. Ichinose
;
K. Onabe
;
Y. Shiraki
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
linear defects: dislocations, disclinations;
stacking faults and other planar or extended defects;
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
15.
Hot-electron transport in III-V nitride based two-dimensional gases
机译:
基于III-V氮化物的二维气体热电子传输
作者:
S. A. Vitusevich
;
S. V. Danylyuk
;
B. A. Danilchenko
;
N. Klein
;
S. E. Zelenskyi
;
A. P. Budnik
;
R. V. Didenko
;
A. Yu. Avksentyev
;
V. N. Sokolov
;
H. Luth
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
16.
Hall effect measurement of InAsN alloy films grown directly on GaAs(001) substrates by RF-MBE
机译:
通过RF-MBE直接在GaAs(001)基材上直接生长的InAsn合金薄膜的霍尔效应测量
作者:
M. Kuroda
;
R. Katayama
;
S. Nishio
;
K. Onabe
;
Y. Shiraki
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
17.
Free-standing HVPE-GaN Layers
机译:
free-standing HV PE-Gan layers
作者:
H. Larsson
;
D. Gogova
;
A. Kasic
;
R. Yakimova
;
B. Monemar
;
C. R. Miskys
;
M. Stutzmann
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
18.
Optimization of the growth of Ga_(1-x)Mn_xN epilayers using plasma-assisted MBE
机译:
使用等离子体辅助MBE优化Ga_(1-x)Mn_xn癫痫的生长
作者:
S. Kuroda
;
E. Bellet-Amalric
;
X. Biquard
;
J. Cibert
;
R. Giraud
;
S. Marcet
;
H. Mariette
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
X-ray absorption spectroscopy: EXAFS, NEXAFS, XANES, etc.;
composition and phase identification;
magnetic semiconductors;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
19.
Growth of homoepitaxial Ⅲ-nitride layers on bulk GaN single crystals by molecular-beam epitaxy
机译:
分子束外延散装GaN单晶同源型Ⅲ-氮化物层的生长
作者:
S. Iwata
;
S. Kubo
;
M. Konishi
;
T. Saimei
;
S. Kurai
;
T. Taguchi
;
K. Kainosho
;
A. Yokohata
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
20.
Growth of crack-free high-quality GaN on Si(111) using a low-temperature AlN interlayer: observation of tilted domain structures in the AlN interlayer
机译:
使用低温ALN层间在Si(111)上的无裂缝高质量GaN的生长:观察Aln中间层中的倾斜域结构
作者:
Min-Ho Kim
;
Young-Gu Do
;
Hyon Choi Kang
;
Chel-Jong Choi
;
Do Young Noh
;
Tae-Yeon Seong
;
Seong-Ju Park
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
other semiconductors;
21.
Polarized micro-photoluminescence spectroscopy of GaN nanocolumns
机译:
GaN Nanocolumns的偏振微光致发光光谱
作者:
T. V. Shubina
;
V. N. Jmerik
;
S. V. Ivanov
;
D. D. Solnyshkov
;
N. A. Cherkashin
;
K. F. Karlsson
;
P. O. Holtz
;
A. Waag
;
P. S. Kopev
;
B. Monemar
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
II-VI semiconductors;
22.
Over 200 mW on 365 nm ultraviolet light emitting diode of GaN-free structure
机译:
365nm紫外线发光二极管超过200兆瓦结构
作者:
Daisuke Morita
;
Masahiko Sano
;
Masashi Yamamoto
;
Mitsuhiro Nonaka
;
Katsuhiro Yasutomo
;
Kazuyuki Akaishi
;
Shin-ichi Nagahama
;
Takashi Mukai
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
electroluminescence;
III-V semiconductors;
light-emitting devices;
23.
Strain-engineered novel III-N electronic devices with high quality dielectric/semiconductor interfaces
机译:
具有高质量电介质/半导体界面的应变工程的新型III-N电子器件
作者:
M. Asif Khan
;
M. S. Shur
;
G. Simin
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
electroluminescence;
III-V semiconductors;
light-emitting devices;
24.
The effect of gallium adsorbate on SiC(0001) surface for GaN by MBE
机译:
镓吸附物对MBE的GaN的SiC(0001)表面的影响
作者:
K. Jeganathan
;
M. Shimizu
;
T. Ide
;
H. Okumura
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
25.
Optical study of gallium and nitrogen polarity layers of GaN grown on sapphire
机译:
蓝宝石中甘镓和氮极性层的光学研究
作者:
A. Cros
;
N. V. Joshi
;
T. Smith
;
A. Cantarero
;
G. Martinez-Criado
;
O. Ambacher
;
M. Stutzmann
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
26.
Efficient two-photon absorption of bulk GaN in the near-infrared region
机译:
近红外区域高效两光膜吸收散装甘
作者:
Y. Toda
;
T. Matsubara
;
R. Morita
;
K. Hoshino
;
T. Someya
;
Y. Arakawa
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
27.
Effects of Al composition on luminescence properties of europium implanted Al_xGa_(1-x)N (0 ≤ x ≤ 1)
机译:
Al组合物对铕的发光性质植入Al_XGA_(1-x)n(0≤x≤1)
作者:
Y. Nakanishi
;
A. Wakahara
;
H. Okada
;
A. Yoshida
;
T. Ohshima
;
H. Itoh
;
T. Shibata
;
M. Tanaka
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
defects and impurities;
III-V semiconductors;
etc.;
concentration;
distribution;
implantation;
doping;
28.
The effect of nitrogen on self-assembled GaInNAs quantum dots grown on GaAs
机译:
在GaAs上生长的自组装Gainnas量子点的氮气效应
作者:
A. Nishikawa
;
Y. G. Hong
;
C. W. Tu
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
quantum dots;
III-V semiconductors;
quantum dots;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
29.
Reduction of oxygen contamination in AlN
机译:
ALN中的氧气污染减少
作者:
J. Salzman
;
S. Prawer
;
B. Meyler
;
Y. Golan
;
M. Shandalov
;
R. Sauer
;
N. Teofilov
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
thin film structure and morphology;
III-V semiconductors;
theory and models of crystal growth;
physics of crystal growth;
crystal morphology and orientation;
30.
Electric properties of RF-MBE InGaAsN grown layer
机译:
RF-MBE INGAASN生长层的电性能
作者:
T. Suzuki
;
T. Yamaguchi
;
A. Yamamoto
;
A. Hashimoto
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
theory of electronic transport;
scattering mechanisms;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
31.
Growth of GaN on porous SiC and GaN substrates
机译:
多孔SiC和GaN基板上GaN的生长
作者:
C. K. Inoki
;
T. S. Kuan
;
A. Sagar
;
C. D. Lee
;
R. M. Feenstra
;
D. D. Koleske
;
D. J. Diaz
;
P. W. Bohn
;
I. Adesida
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
porous materials;
granular materials;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
32.
Preferential In-N bond formation in InGaAsN layers
机译:
InGaAsn层中优先的N-N键形成
作者:
M. Uchida
;
A. Masuda
;
A. Yamamoto
;
A. Hashimoto
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
33.
Magnetic properties of the rare-earth-doped semiconductor GaEuN
机译:
稀土掺杂半导体GAEUN的磁性
作者:
H. Tanaka
;
M. Hashimoto
;
S. Emura
;
A. Yanase
;
R. Asano
;
Y.-K. Zhou
;
H. Bang
;
K. Akimoto
;
T. Honma
;
N. Umesaki
;
H. Asahi
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
magnetic semiconductors;
EXAFS spectroscopy;
34.
Structure analysis of ELO-GaN using a 2 x 4 μm~2 micro-beam X-ray of an 8-GeV storage ring
机译:
ELO-GaN的结构分析使用8-GEV储存环的2×4μm〜2微束X射线
作者:
T. Miyajima
;
M. Takeya
;
S. Goto
;
S. Tomiya
;
S. Takeda
;
H. Kurihara
;
K. Watanabe
;
M. Kato
;
N. Hara
;
Y. Tsusaka
;
J. Matsui
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
35.
Doping design of GaN-based heterostructure field-effect transistors with high electron density for high-power applications
机译:
高功率应用具有高电子密度的GaN的异质结构场效应晶体管掺杂设计
作者:
Narihiko Maeda
;
Takehiko Tawara
;
Tadashi Saitoh
;
Kotaro Tsubaki
;
Naoki Kobayashi
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
field effect devices;
36.
High-voltage rf operation of AlGaN/GaN heterojunction FETs
机译:
AlGaN / GaN异质结FET的高压RF操作
作者:
M. Kuzuhara
;
H. Miyamoto
;
Y. Ando
;
T. Inoue
;
Y. Okamoto
;
T. Nakayama
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
amplifiers;
field effect devices;
37.
Fabrication of native, single-crystal AlN substrates
机译:
制造天然,单晶ALN基板
作者:
L. J. Schowalter
;
G. A. Slack
;
J. B. Whitlock
;
K. Morgan
;
S. B. Schujman
;
B. Raghothamachar
;
M. Dudley
;
K. R. Evans
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
methods of crystal growth;
physics of crystal growth;
38.
Evolution of AlN buffer layers on silicon and effects on the properties of epitaxial GaN films
机译:
AlN缓冲层对硅的进化及对外延GaN膜性能的影响
作者:
K. Y. Zang
;
S. J. Chua
;
L. S. Wang
;
C. V. Thompson
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
atomic force microscopy (AFM);
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
nucleation and growth: microscopic aspects;
structure and morphology;
thickness;
crystalline orienta;
39.
Narrow bandgap group Ⅲ-nitride alloys
机译:
窄带隙组Ⅲ-氮化物合金
作者:
J. Wu
;
W. Walukiewicz
;
K. M. Yu
;
J. W. Ager III
;
E. E. Haller
;
Hai Lu
;
William J. Schaff
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
infrared and raman spectra;
III-V semiconductors;
40.
Blue light-emitting diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
机译:
由等离子辅助分子束外延生长的蓝色发光二极管
作者:
Hitoshi Sato
;
Patrick Waltereit
;
Daniel S. Green
;
Christiane Poblenz
;
Thomas Katona
;
Steven P. DenBaars
;
James S. Speck
;
Hitoshi Tamura
;
Chihiro Funaoka
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
electroluminescence;
41.
High-quality AlN epitaxial films on (0001)-faced sapphire and 6H-SiC substrate
机译:
(0001)上的高质量ALN外延薄膜 - 漂移的蓝宝石和6H-SiC衬底
作者:
T. Shibata
;
K. Asai
;
S. Sumiya
;
M. Mouri
;
M. Tanaka
;
O. Oda
;
H. Katsukawa
;
H. Miyake
;
K. Hiramatsu
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
III-V semiconductors;
42.
A novel fabrication method for a 64 x 64 matrix-addressable GaN-based micro-LED array
机译:
一种用于64×64矩阵可寻址GaN的微LED阵列的新型制造方法
作者:
C.-W. Jeon
;
H. W. Choi
;
M. D. Dawson
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
light-emitting devices;
43.
Low-frequency noise characterizations on Ni/GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers
机译:
沉积在中温缓冲层上Ni / GaN肖特基二极管的低频噪声特性
作者:
W. K. Fong
;
B. H. Leung
;
C. Surya
;
L. W. Lu
;
W. K. Ge
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
surface double layers;
noise processes and phenomena;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
work functions;
schottky barriers;
44.
Thermal effects of substrates on the performance of AlGaN/GaN HFETs
机译:
基材对AlGaN / GaN HFET性能的热效应
作者:
Jeong Park
;
Chin C. Lee
;
J. W. Kim
;
J. S. Lee
;
W. J. Hwang
;
M. W. Shin
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
composition, segregation;
defects and impurities;
impurity and defect levels;
energy states of adsorbed species;
field effect devices;
45.
Recombination dynamics in low-dimensional nitride semiconductors
机译:
低维氮化物半导体中的重组动力学
作者:
Y. Kawakami
;
A. Kaneta
;
K. Omae
;
A. Shikanai
;
K. Okamoto
;
G. Marutsuki
;
Y. Narukawa
;
T. Mukai
;
Sg. Fujita
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
near-field scanning microscopy and spectroscopy;
46.
Improved optical properties using self-organized GaN nanotip structure
机译:
利用自组织GaN纳米坡结构改善光学性能
作者:
H. Yamaji
;
Y. Terada
;
H. Yoshida
;
H. Miyake
;
K. Hiramatsu
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
optical properties of bulk materials and thin films;
III-V semiconductors;
self-assembly;
47.
Metal organic vapor phase epitaxy and Raman spectroscopy of InN for nanostructure applications
机译:
金属有机气相外延和纳米结构应用INN的拉曼光谱
作者:
Olivier Briot
;
Benedicte Maleyre
;
Sandra Ruffenach
;
Claire Pinquier
;
Francois Demangeot
;
Jean Frandon
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
quantum dots;
48.
Superlattice stacking structure in InGaN thin film pseudomorphic to GaN (0001) substrate: semigrand canonical Monte Carlo simulation
机译:
IngaN薄膜假形式的超晶格堆叠结构对GaN(0001)衬底:半重建典型蒙特卡罗模拟
作者:
Atsushi Mori
;
Tomonori Ito
;
Yoshihiro Kangawa
;
Akinori Koukitu
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
inorganic compounds;
solubility, segregation, and mixing;
phase separation;
composition and phase identification;
superlattices;
phase diagrams of other materials;
49.
PVT growth of bulk AlN crystals with low oxygen contamination
机译:
PVT散氧污染块状晶体的生长
作者:
M. Bickermann
;
B. M. Epelbaum
;
A. Winnacker
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
impurity concentration, distribution, and gradients;
III-V and II-VI semiconductors;
semiconductors;
III-V semiconductors;
growth from vapor;
50.
Determination of dislocation density in epitaxially grown GaN using an HCl etching process
机译:
使用HCl蚀刻工艺确定外延生长的GaN中位错密度的测定
作者:
F. Habel
;
M. Seyboth
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
atomic force microscopy (AFM);
surface cleaning, etching, patterning;
51.
Characterization of the GaN-rich side of GaNP grown by metal-organic chemical vapor deposition
机译:
金属 - 有机化学气相沉积甘草甘氏富甘侧表征
作者:
Yuhzoh Tsuda
;
Hirokazu Mouri
;
Masahiro Araki
;
Yoshihiro Ueta
;
Takayuki Yuasa
;
Mototaka Taneya
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
X-ray reflectometry (surfaces, interfaces, films);
III-V semiconductors;
52.
Visible red light emission from Eu-doped GaN quantum dots grown by plasma-assisted MBE
机译:
由等离子辅助的MBE生长的欧盟掺杂GaN量子点的可见红光发射
作者:
Y. Hori
;
F. Enjalbert
;
D. Jalabert
;
E. Monroy
;
Le Si Dang
;
X. Biquard
;
M. Tanaka
;
O. Oda
;
B. Daudin
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
quantum dots;
quantum dots;
quantum dots;
53.
Oxygen doping of c-plane GaN by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
金属化学气相沉积通过氧气掺杂C平面GaN
作者:
Sten Heikman
;
Stacia Keller
;
Steven P. DenBaars
;
Umesh K. Mishra
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
54.
Violet and UV light-emitting diodes grown on ZrB_2 substrate
机译:
在ZrB_2衬底上生长的紫罗兰和紫外发光二极管
作者:
S. Kamiyama
;
S. Takanami
;
Y. Tomida
;
K. Iida
;
T. Kawashima
;
S. Fukui
;
M. Iwaya
;
H. Kinoshita
;
T. Matsuda
;
T. Yasuda
;
S. Otani
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
quantum wells;
light-emitting devices;
55.
Cracks and dislocation structures in AlGaN systems
机译:
AlGaN系统中的裂缝和位错结构
作者:
I. L. Maksimov
;
H. D. Li
;
T. Sugahara
;
M. Tsukihara
;
A. Mori
;
S. Sakai
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
56.
Influence of Sb surfactant on the structural and optical properties of InGaAsN/GaAs multi-quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
Sb表面活性剂对金属化学气相沉积种植的InGaASN / GaAs多量子孔结构和光学性质的影响
作者:
J. Y. Park
;
T. S. Kim
;
T. V. Cuong
;
C. S. Park
;
C.-H. Hong
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
quantum wells;
57.
Influence of doping concentration on DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate
机译:
掺杂浓度对AlGaN / GaN Hemts对硅衬底的影响的影响
作者:
M. Marso
;
P. Javorka
;
Y. Dikme
;
H. Kalisch
;
J. Bernat
;
C. Schaefer
;
B. Schineller
;
A. v.d. Hart
;
M. Wolter
;
A. Fox
;
R. H. Jansen
;
M. Heuken
;
P. Kordos
;
H. Lueth
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
field effect devices;
58.
High efficiency GaN-based LEDs using plasma selective treatment of p-GaN surface
机译:
使用血浆选择性处理P-GaN表面的高效GaN的LED
作者:
Young-Bae Lee
;
Ryohei Takaki
;
Hisao Sato
;
Yoshiki Naoi
;
Shiro Sakai
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
etching and cleaning;
59.
Thermoelectric properties of Al_(1-x)In_xN and InO_sN_t prepared by reactive radio frequency sputtering
机译:
通过无功射频溅射制备的AL_(1-X)和INO_SN_T的热电性能
作者:
S. Yamaguchi
;
R. Izaki
;
K. Yamagiwa
;
K. Taki
;
Y. Iwamura
;
A. Yamamoto
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
thermoelectric and thermomagnetic effects;
III-V semiconductors;
60.
Analysis of InGaN/GaN single quantum wells by X-ray scattering and transmission electron microscopy
机译:
X射线散射和透射电子显微镜的IngaN / GaN单量子阱分析
作者:
T. M. Smeeton
;
M. J. Kappers
;
J. S. Barnard
;
M. E. Vickers
;
C. J. Humphreys
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
X-ray reflectometry (surfaces, interfaces, films);
X-ray diffraction;
semiconductors;
III-V semiconductors;
quantum wells;
61.
GaInNP MQW structure LED grown by laser-assisted MOCVD
机译:
GAINNP MQW结构LED通过激光辅助MOCVD种植
作者:
S. Yoshida
;
J. Li
;
Y. Itoh
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
light-emitting devices;
62.
Electronic Raman scattering from intersubband transitions in GaN/AlGaN quantum wells
机译:
从GaN / AlGan量子井的Intersubband转换中的电子拉曼散射
作者:
M. P. Halsall
;
B. Sherliker
;
P. Harrison
;
V. D. Jovanovic
;
D. Indjin
;
Z. Ikonic
;
T. Wang
;
M. A. Whitehead
;
P. J. Parbrook
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
quantum wells;
III-V and II-VI semiconductors;
63.
Improved crystallinity and polarity manipulation of MOVPE-grown GaN epilayers with deep sapphire-nitridation followed by Al-preflow at high temperatures
机译:
具有深蓝宝石 - 氮化的Movpe-生长的GaN癫痫仪的结晶度和极性操纵,然后在高温下预先耕作
作者:
B. W. Seo
;
Y. Ishitani
;
A. Yoshikawa
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
atomic force microscopy (AFM);
semiconductor surfaces;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
64.
Reduction of the bowing in MOVPE AlGaN/GaN HEMT structures by using an interlayer insertion method
机译:
通过使用层间插入方法减少MOVPE AlGaN / GaN HEMT结构的弯曲
作者:
M. Sakai
;
T. Egawa
;
H. Ishikawa
;
T. Jimbo
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
multilayers;
65.
Characterization of MOVPE grown AlN/GaN heterointerfaces by grazing incidence X-ray reflectivity Alloy formation at heterointerfaces
机译:
通过在异元植物中放牧入射X射线反射率合金形成的Movpe生长Aln / GaN异化蔗糖的表征
作者:
Masanobu Hiroki
;
Naoki Kobayashi
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
X-ray reflectometry (surfaces, interfaces, films);
interface structure and roughness;
III-V semiconductors;
methods of crystal growth;
physics of crystal growth;
66.
Microstructure and electronic properties of InGaN alloys
机译:
Ingan合金的微观结构和电子性质
作者:
F. A. Ponce
;
S. Srinivasan
;
A. Bell
;
L. Geng
;
R. Liu
;
M. Stevens
;
J. Cai
;
H. Omiya
;
H. Marui
;
S. Tanaka
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
composition and phase identification;
piezoelectricity and electromechanical effects;
67.
Dependences of GaN polarity on the growth temperatures of migration-enhanced-epitaxy-grown AlN in MOVPE
机译:
GaN极性对MOVPE中迁移增强外延生长ALN生长温度的依赖性
作者:
B. Cao
;
K. Xu
;
B. W. Seo
;
S. Arita
;
S. Nishida
;
Y. Ishitani
;
A. Yoshikawa
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
atom, molecule, and ion scattering;
semiconductor surfaces;
nucleation and growth: microscopic aspects;
III-V semiconductors;
68.
High resolution near-field spectroscopy investigation of tilted InGaN quantum wells
机译:
倾斜IngaN量子阱的高分辨率近场光谱研究
作者:
F. Hitzel
;
U. Ahrend
;
N. Riedel
;
U. Rossow
;
A. Hangleiter
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
near-field scanning microscopy and spectroscopy;
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
69.
Nitrides as spintronic materials
机译:
氮化物作为旋流材料
作者:
Tomasz Dietl
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
spin relaxation and scattering;
magnetic semiconductors;
III-V semiconductors;
70.
Annealing studies of Si-implanted Al_(0.25)Ga_(0.75)N
机译:
Si-incormanted Al_(0.25)Ga_(0.75)n的退火研究
作者:
Mee-Yi Ryu
;
E. A. Chitwood
;
E. N. Claunch
;
Y. K. Yeo
;
R. L. Hengehold
;
J. A. Fellows
;
T. Steiner
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
85.40.Ry;
71.
Coupling of optical modes in GaN-based laser-diodes
机译:
基于GaN的激光二极管光学模式的耦合
作者:
S. Einfeldt
;
S. Figge
;
T. Boettcher
;
D. Hommel
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
III-V semiconductors;
light-emitting devices;
72.
Drain current DLTS of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
排水电流DLT AlGaN / GaN Hemts
作者:
T. Mizutani
;
T. Okino
;
K. Kawada
;
Y. Ohno
;
S. Kishimoto
;
K. Maezawa
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
field effect devices;
73.
Optical properties of GaN/AlN quantum boxes under high photo-excitation
机译:
高光励磁下GaN / Aln Quantum盒的光学性质
作者:
S. Kalliakos
;
T. Bretagnon
;
P. Lefebvre
;
S. Juillaguet
;
T. Taliercio
;
P. Valvin
;
B. Gil
;
N. Grandjean
;
A. Dussaigne
;
B. Damilano
;
J. Massies
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
quantum dots;
74.
High transconductance AlGaN/GaN-HEMT with recessed gate on sapphire substrate
机译:
蓝宝石衬底上具有凹陷闸门的高跨导AlGaN / GaN-HEMT
作者:
Hideyuki Okita
;
Katsuaki Kaifu
;
Juro Mita
;
Tomoyuki Yamada
;
Yoshiaki Sano
;
Hiroyasu Ishikawa
;
Takashi Egawa
;
Takashi Jimbo
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
field effect devices;
75.
TEM analysis of threading dislocations in crack-free Al_xGa_(1-x)N grown on an AlN(0001) template
机译:
在ALN(0001)模板上生长的无裂缝AL_XGA_(1-X)N中的裂缝脱位的TEM分析
作者:
N. Kuwano
;
T. Tsuruda
;
Y. Kida
;
H. Miyake
;
K. Hiramatsu
;
T. Shibata
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
76.
InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes on an AlN/sapphire template by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属化学气相沉积在ALN /蓝宝石模板上INGAN多量子孔发光二极管
作者:
Baijun Zhang
;
Takashi Egawa
;
Yang Liu
;
Hiroyasu Ishikawa
;
Takashi Jimbo
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
light-emitting devices;
77.
Ultra-flat and high-quality AlN thin films on sapphire (0001) substrates grown by rf-MBE
机译:
由RF-MBE生长的蓝宝石(0001)基板上的超平板和优质ALN薄膜
作者:
X. Q. Shen
;
Y. Tanizu
;
T. We
;
H. Okumura
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
atomic force microscopy (AFM);
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epita;
78.
Influence of lattice constraint from InN and GaN substrate on relationship between input mole ratio and solid composition of InGaN during MOVPE
机译:
晶格约束与GaN衬底对MovPE期间InGaN的输入摩尔比与固体组成的影响
作者:
Y. Kangawa
;
T. Ito
;
Y. Kumagai
;
A. Koukitu
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
theory of crystal structure, crystal symmetry;
calculations and modeling;
III-V semiconductors;
theory and models of film growth;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
79.
Low-energy electron-beam irradiation of GaN-based quantum well structures
机译:
GaN基量子井结构的低能电子射线照射
作者:
U. Jahn
;
S. Dhar
;
H. Kostial
;
I. M. Watson
;
K. Fujiwara
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
quantum wells;
80.
Photoluminescence and Raman study of hexagonal InN and In-rich InGaN alloys
机译:
六角形宾馆和富含Ingan合金的光致发光和拉曼研究
作者:
V. Yu. Davydov
;
A. A. Klochikhin
;
V. V. Emtsev
;
A. N. Smirnov
;
I. N. Goncharuk
;
A. V. Sakharov
;
D. A. Kurdyukov
;
M. V. Baidakova
;
V. A. Vekshin
;
S. V. Ivanov
;
J. Aderhold
;
J. Graul
;
A. Hashimoto
;
A. Yamamoto
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
81.
Microwave-aided transport measurements on high-density two-dimensional electron systems confined at AlGaN/GaN heterointerfaces
机译:
在AlGaN / GaN异化蔗种上限制的高密度二维电子系统上的微波辅助运输测量
作者:
D. R. Hang
;
C. F. Huang
;
Y. F. Chen
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
82.
Carrier transport and recombination in InGaN/GaN heterostructures, studied by optical four-wave mixing technique
机译:
IngaN / GaN异质结构中的载体传输和重组,通过光学四波混合技术研究
作者:
R. Aleksiejunas
;
M. Sudzius
;
V. Gudelis
;
T. Malinauskas
;
K. Jarasiunas
;
Q. Fareed
;
R. Gaska
;
M. S. Shur
;
J. Zhang
;
J. Yang
;
E. Kuokstis
;
M. A. Khan
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
nondestructive testing: optical methods;
83.
Amorphous GaN: Zn films deposited by molecular beam deposition for blue electroluminescent devices
机译:
无定形GaN:由蓝电致发光器件的分子束沉积沉积的Zn膜
作者:
T. Honda
;
K. Shimanuki
;
M. Akiyama
;
Y. Amahori
;
H. Kimura
;
H. Kawanishi
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
84.
Influence of oxygen on luminescence and vibrational spectra of Mg-doped GaN
机译:
氧气对Mg掺杂GaN发光和振动光谱的影响
作者:
Yasuo Koide
;
D. E. Walker Jr.
;
B. D. White
;
L. J. Brillson
;
T. Itoh
;
R. L. McCreery
;
Masanori Murakami
;
S. Kamiyama
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
85.
Annealing effects of ZnO films deposited on (0001) A1_2O_3 and (111) Si substrate by RF sputtering and GaN layer grown on ZnO films used as buffer layer by MOCVD
机译:
ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
作者:
S.-R. Jeon
;
M.-A. Yu
;
S. K. Shim
;
G. M. Yang
;
S. J. Son
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
other semiconductors;
86.
Influence of excited states of Mg acceptors on hole concentration in GaN
机译:
MG受体兴奋状态对GaN孔浓度的影响
作者:
H. Matsuura
;
D. Katsuya
;
T. Ishida
;
S. Kagamihara
;
K. Aso
;
H. Iwata
;
T. Aki
;
S.-W. Kim
;
T. Shibata
;
T. Suzuki
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
87.
Si doping effects on the electrical and structural properties of high Al composition Al_xGa_(1-x)N films grown by MOCVD
机译:
SI掺杂对MOCVD生长的高Al组合物Al_xga_(1-x)N的电气和结构性能
作者:
P. Cantu
;
S. Keller
;
F. Wu
;
P. Waltereit
;
A. E. Romanov
;
U. K. Mishra
;
J. S. Speck
;
S. P. DenBaars
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
88.
Investigation of traps in AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate
机译:
硅衬底上的Algan / GaN Hemts陷阱研究
作者:
M. Wolter
;
M. Marso
;
P. Javorka
;
J. Bernat
;
R. Carius
;
H. Lueth
;
P. Kordos
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
III-V semiconductors;
impurity and defect levels;
energy states of adsorbed species;
field effect devices;
89.
Refractive indices of B_xAl_(1-x)N (x = 0-0.012) and B_yGa_(1-y)N (y = 0-0.023) epitaxial layers in ultraviolet region
机译:
紫外区域中的B_AL_(1-x)n(x = 0-0.012)和b_yga_(1-y)n(y = 0-0.023)外延层的折射率
作者:
Shunsuke Watanabe
;
Takayohi Takano
;
Keisuke Jinen
;
Jun Yamamoto
;
Hideo Kawanishi
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
90.
Heat generation and dissipation in GaN-based light emitting devices
机译:
GaN的发光器件中的发热和耗散
作者:
Stephan Figge
;
Tim Boettcher
;
Detlef Hommel
;
Christoph Zellweger
;
Marc Ilegems
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
structural modeling;
thermal properties of crystalline solids;
III-V semiconductors;
computer simulation;
serial-addition models;
91.
Exciton-exciton correlation effects on FWM in GaN
机译:
甘甘杆菌激素的相关效应
作者:
Satoru Adachi
;
Hirotaka Sasakura
;
Shunichi Muto
;
Kouji Hazu
;
Takayuki Sota
;
Shigefusa F. Chichibu
;
Takashi Mukai
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
intrinsic properties of excitons;
optical absorption spectra;
III-V semiconductors;
time-resolved opt;
92.
MOCVD growth and optical investigation of the AlInGaN quaternary system
机译:
化工第四纪系统的MOCVD生长和光学研究
作者:
T. Wang
;
P. J. Parbrook
;
M. A. Whitehead
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
93.
Growth of high-quality GaN on FACELO substrate by raised-pressure HVPE
机译:
通过凸起压力HVPE在FaceLo衬底上高质量GaN的成长
作者:
S. Bohyama
;
K. Yoshikawa
;
H. Naoi
;
H. Miyake
;
K. Hiramatsu
;
T. Maeda
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
94.
Reduction of leakage current of p-n junction by using air-bridged lateral epitaxial growth technique
机译:
通过使用空气桥接横向外延生长技术来减少P-N结的漏电流
作者:
A. Yamada
;
Y. Kawaguchi
;
T. Yokogawa
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
conductivity phenomena in semiconductors and insulators;
95.
The fabrication of GaN-based optical cavity mirrors by focused ion beam milling
机译:
通过聚焦离子束铣削制造GaN基光腔镜
作者:
Qian Ren
;
Bei Zhang
;
Jun Xu
;
YanBo Jin
;
Zhijian Yang
;
XiaoDong Hu
;
ZhiXin Qin
;
ZhiZhong Chen
;
XiaoMin Ding
;
YuZhen Tong
;
ZhenSheng Zhang
;
GuoYi Zhang
;
DaPeng Yu
;
ZiZhao Gan
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
III-V semiconductors;
polishing, grinding, surface finishing;
optoelectronic device characterization;
modeling;
design;
96.
Exciton localization in InGaN/GaN single quantum well structures
机译:
IngaN / GaN单量子井结构中的激子定位
作者:
D. M. Graham
;
A. Soltani Vala
;
P. Dawson
;
M. J. Godfrey
;
M. J. Kappers
;
T. M. Smeeton
;
J. S. Barnard
;
C. J. Humphreys
;
E. J. Thrush
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
|
2003年
关键词:
excitons and related phenomena;
III-V semiconductors;
quantum wells;
97.
High performance Schottky UV detectors (265-100 nm) using n-Al_(0.5)Ga_(0.5)N on AlN epitaxial layer
机译:
高性能肖特基紫外探测器(265-100nm)在ALN外延层上使用N-AL_(0.5)GA_(0.5)n
作者:
H. Miyake
;
H. Yasukawa
;
Y. Kida
;
K. Ohta
;
Y. Shibata
;
A. Motogaito
;
K. Hiramatsu
;
Y. Ohuchi
;
K. Tadatomo
;
Y. Hamamura
;
K. Fukui
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
surface double layers;
photoconduction and photovoltaic effects;
photodetectors (including infrared and CCD detectors);
work functions;
schottky barriers;
98.
strain effects on Auger electron spectroscopy in different regions of epitaxial-lateral-overgrowth GaN
机译:
基于外延 - 过度过度农业外延 - 过度农业区不同地区螺旋钻电子光谱的应变效应
作者:
Duanjun Cai
;
Junyong Kang
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
mechanical and acoustical properties;
density functional theory;
electron impact: auger emission;
III-V semiconductors;
gradient and other corrections;
local density approximation;
99.
Comparison of magnetic properties of GaMnN thin films grown by NH_3-MBE at different growth temperatures
机译:
NH_3-MBE在不同生长温度下生长的GAMNN薄膜磁性特性的比较
作者:
P. P. Chen
;
H. Makino
;
J. J. Kim
;
T. Yao
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
III-V semiconductors;
magnetic properties of monolayers and thin films;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
100.
Thermal conductivity of GaN crystals grown by high pressure method
机译:
高压法生长的GaN晶体的导热系数
作者:
A. Jezowski
;
P. Stachowiak
;
T. Plackowski
;
T. Suski
;
S. Krukowski
;
M. Bockowski
;
I. Grzegory
;
B. Danilchenko
;
T. Paszkiewicz
会议名称:
《International conference on nitride semiconductors》
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2003年
关键词:
heat capacity;
thermal waves;
III-V semiconductors;
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