纳米硅

摘要： 目的:通过盆栽试验探究复混肥中添加不同量纳米硅对水稻生长的影响,同时研究叶面喷施纳米叶面阻隔水稻阻隔重金属镉的效果。基于此,考察综合利用纳米硅的两种不同施用方法对水稻生长及阻隔镉吸收的效果。方法:利用长沙重金属镉污染土壤种植水稻,在水稻分蘖期、抽穗前期喷施纳米硅叶面阻隔剂。叶面阻隔剂浓度为0.1 g/L、0.5 g/L和0.8 g/L,考察水稻籽粒中的重金属镉的含量。复混肥中添加质量比为1%的非纳米硅藻土和纳米硅藻土。与不添加硅藻土的普通复混肥对比,利用普通种植土种植水稻,考察水稻生长性状。在长沙重金属镉污染的农田实施试验,综合考察叶面喷施纳米硅藻土和添加纳米硅藻土的复混肥对水稻产量和稻米中镉含量的影响。结果:结果表明,添加纳米硅藻土的复混肥能提高水稻植株干重,在纳米硅藻土添加1%的情况下,氮磷钾的利用率提供了53.80%,植株总干重提高50.04%,根系干重提高185%。喷施两次纳米硅藻土后,水稻中镉含量显著(P 0.05)降低,与对照相比,浓度为0.1 g/L、0.5 g/L和0.8 g/L纳米硅藻土喷施后各处理茎叶和籽粒中镉含量分别降低了15.84%、6.93%、3.96%和53.85%、23.80%、38.47%。大田实验的结果表明,同时施用叶面阻隔剂和含有纳米硅的复合肥与当地施用普通的复合肥相比较,水稻精米中的镉含量降低了58.8%,产量增加27%。结论:从研究结果可以看出,叶面喷施纳米硅藻土的同时施用含有纳米硅藻土的复混肥能增加水稻产量、阻隔水稻对重金属镉的吸收,提高稻米品质。

摘要： 采用射频(RF)等离子体增强化学气相沉积系统制备了硅/二氧化硅多层膜样品,在异质结限制性晶化作用下得到了尺寸均匀的磷/硼共掺杂纳米硅。通过拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了磷/硼共掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜的微观结构和杂质的分布特点。低温电子顺磁共振(EPR)结果表明,磷、硼杂质可以改变纳米硅的表面化学结构并充分钝化表面处的非辐射复合缺陷。Hall效应测试发现磷和硼杂质可替位式地掺入到纳米硅的内部,且磷杂质具有更高的掺杂效率;通过改变磷硼杂质的掺杂比例可以调控纳米硅的导电类型和载流子浓度。在小尺寸磷/硼共掺杂纳米硅中获得了1 200 nm处满足光通信波段的近红外发光,并通过调控磷的掺杂浓度实现了近红外发光的增强。通过时间分辨荧光光谱测试,结合EPR结果探讨了磷掺杂对纳米硅内部辐射复合和非辐射复合过程的调控使1 200 nm发光增强的物理机制。

摘要： 纳米硅(Si)具有较高的充放电比容量,被认为是下一代锂离子电池最有前途的负极材料之一。然而,由于初始库仑效率低,严重限制了Si的实际应用。采用锗(Ge)对Si进行掺杂改性,并采用硼(B)和硫化锂(Li_(2)S)作为对比研究,分别记为Si-Ge、Si-B和Si-Li_(2)S。X射线衍射测试表明四种材料均在28°处有一个明显晶体硅的特征衍射峰。Si的首次放电比容量为2640.5 mAh/g,首次充电比容量为437.6 mAh/g,首次充放电效率为16.6%。添加锗改性材料Si-Ge的首次放电比容量为2415.2 mAh/g,首次充电比容量为1191.7 mAh/g,首次充放电效率为49.3%,在首次充放电效率方面有显著提升。经交流阻抗测试表明Si-Ge的电荷转移阻抗R_(ct)为136.7Ω显著小于Si的465.4Ω,表明材料的导电性能提高。

摘要： 锂离子电池因具有高能量密度、长循环寿命和低自放电等特点,被认为是最有前景的储能设备之一。硅(Si)负极材料因极高的理论可逆比容量成为锂离子电池负极材料的研究热点。但硅负极的导电率低且循环过程中易粉化等不足阻碍了其进一步发展。本文以新型导电MXene材料Ti_(3)C_(2)为基体,在模板剂的导向下将硅源引入MXene层间并发生水解缩合生成二氧化硅(SiO_(2));接着通过热处理形成SiO_(2)/C/MXene复合物;随后采用高温镁热还原将SiO_(2)还原成纳米Si,成功获得Si@C/MXene材料。所得复合材料中含有12%(At.%)的硅纳米粒子,包裹C的Si纳米粒子均匀得生长在MXene材料的片层间,形成共组装结构。复合材料在用作锂离子负极材料时,表现出良好的充放电性能,首圈比容量达到851mAh·g^(-1)。并且,在不同电流密度下,Si@C/MXene材料均表现出比未还原的SiO_(2)/C/MXene材料更好的储锂性能。

摘要： 以二氧化硅、草酸锰为原料,采用镁热还原法成功合成了硅/硅锰合金复合材料。采用X射线衍射、扫描电子显微镜表征结构与形貌,表明所制备材料成分为硅、Mn15Si26合金、无定形碳,材料结构为纳米硅颗粒与Mn15Si26块体构成的多孔微球。Mn15Si26和多孔结构提高材料机械性能,无定形碳改善材料界面稳定性。测试表明硅/硅锰合金/碳复合材料在500mA·g-1电流密度下循环200次后容量保持率为84%,当电流密度为5000mA·g-1时,可逆比容量高达1352mAh·g-1。

摘要： 硅颗粒的低负载量及其与石墨基体的弱相互作用严重制约了硅/石墨负极材料的商业化应用.本研究通过浓硫酸和高锰酸钾的氧化处理增大石墨基体的比表面积,利用十二烷基苯磺酸钠作为表面活性剂,改善纳米硅与氧化石墨湿法混合的均匀性,采用柠檬酸催化蔗糖碳源的水解,以便热解后在复合材料表面形成完整的炭包覆层.XRD与SEM分析表明,改进的炭包覆工艺可促进氧化石墨的还原,获得高石墨化度的碳硅复合材料,并实现硅颗粒在石墨基体中的均匀分散.上述协同效应使炭包覆的纳米硅/石墨负极材料在100 mA·g-1的电流密度下循环100圈后比容量仍能稳定在400 mAh·g-1左右,在提升比容量的基础上,有效抑制了硅在循环过程中的体积膨胀.

摘要： 以二氧化硅、草酸锰为原料,采用镁热还原法成功合成了硅/硅锰合金复合材料.采用X射线衍射、扫描电子显微镜表征结构与形貌,表明所制备材料成分为硅、Mn15Si26合金、无定形碳,材料结构为纳米硅颗粒与Mn15Si26块体构成的多孔微球.Mn15Si26和多孔结构提高材料机械性能,无定形碳改善材料界面稳定性.测试表明硅/硅锰合金/碳复合材料在500mA·g-1电流密度下循环200次后容量保持率为84％,当电流密度为5000mA·g-1时,可逆比容量高达1352mAh·g-1.

摘要： 锂离子电池作为一种绿色环保的储能器件,在许多领域得到了广泛应用,如手机、笔记本、摄像机、医疗器械等便携式电子器件以及新能源电动汽车等.特别地,随着社会的进步、人类的发展,能源枯竭、石油危机、汽车尾气排放等问题日趋严峻,新能源动力汽车异军突起,而锂离子电池作为动力电池的最优选择,其能量密度的提升对推动新能源动力汽车领域的发展具有重大意义.锂离子电池电极材料是限制其能量密度的关键因素.目前,锂离子电池所采用的负极材料为石墨,其理论比容量仅为372 mAh/g.在众多新型负极材料中,硅材料因具有4200 mAh/g的超高理论比容量而备受研究者瞩目,但是硅材料自身存在导电率低、体积膨胀大、结构不稳定等问题,导致其电化学性能不佳.研究者们主要通过将硅材料纳米化来提高其结构稳定性及循环稳定性.当前,纳米硅材料的制备方法主要有化学气相沉积法、等离子蒸发冷凝法及机械球磨法,但是普遍存在对设备要求条件苛刻、制备成本高、流程复杂等问题.实现纳米硅的短流程、低成本制备,对于推动硅基负极,特别是硅碳复合负极的商业化应用具有重要意义.本文重点综述了基于金属热还原特别是镁热还原法制备的纳米硅在锂离子电池中的研究进展,分析了采用金属热还原制备纳米硅的技术优势,总结了近年来镁热还原制备的纳米硅基负极材料的性能,展望了金属热还原技术低成本制备纳米硅材料的发展前景.

摘要： 环氧地坪涂料由于具有易施工、整体无缝、美观等特点,在不同行业和领域获得广泛地应用.但是由于材料本身的特性决定,其耐用性能不足,特别是地下工程渗漏水部位,易出现脱皮、空鼓、开裂等工程质量问题,以及防滑性能差、气味难闻等用户体验差现象.高渗透纳米硅超硬耐磨地坪是采用具有特殊纳米结构的纳米硅渗透固化剂作为地坪材料,其纳米颗粒渗入混凝土后,对水泥及其水化产物具有快速激发作用,并反应形成结晶体能够填补混凝土表面和内部孔隙,形成永久密封混凝土的整体表面结构,达到增强、耐磨、防起尘、抗渗的作用.将纳米硅渗透固化剂应用到工业或民用建筑的地坪施工中,能够永久性提高混凝土的硬度、强度、耐磨性能和美观程度,并且无尘、易清洁、易维护.

摘要： 采用化学气相沉积法,通过在纳米硅表面原位制备碳层而获得具有坚固核壳结构的nano-Si@C锂离子电池负极材料,该材料能有效克服硅负极在充放电过程中出现的体积变化大和电导率低的问题。实验结果表明,nano-Si@C具有优良的电化学性能,首次库伦效率为87.0%,循环100次仍能保持高比容量(1 133 mA·h·g^(-1))和高容量保持率。循环前后的透射电子显微镜(transmission electron microscopy, TEM)结果证明,紧密坚固的核壳结构使nano-Si@C在充放电过程中保持较好的结构稳定性,有利于电极的循环稳定。

摘要： 近年来,硅基的非线性光学器件取得了重大进展,如硅基拉曼激光器、放大器、信号发生器、光开关和波长转换器等器件相继研制成功,极大地推动了硅基光电集成的发展及向实用化前进.然而,单晶硅具有中心反演对称结构,不存在直接的光电效应,只有较弱的克尔效应,且在光通信与光互连的近红外区域(1260～1625nm)具有较强的双光子吸收系数.一方面,双光子吸收产生的自由载流子散射和自由载流子吸收,不但会减弱克尔效应,还会产生较大的非线性光学损耗;另一方面,自由载流子的复合过程相对较慢,一般在毫秒(ms)量级.这就在一定程度上降低了器件的性能,例如调制速率、增益带宽、波长转换效率等,从而限制了体硅材料在半导体光学器件中的应用.而通过制备纳米硅量子点(nc-Si),可以提高硅基材料的非线性光学效应,并显著改善器件的性能.虽然nc-Si材料的非线性光学折射率系数得到了提高,但是其TPA系数也相应增大,而且载流子的复合速率仍然较慢.基于此,本文利用磷(P)掺杂来改变纳米硅/二氧化硅(nc-Si/SiO2)多层膜的非线性光学特性和超快复合过程.实验结果表明,通过对nc-Si进行P掺杂,可以有效地改变nc-Si界面态和深能级的密度,使nc-Si材料的非线性吸收系数降低4倍左右,而且非线性吸收系数随P掺杂浓度的增加逐渐减小.进一步,采用泵浦―探测技术对nc-Si/SiO2多层膜的超快光学过程进行了初步测量,通过控制P的掺杂浓度,有效地改变载流子的超快复合过程,使载流子较慢的复合寿命由120ps减小至15ps,调节范围达到100ps左右.同时,对掺杂调控nc-Si/SiO2多层膜非线性光学特性和超快复合过程的机理进行了分析.

摘要： 为了探究不同骨料对掺微硅和纳米硅砂浆强度的影响,本研究用河砂、优质石英砂、重晶石砂分别作为细骨料,制备水胶比为0.2,掺5％微硅和/或0.5％纳米硅的砂浆,并进行了迷你扩展度试验和立方体抗压强度试验.为确保各组新拌砂浆均具有较好的工作性能,各组砂浆的减水剂剂量通过试配确定.试验结果表明,在7天龄期下,单掺微硅和纳米硅均对砂浆的强度有提高作用,双掺有综合作用.更重要的是,优质石英砂对7天强度的提升最好,河砂次之,重晶石砂最差.

摘要： N型纳米SiOx薄膜用于硅基薄膜太阳电池的n层,与传统的a-Si n层或a-Sic-Si双层结构的n层相比,SiOx层具有更小的光吸收.同时低折射率的SiOx薄膜具有良好的光反射性能,将更多的太阳光反射到电池中,增加对太阳光的吸收.另外,由于纳米SiOx具有宽的带隙,它能够提高硅基薄膜电池的内建电场,对电池的开路电压以及非晶硅电池的稳定性能都有改善作用.采用掺杂的纳米SiOx薄膜作为电池的n层,不仅有助于提高电池的初始转换效率,同时也能够明显改善非晶硅电池的光致衰变率.通过对不同纳米SiOx的n层的结构与性能的优化,在0.79m2的玻璃基板上成功制备出初始转换效率12％以上的非晶硅/纳米硅叠层电池.

摘要： 陷光效应可有效提升薄膜光伏太阳能电池的效率,并能降低光吸收层的厚度,从而降低电池的生产成本.目前,具有陷光效应的前电极在薄膜光伏太阳能电池中得到广泛应用.低压化学气相沉积法(LPCVD)生长的掺硼氧化锌(BZO)是一种可大规模工业化生产的高雾度透明导电膜,很适合应用于薄膜光伏太阳能电池的前电极或背电极.然而当BZO用作非晶硅/纳米硅(或称微晶硅)叠层电池的前电极时,由于BZO膜表面是金字塔结构,有众多V型沟槽,在BZO表面沉积非晶硅/纳米硅叠层电池时,容易在纳米硅本征层中产生微裂痕,从而造成电池的开路电压和填充因子降低,影响电池的效率.目前国际上量产化的大面积BZO膜LPCVD生长工艺和设备与在其之上制备高效率非晶硅/纳米硅叠层电池的配套工艺主要只掌握在知名厂商Oerlikon手中.rn 本文利用自行设计制造的LPCVD设备和自行开发的BZO生长工艺,制备BZO导电玻璃,并用自行研发的工艺在其之上制备非晶硅/纳米硅叠层电池,同时也用相近工艺在商用FTO导电玻璃(选用市场上的高质量产品,透过率和雾度在商用FTO导电玻璃中处领先水平)上制备非晶硅/纳米硅叠层电池,并对两者进行比较.实验发现:在工业化生产可接受的条件下,自行开发BZO前电极电池的QE总电流密度可比高质量商用FTO前电极电池高出约1mA/cm2左右,电池的短路电流BZO前电极电池也是有显著提高;本文还通过自行研发的工艺技术,成功解决BZO前电极+非晶硅/纳米硅叠层+银背电极结构电池的开路电压和填充因子过低的问题,使其效率较相近工艺的高质量商用FTO前电极非晶硅/纳米硅叠层电池略有提升,目前电池初始效率达到11.5％(在工业化生产可接受的纳米硅本征层厚度条件下),达到国际先进水平.由于自行开发的BZO导电玻璃的生产成本比高质量商用FTO导电玻璃要低得多,且BZO较FTO有更好的陷光效应,从而在提升非晶硅/纳米硅叠层电池效率和降低其生产成本的潜力上有优势,所以上述成果对推进非晶硅/纳米硅叠层太阳能电池的发展有积极意义.

摘要： 纳米生物材料因其优良显著特点成为现今材料研究领域的热点.试图将化学与生物进行交叉渗透,以细胞作为切入点,从分子水平上研究生物体内的化学反应行为.因此,首先制取生物毒性低,安全性更高的纳米硅与壳聚糖的生物材料及具有促进细胞生长功能的纳米薄膜.此材料兼有纳米高分子材料与天然活性大分子的优点,进一步利用倒置显微镜观察细胞在其薄膜上的贴壁生长状况以及细胞壁形态,再利用细胞活性实验(MTT法)对此复合材料进行生物毒性评价,结果表明,细胞的贴壁生长状况及细胞壁形态均良好,此材料的生物毒性等级为0,可以大量应用于医药等相关领域.

摘要： 近年来，安徽砀山酥梨炭疽病大量暴发，仅2008年，该病造成直接经济损失超过6.1亿元，损失相当严重。笔者在化学药剂筛选的基础上，采用菌丝生长速率法，进行几种杀菌剂与纳米硅复配对梨炭疽病菌抑制效果试验。试验结果表明，不同浓度的纳米硅单剂处理对梨炭疽菌菌丝生长均没有抑制作用。纳米硅与杀菌剂混合使用，对化学药剂抑制菌丝的生长均有明显的增效作用，纳米硅与丙环唑组合中，各组台CTC值均大于100，A：A时CTC值最高，达到244.42，增效作用最明显。与咪鲜胺锰盐组合中除了配比为B：A外，其他组合CTC均大于100，A：B时CTC值为126.99，具有较好的增效作用。纳米硅与化学药剂混合对孢子萌发、芽管伸长及田间药效等的影响在本试验中均未涉及，因此纳米硅对化学药剂的增效作用仍需做进一步研究。

摘要： 硅基薄膜太阳电池技术的研发和生产在近十年来取得了显著的进步,本文简要介绍了硅基薄膜光伏技术,对目前的非晶硅及硅锗合金太阳电池技术,以及纳米硅与非晶硅合金太阳电池技术的特点进行了分析与对比.在此基础上,分析与讨论了硅基薄膜太阳电池面临的困难与挑战,并提出硅基薄膜太阳电池进一步发展的技术方向.

摘要： 以石墨化针状焦为原料,采用机械球磨和化学气相沉积法(CVD)制得碳/Si/针状焦复合负极材料.结合XRD、SEM分析手段和电化学特征,研究发现:当石墨化针状焦复合20％的纳米Si后,其首次放电容量高达1110mAh/g,但25次循环后放电容量衰减为200mA h/g;采用CVD方法,在Si/针状焦复合材料的表面沉积厚度为6～8nm的碳后,其首次库伦效率为81％,25次循环后放电容量仍能稳定在860mA h/g,且循环效率接近99％.

摘要： 以石墨化针状焦为原料,采用机械球磨和化学气相沉积法(CVD)制得碳/Si/针状焦复合负极材料.结合XRD、SEM分析手段和电化学特征,研究发现:当石墨化针状焦复合20％的纳米Si后,其首次放电容量高达1110mAh/g,但25次循环后放电容量衰减为200mA h/g;采用CVD方法,在Si/针状焦复合材料的表面沉积厚度为6～8nm的碳后,其首次库伦效率为81％,25次循环后放电容量仍能稳定在860mA h/g,且循环效率接近99％.

摘要： 以石墨化针状焦为原料,采用机械球磨和化学气相沉积法(CVD)制得碳/Si/针状焦复合负极材料.结合XRD、SEM分析手段和电化学特征,研究发现:当石墨化针状焦复合20％的纳米Si后,其首次放电容量高达1110mAh/g,但25次循环后放电容量衰减为200mA h/g;采用CVD方法,在Si/针状焦复合材料的表面沉积厚度为6～8nm的碳后,其首次库伦效率为81％,25次循环后放电容量仍能稳定在860mA h/g,且循环效率接近99％.

摘要： 本发明提供一种从化合物SiX或包含化合物SiX的混合物直接制备硅纳米粉末、纳米线(管)的电化学方法。其特性是：以化合物SiX或包含化合物SiX的混合物为阴极，设置阳极，置于包含金属化合物熔盐的电解质中，在阴极和阳极之间施加电压，控制反应条件，在阴极制得硅纳米粉末、纳米线(管)。本发明生产流程短、无污染、操作简单、原料易得、设备便宜，易于连续生产，同时为电化学法的应用于一维纳米材料的制备开辟了一个新领域，为制备硅纳米粉末、纳米线(管)探索出一条新途径。

摘要： 本发明公开了一种阵列化镍硅纳米线及镍硅-硅核壳纳米线的制备方法，包括：将用于锂离子电池负极基体的金属衬底用盐酸和乙醇分别清洗后干燥备用；通过热丝化学气相沉积装置在清洗过的金属衬底表面生长得到阵列化镍硅纳米线；进一步在得到的阵列化镍硅纳米线的表面通过射频溅射的方法沉积一层厚度可控的硅，得到阵列化镍硅-硅核壳纳米线。金属衬底和生长在金属衬底上的阵列化纳米线材料构成锂离子电池负极。本发明制备方法简单可控，制得的纳米线材料可用于锂离子电池负极并期待获得优异的性能。

摘要： 本发明公开了一种硅‑碳纳米管的制备方法，所述制备方法包括步骤：提供硅悬浮颗粒和气态的碳纳米管前驱体，所述碳纳米管前驱体包含碳源、催化剂及促进剂；在目标温度下促使所述硅悬浮颗粒和气态的所述碳纳米管前驱体形成硅‑碳纳米管。该硅‑碳纳米管中硅含量最高可以达到60％，并且依然保持优异的柔性。本发明还公开了硅‑碳纳米管复合膜的制备方法、硅‑碳纳米管复合膜及其制备设备、锂电池，以该硅‑碳纳米管复合膜作为锂电池负极，测得最高比容量达到2100mAh/g，循环500圈后容量保持率达到75％以上。

摘要： 本发明提供一种从化合物SiX或包含化合物SiX的混合物直接制备硅纳米粉末、纳米线(管)的电化学方法。其特性是：以化合物SiX或包含化合物SiX的混合物为阴极，设置阳极，置于包含金属化合物熔盐的电解质中，在阴极和阳极之间施加电压，控制反应条件，在阴极制得硅纳米粉末、纳米线(管)。本发明生产流程短、无污染、操作简单、原料易得、设备便宜，易于连续生产，同时为电化学法的应用于一维纳米材料的制备开辟了一个新领域，为制备硅纳米粉末、纳米线(管)探索出一条新途径。

摘要： 本发明提供用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法。本发明方法是采用蚀刻剂的化学蚀刻工艺，所述蚀刻剂相对于硅相优先从多相硅合金蚀刻并去除其它相，且允许获得残余的硅纳米线和/或纳米带。在蚀刻前，所述硅合金在所述多相硅合金的微结构中包含或经处理以包含一维和/或二维硅纳米结构。当被用作二次锂电池的阳极时，通过本发明方法生的硅纳米线或纳米带展现高储存容量。

摘要： 本发明公开了一种阵列化镍硅纳米线及镍硅-硅核壳纳米线的制备方法，包括：将用于锂离子电池负极基体的金属衬底用盐酸和乙醇分别清洗后干燥备用；通过热丝化学气相沉积装置在清洗过的金属衬底表面生长得到阵列化镍硅纳米线；进一步在得到的阵列化镍硅纳米线的表面通过射频溅射的方法沉积一层厚度可控的硅，得到阵列化镍硅-硅核壳纳米线。金属衬底和生长在金属衬底上的阵列化纳米线材料构成锂离子电池负极。本发明制备方法简单可控，制得的纳米线材料可用于锂离子电池负极并期待获得优异的性能。

摘要： 本发明公开了一种阴极结嵌入P+型纳米碳化硅的纳米硅/晶体硅/纳米硅二极管，其结构为：阳极欧姆电极/P+型纳米硅层/N‑型晶体硅衬底/N+型纳米硅层/阴极欧姆电极，N‑型晶体硅衬底与N+型纳米硅层之间构成阴极异质结，该阴极异质结内嵌入设置P+型纳米碳化硅。在阴极结的基区一侧嵌入P+型半导体，抑制了反向浪涌电流，可避免二极管发生具有破坏性的双重正反馈动态雪崩效应引起电流丝而损坏器件。

摘要： 本发明公开了一种阴极结嵌入P+型纳米碳化硅的纳米硅/晶体硅/纳米硅二极管，其结构为：阳极欧姆电极/P+型纳米硅层/N-型晶体硅衬底/N+型纳米硅层/阴极欧姆电极，N-型晶体硅衬底与N+型纳米硅层之间构成阴极异质结，该阴极异质结内嵌入设置P+型纳米碳化硅。在阴极结的基区一侧嵌入P+型半导体，抑制了反向浪涌电流，可避免二极管发生具有破坏性的双重正反馈动态雪崩效应引起电流丝而损坏器件。

摘要： 本发明提供一种硅湿式粉碎用混合分散液、纳米硅浆料制备方法以及纳米硅浆料，在所述硅湿式粉碎用混合分散液中，相对于100体积％的硅湿式粉碎用混合分散液，硅粉末为3～20体积％，烃分散介质与添加剂之和为80～97体积％，所述添加剂包含分散剂和粘度调节剂。

摘要： 本发明提供一种以含硅生物质为原料制备超细纳米硅的方法，该方法包括以下步骤：将含硅生物质酸煮处理清除无机盐离子杂质，将空气退火后的白色粉末研磨粉碎得到纳米二氧化硅颗粒,然后将白色产物和镁粉、熔盐均匀混合后放入管式炉中在惰性气氛下反应得到硅和氧化镁,随后将反应产物酸洗处理除去氧化镁得到超细硅纳米颗粒。该发明步骤简单易行,原料来源广泛,最重要的是由于加入的熔盐熔化吸热控制了反应温度，反应物不易团聚，制备得到的纳米硅比表面积达302.13m2/g，纯度在98％以上，颗粒均匀且存在介孔，可以应用于锂离子电池、半导体材料、医药等领域。