族源

摘要： 伴随新时期我国多元文化与城镇化的快速发展,世世代代生活在黔西北地区的穿青人族群内聚的特色文化得到了极大的发展,挖掘与保护穿青人特色文化遗产尤显重要。基于此,从马克思主义理论的视角刍议穿青人的族源问题,并认同穿青人族群是来自江西省的思想,为增强穿青人族群的群体认知、群体认同、群体归属、群体内聚力提供条件,有利于穿青人族群的身份认同与民族归属,进一步促进我国民族团结与共同繁荣,丰富中华民族文化内涵。

摘要： 瑶族支系繁多,八排瑶作为瑶族支系中较为独特且人数较少的一支,在其族源问题上将结合历史文献学、语源学及分子人类学三方面进行梳理,并结合各家学说相互印证之部分,在目前研究成果下对八排瑶之形成与迁徙脉络作出较为合理推断。综合而言,由“三苗”“荆蛮”“武陵蛮”“莫徭”到八排瑶的族源变化论断是让人信服的。

摘要： 西夏建元前的作品皆用汉语写作,数量不多,但蕴含丰富。诗体主要有诗、歌、谚等。关于民族记忆的描写,和《诗经》《史记》记载的玄鸟生商一致,因此党项人就是殷商时代的氐羌。西夏建元前的文章主要是与宋朝往来的表记奏誓等外交文书,写作的语言、结构、体式、文风与宋文似乎看不出有多大差异,区别在于党项文依经立意,平和而凌厉,灵巧而逻辑,而宋文略有卑微气息。根据黑水城出土的西夏文献,族源是阿母吞鸟卵感生,和《诗经》《史记》记载简狄的天命玄鸟,降而生商记载一致;西夏始祖阿母长两齿、白肚、金乳房和殷商后裔不与西周合作的西王母虎齿豹身一致。简狄和西王母均出自殷商的一支氐羌,表现二者故事的西夏的诗文,成为民族记忆。

摘要： 立足文献记载、考古发现和民间传说,通过梳理社会发展史上相关人群的迁徙及九隆神话流传迁播的大致线索,可以看出九隆神话是次生神话;从象征隐喻的角度,梳理出九隆神话从感生神话到图腾神话再到王权神话的过程,认识神话的内涵及其补史作用,可以展现民族文化的交流融合。由此,不仅可以看到面貌各异的九隆神话背后西南各少数民族的精神根谱,而且可以透视在“龙”叙事下的向心凝聚。

摘要： 长期以来,党项族主体源于羌人的观点已得到了学界的认同;但关于西夏皇室的党项拓跋氏来自何处,一直被史学界广泛讨论。最初学者们的观点源于对不同传世文献的采信照搬。后来,“鲜卑说”学者们在民族学观念影响下构建出了一整套关于“鲜卑入羌”的叙事,但“西羌说”学者认为此叙事缺少证据。此后,这两派学者围绕举证的《元和姓纂》、“拓跋”词源等进行了争论和批驳。直到21世纪党项拓跋先祖的墓志被发掘,学者们对其中“三苗之后”“元魏之裔”的不同记载进行分析,最新公开的拓跋驮布墓志基本证明了“鲜卑说”学者所构建的“鲜卑入羌”叙事。然而,关于这一叙事的研究,有待更多的西夏文字学者、藏学者等相关门类研究者,从更开阔的视野对中国历史上民族迁徙和融合的问题进行接轨式探寻。

摘要： 夏尔巴人在我国境内尚属于未识别民族。在以往的研究中,夏尔巴人的族群单一化,其迁徙路线也具有模糊性。吐蕃政权征服木雅,击退党项拓跋部,以"木雅"(弥药)命名党项故地,后又以"木雅"指代西夏王朝和康藏地区。结合相关藏族史料可知,在与綠厮政权、蒙古军队发生战争期间,处于不利地位的西夏党项部族渐次南下康藏地区,与吐蕃政权时期便居住于此的藏族董氏相融合,形成一个新族群"董弥药"。13世纪,该族群进行南迁,于16世纪中叶进入尼泊尔,随后又以索卢昆布为中心向东、西迁徙,形成夏尔巴人如今分散居住在我国境内及尼泊尔、印度等地的格局。

摘要： 夏尔巴人在我国境内尚属于未识别民族.在以往的研究中,夏尔巴人的族群单一化,其迁徙路线也具有模糊性.吐蕃政权征服木雅,击退党项拓跋部,以“木雅”(弥药)命名党项故地,后又以“木雅”指代西夏王朝和康藏地区.结合相关藏族史料可知,在与响厮啰政权、蒙古军队发生战争期间,处于不利地位的西夏党项部族渐次南下康藏地区,与吐蕃政权时期便居住于此的藏族董氏相融合,形成一个新族群“董弥药”.13世纪,该族群进行南迁,于16世纪中叶进入尼泊尔,随后又以索卢昆布为中心向东、西迁徙,形成夏尔巴人如今分散居住在我国境内及尼泊尔、印度等地的格局.

摘要： 中唐时期名声显赫的张掖乌氏,当与中古时期东北的乌洛侯国无关,其族源当可追溯到西汉时期活动在河西的匈奴别部.汉晋时期,乌氏作为以匈奴为主、鲜卑为辅的赀虏的一小部分,长期活动在广义的河西地区.大约在初唐时,张掖乌氏迁往黄河以东、后来朔方军辖地;又于武后时,徙至河北北部,作为唐廷抵御契丹、奚族的前锋,多有功绩.当乌重胤显达后,出于社会地位的文化需求,以及摆脱与九姓胡的关联,乌氏一族刻意重申和拟构了自己的张掖郡望.但至唐末,可能由于年代久远、迁徙频繁导致乌氏姓源族属模糊,后世则因乌氏于幽蓟显达昌盛而误将其与乌洛侯联系到了一起.

摘要： 本文基于古籍整理和研究,对大兴安岭东麓鄂伦春族的田野调查,结合满-通古斯语、鄂伦春语和达斡尔语、蒙古语语言学的比较研究,借鉴科技考古,DNA比对,最终推论出:早期拓跋鲜卑生活于大兴安岭东麓,使用通古斯语;鄂伦春人世居大兴安岭东麓,是属于留守的守山部族的结论.此研究对进一步探索鄂伦春族源问题具有一定的学术意义和现实价值.

摘要： 中唐时期名声显赫的张掖乌氏,当与中古时期东北的乌洛侯国无关,其族源当可追溯到西汉时期活动在河西的匈奴别部。汉晋时期,乌氏作为以匈奴为主、鲜卑为辅的贾虏的一小部分,长期活动在广义的河西地区。大约在初唐时,张掖乌氏迁往黄河以东、后来朔方军辖地;又于武后时,徙至河北北部,作为唐廷抵御契丹、奚族的前锋,多有功绩。当乌重胤显达后,出于社会地位的文化需求,以及摆脱与九姓胡的关联,乌氏一族刻意重申和拟构了自己的张掖郡望。但至唐末,可能由于年代久远、迁徙频繁导致乌氏姓源族属模糊,后世则因乌氏于幽蓟显达昌盛而误将其与乌洛侯联系到了一起。

摘要： 藏族建筑是中国传统建筑体系的一个分支,其中因民族来源和居住环境不同存在各种变体.四川西北部的嘉绒藏族建筑就独具特色,它同时也受周边汉族、羌族和其他藏族支系等各族建筑的影响.文章将以丹巴地区藏族民居为例,对其受用边各民族建筑的影响加以简要论述.

摘要： 藏族建筑是中国传统建筑体系的一个分支,其中因民族来源和居住环境不同存在各种变体.四川西北部的嘉绒藏族建筑就独具特色,它同时也受周边汉族、羌族和其他藏族支系等各族建筑的影响.文章将以丹巴地区藏族民居为例,对其受用边各民族建筑的影响加以简要论述.

摘要： 藏族建筑是中国传统建筑体系的一个分支,其中因民族来源和居住环境不同存在各种变体.四川西北部的嘉绒藏族建筑就独具特色,它同时也受周边汉族、羌族和其他藏族支系等各族建筑的影响.文章将以丹巴地区藏族民居为例,对其受用边各民族建筑的影响加以简要论述.

摘要： 藏族建筑是中国传统建筑体系的一个分支,其中因民族来源和居住环境不同存在各种变体.四川西北部的嘉绒藏族建筑就独具特色,它同时也受周边汉族、羌族和其他藏族支系等各族建筑的影响.文章将以丹巴地区藏族民居为例,对其受用边各民族建筑的影响加以简要论述.

摘要： 本发明公开了一种基于族组分端元碳同位素定量解析深层复杂混源油的方法，属于深层油气资源勘探技术领域。其技术方案为：包括以下步骤：(1)测试原油族组分碳同位素；(2)确定族组分端元，构建理想端元油的族组分端元；(3)根据步骤(1)的测试结果与步骤(2)的理想端元油的族组分端元，结合物质平衡法计算各组分端元的贡献，最后采用加权平均算法得出端元油对全油的相对贡献。本发明可以屏蔽不同成熟度以及多期成藏对混源油解析的影响，并且计算出初始的端原油贡献，有助于揭示主力烃源岩对深层油气的相对贡献。该方法操作简便、可实施性强，有助于丰富深层油气勘探理论方法，为指导深层‑超深层油气勘探提供技术支撑。

摘要： 本发明提供一种基于III‑V族化合物半导体工艺的宽带有源移相器，属于集成电路技术领域。该移相器提出偏置运算单元以解决III‑V族化合物半导体工艺无法应用经典移相器结构的问题，即吉尔伯特偏置运算单元通过CCVS单元将I/Q两路电流转换成晶体管基极电压，再通过VCCS单元控制晶体管作差运算转换得到数控电流叠加单元输出的I/Q电流比值关系，最后偏置电流控制单元完成对I/Q正交信号合成矢量的象限选择及模拟加法器的电流控制，实现了吉尔伯特单元尾电流的精准调控；并同时提出有源跨导‑结电容多相滤波(gm‑Cbc PPF)结构增强移相器的带宽，最终可实现n bit的相位精度控制，且具有移相精度高、插入损耗低、面积小、工作带宽大且可调等优势。

摘要： 描述了具有锗或III‑V族有源层的深环栅极半导体器件。例如，非平面半导体器件包括设置在衬底上方的异质结构。所述异质结构包括位于具有不同组分的上部层与下部层之间的异质结。有源层设置在所述异质结构上方并且具有不同于所述异质结构的所述上部层和下部层的组分。栅极电极叠置体设置在所述有源层的沟道区上并且完全环绕所述有源层的所述沟道区，并且设置在所述上部层的沟槽中并且至少部分地在所述异质结构的所述下部层中。源极区和漏极区设置在所述栅极电极叠置体的任一侧上的所述有源层中和所述上部层中，但不在所述下部层中。

摘要： 本发明描述了具有带有多电介质栅极堆叠体的Ⅲ‑Ⅴ族材料有源区的非平面半导体器件。例如，半导体器件包括设置在衬底上方的异质结构。异质结构包括具有沟道区的三维Ⅲ‑Ⅴ族材料体。源极和漏极材料区设置在所述三维Ⅲ‑Ⅴ族材料体上方。沟槽设置在所述源极和漏极材料区中，将源极区与漏极区分开，并且暴露所述沟道区的至少一部分。栅极堆叠体设置在所述沟槽中并且设置在所述沟道区的暴露的部分上。所述栅极堆叠体包括第一和第二电介质层以及栅极电极。

摘要： 公开了一种n‑MOS晶体管器件和用于形成这种器件的方法。所述n‑MOS晶体管器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有形成在衬底上方的一个或多个替换有源区。所述替换有源区包括第一III‑V族半导体材料。栅极结构形成在所述替换有源区上方。源极/漏极(S/D)凹陷形成在与所述栅极结构相邻的所述替换有源区中。替换S/D区形成在S/D凹陷中并且包括第二III‑V族半导体材料，所述第二III‑V族半导体材料具有比所述第一III‑V族半导体材料的晶格常数更小的晶格常数。第二III‑V族材料的较小的晶格常数诱发了由所述第一III‑V族材料形成的所述沟道上的单轴应变。所述沟道中的所述单轴应变改进了所述n‑MOS器件中的载流子迁移率。

摘要： 在封装制造期间利用模制化合物密封脆性III‑V族化合物半导体的半导体裸片之前，对半导体裸片的侧面进行处理，以避免或防止表面缺陷传播，并且避免或防止在模制化合物固化时施加的应力下使III‑V族化合物半导体的衬底的晶体结构破裂。表面被处理以形成钝化层，该钝化层可以是衬底的经钝化层或衬底上的钝化材料。在经钝化层中，外层的缺陷被转变为不易破裂。诸如衬底表面上的多晶层的钝化材料将由模制化合物施加的应力分散。具有如所公开的经处理侧面的倒装芯片和引线键合芯片封装中的半导体裸片减小了由裸片破裂引起的故障发生率。

摘要： 提供了RF放大器，该RF放大器包括互连结构(270)和安装在互连结构顶部的基于III族氮化物的RF放大器管芯(210)。基于III族氮化物的RF放大器管芯包括半导体层结构(230)。多个单位单元晶体管设置在半导体层结构的上部中，并且栅极端子(222)、漏极端子(224)和源极端子(226)设置在半导体层结构的与互连结构相邻的下表面上。

摘要： 本发明为一种异丙醇作氢源合成脂环族氨基甲酸酯的方法。该方法包括以下步骤：在高压反应釜中，N2氛围下，以芳香族氨基甲酸酯为底物，加入反应溶剂及催化剂，异丙醇作为氢源，在50～200°C、0～5MPa条件下，搅拌反应2～24h得脂环族氨基甲酸酯；所述的催化剂为负载型金属催化剂，其组成包括：活性组分金属盐和载体。本发明具有反应条件温和、安全性好和易操作等优势。

摘要： 本发明提供一种基于III‑V族化合物半导体工艺的宽带有源移相器，属于集成电路技术领域。该移相器提出偏置运算单元以解决III‑V族化合物半导体工艺无法应用经典移相器结构的问题，即吉尔伯特偏置运算单元通过CCVS单元将I/Q两路电流转换成晶体管基极电压，再通过VCCS单元控制晶体管作差运算转换得到数控电流叠加单元输出的I/Q电流比值关系，最后偏置电流控制单元完成对I/Q正交信号合成矢量的象限选择及模拟加法器的电流控制，实现了吉尔伯特单元尾电流的精准调控；并同时提出有源跨导‑结电容多相滤波(gm‑Cbc PPF)结构增强移相器的带宽，最终可实现n bit的相位精度控制，且具有移相精度高、插入损耗低、面积小、工作带宽大且可调等优势。

摘要： 本发明公开了一种用于进行族源推断的复合体系及其推断方法和应用。该复合体系包括用于扩增20个AIMs位点的复合引物，以及与上述20个AIMs位点一一对应的单碱基延伸引物；复合引物具体序列如SEQ ID NO.1～40所示，单碱基延伸引物具体序列如SEQ ID NO.41～60所示。本发明采用20个特异性AIMs位点的组合构成了能对未知个体进行有效的复合扩增的检测体系。