衬底温度
衬底温度的相关文献在1983年到2022年内共计408篇,主要集中在物理学、无线电电子学、电信技术、一般工业技术
等领域,其中期刊论文284篇、会议论文70篇、专利文献147509篇;相关期刊127种,包括功能材料、电子元件与材料、发光学报等;
相关会议51种,包括第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)、第十五届全国复合材料学术会议、第十届中国太阳能光伏会议等;衬底温度的相关文献由1369位作者贡献,包括赵颖、耿新华、严辉等。
衬底温度—发文量
专利文献>
论文:147509篇
占比:99.76%
总计:147863篇
衬底温度
-研究学者
- 赵颖
- 耿新华
- 严辉
- 孙建
- 张晓丹
- 薛俊明
- 冯良桓
- 刘艳美
- 王波
- 魏长春
- 黎兵
- 余楚迎
- 卢景霄
- 叶志镇
- 奚明
- 宋学萍
- 张建军
- 张毅
- 张静全
- 彭国令
- 李卫
- 杨成韬
- 武莉莉
- 王一
- 胡鹏臣
- 谢二庆
- 赵炳辉
- 郑伟涛
- 郜小勇
- 陈光华
- 陈永生
- 韩家骅
- 马悦
- 黄翀
- 丁召
- 于伟东
- 付长凤
- 刘玮
- 卢文壮
- 吕坚
- 周云
- 周圣明
- 孙云
- 孙辉
- 左敦稳
- 张德贤
- 张波
- 张福甲
- 张铭
- 彭英才
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耿娟娟;
李争显;
王浩楠;
吕海兵;
张长伟
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摘要:
为获得组织结构及界面结合性能优异的铌薄膜,采用直流偏压二极溅射技术在无氧铜表面溅射制备铌薄膜,借助SEM、AFM、XPS、划痕仪等分析衬底温度对膜层组织结构和界面结合能力的影响。结果表明:随衬底温度的提高,铌薄膜表面的颗粒尺寸增大,表面粗糙度由Ra 27.6 nm增加到Ra 65.3 nm,薄膜厚度从2.832μm增加到6.021μm。随衬底温度的提高,氧化现象减弱,衬底温度在400°C条件下制备的膜层中氧含量最低,仅占7.47%,膜层中仅有轻微的氧化现象,说明溅射所制备的铌薄膜纯度较高,膜层中的杂质含量少。衬底温度改变时,铌薄膜与基体的界面结合能力没有发生明显的变化,界面结合强度均高于50 N。
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张宇
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摘要:
ZAO薄膜具有电导率高、光学透射率高的优点,且易掺杂、制备成本低廉,是ZnO基透明导电薄膜的重要研究方向。采用磁控溅射法制备ZAO薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、UV-8000型紫外-可见分光光度计和四探针测试仪等设备研究了Al掺杂量、衬底温度对ZAO薄膜结构、形貌、光电性能的影响。结果表明,ZAO薄膜晶粒均以c轴(002)方向为主择优取向生长,所有的ZAO薄膜均为纤锌矿结构,薄膜表面平整。随着Al掺杂量的升高,ZnO的(002)衍射峰强度逐渐减弱至消失。薄膜方块电阻随着衬底温度升高先减小后缓慢增大,其中衬底温度为200°C时,方块电阻约为3.64×106Ω/□,导电性最好。而且该薄膜具有较好的可见光范围内平均透过率,约为85%。
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张丛春;
黄漫国;
梁晓波;
闫博
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摘要:
随着薄膜传感器在航空工业中的应用,高温绝缘层的研究发展愈加重要.在此研究背景下,采用双离子束溅射的方法制备了Al2O3薄膜高温绝缘层,探讨了溅射时的衬底温度对Al2 O3薄膜物相结构的影响,并研究了所制备的Al2O3薄膜从室温至1000°C范围内的绝缘特性.另外,本文还将所制备的Al2O3薄膜高温绝缘层应用在热阻型温度传感器中,测试了其在高温环境中的表现.结果表明:双离子束溅射沉积的Al2O3薄膜主要以非晶形式存在,薄膜断面的微观形貌致密;2μm厚度的Al2O3薄膜的室温电阻可达2 GΩ,800°C下电阻可达到5 kΩ,表明双离子束溅射方法制备的Al2O3薄膜绝缘层具有良好的高温绝缘性能.
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高洁;
姚威振;
杨少延;
魏洁;
李成明;
魏鸿源
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摘要:
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍尔测量等测试分析手段表征了薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能.结果表明,制备的ZrN薄膜为立方相NaCl结构,具有(111)面择优取向.在Ts=550~650°C时,薄膜的结晶性最佳.薄膜呈柱状生长,晶粒尺寸会随着衬底温度的升高先增大后减小,当Ts=550~750°C时,表面出现三角锥状晶粒.制备的ZrN薄膜表面较为平整,表面粗糙度在3.9~6.67 nm之间.测得薄膜的电阻率大小在1.43~24.5×10-3Ω·cm之间,且电阻率与薄膜的结晶性以及晶粒尺寸相关;薄膜的载流子浓度在0.869~4.38×1020 cm-3之间,Ts=550~650°C的薄膜电学性能较好.
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张微;
刘亮;
商剑;
赵作福;
张越;
齐锦刚;
王冰
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摘要:
用直流磁控溅射法在单晶硅片上制备了AlCrFeNiTi高熵合金薄膜,采用X射线衍射仪、扫描电镜和原子力显微镜考察了溅射参数对薄膜结构及表面形貌的影响.结果表明,当溅射功率一定,随着衬底温度升高,AlCrFeNiTi高熵合金薄膜由非晶向2个BCC相转变,衍射峰强度也随之增大,同时薄膜的结晶度提高,晶粒尺寸增大,导致薄膜粗糙度增加.当衬底温度一定时,随着溅射功率增大,X射线衍射峰强度大幅度上升,薄膜表面晶粒迅速长大,但因为溅射功率过大会导致表面形成缺陷,所以表面粗糙度先减小后增大.
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陈星辉;
唐颖慧;
王加强;
柴晗阳;
魏新琪;
陈光伟
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摘要:
衬底温度是磁控溅射法制备氧化锌薄膜中一个非常重要的工艺指标,探索衬底温度对氧化锌薄膜微结构及光学性能的影响对制备环保型高质量氧化锌紫外屏蔽材料具有重要意义。以质量分数99.99%的氧化锌陶瓷靶为溅射源,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上沉积了氧化锌紫外屏蔽薄膜,通过X射线衍射仪、薄膜测厚仪、紫外-可见分光光度计、荧光分光光度计进行测试和表征,研究了不同衬底温度对ZnO薄膜微结构及光学性能的影响。实验结果表明:制备所得薄膜均为六角纤锌矿结构,具有沿(002)晶面择优取向生长的特点,其晶格常数、晶粒尺寸、透过率、光学能隙、可见荧光、结晶质量等都与衬底温度密切相关,当衬底温度为250°C,溅射功率160 W,氩气压强0.5 Pa,氩气流速8.3 mL/min,沉积时间60 min时,所得氧化锌薄膜样品取向性最好,晶粒尺寸最大,薄膜结构致密,具有良好的光学性能和结晶质量。
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赵广宇;
徐莉;
范杰;
张家斌;
兰云萍;
邹永刚;
马晓辉
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摘要:
为了研究衬底温度对硒化锌薄膜微观结构和光学特性的影响,采用电子束蒸发技术在K9玻璃基底上制备了单层的硒化锌薄膜。通过研究薄膜的X射线衍射谱、透射光谱特性、表面形貌及粗糙度,分析了不同衬底温度下薄膜微观晶体结构和光学特性的变化规律。实验结果表明:在20~200°C的衬底温度范围内制备的ZnSe薄膜均为具有(111)晶面择优取向的纳米晶薄膜,随着衬底温度升高,基片上原子获得的动能增加,导致薄膜的晶粒尺寸变大、内应力和位错密度降低;同样在不同衬底温度下,薄膜的光学特性也不尽相同,随着衬底温度的升高,折射率和消光系数减小、光学带隙增加、薄膜的表面粗糙度降低。分析表明折射率下降是薄膜中空隙部分所占比例增加所致,而消光系数的下降是薄膜结晶度提高,内部缺陷减少造成的。
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黄泽琛;
蒋冲;
李耳士;
李家伟;
宋娟;
王一;
郭祥;
罗子江;
丁召
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摘要:
采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上生长In液滴,利用原子力显微镜(AFM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征,观察其表面形貌。研究表明In液滴的生长对衬底温度十分敏感,随着衬底温度的升高,液滴密度逐渐减小,液滴尺寸逐渐增大。分析了In液滴在不同衬底温度形成过程的物理机制,解释了该实验现象的原因。根据成核理论中最大团簇密度与衬底温度之间的关系,拟合计算出In液滴密度与衬底温度满足的函数关系为n x=5.17 exp(0.69 eV/kT)。
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蒋冲;
王一;
丁召;
黄延彬;
罗子江;
李志宏;
李耳士;
郭祥
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摘要:
量子点的性质主要由其密度及尺寸参数控制,而原子在衬底上的成核运动又决定了量子点的密度、直径、高度等参数,因此研究原子的扩散成核过程对自组装制备量子点具有重要意义。本文通过分子束外延生长技术研究了GaAs(001)表面金属铝液滴的成核过程,发现衬底温度和金属铝沉积速率的变化直接影响了液滴的尺寸、密度以及形状等特征。根据经典成核理论分析GaAs(001)表面金属铝液滴空间分布与几何结构的演化规律,推导得出表面金属铝液滴密度与衬底温度、金属铝沉积速率的关系方程。在此基础上,进一步计算得出液滴形成过程中未成核态、临界成核态、成核态三种亚稳态所包含的最小原子数分别为1个、2个、5个。
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向玉春
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摘要:
通过脉冲激光沉积的方法在玻璃衬底上制备CuO薄膜,并研究了衬底温度对薄膜结构,光学以及电学性能的影响.结果 表明:在不同衬底温度下得到的薄膜均为CuO,并且在红外区域,薄膜的透过率均高于65%.温度升高到300°C,具有较高的结晶质量和红外光透过率,薄膜的电学性能也随之变好,出现最低电阻(2.33×102Ωcm),较高的载流子浓度5.28×10161/cm3.最重要的是在500°C时氧化铜实现了由p型向n型的转变.
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陈洁仪;
沈鸿烈
- 《第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会》
| 2017年
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摘要:
本文采用电子束蒸发法在钠钙玻璃衬底上制备铜铟镓硒薄膜,研究了衬底温度对铜铟镓硒薄膜的结构与光电性能的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,铜铟镓硒薄膜中出现MoSe2相和Cu2_xSe相,当衬底温度为300°C时,制备的铜铟镓硒薄膜获得最好的结晶质量,制作的铜铟镓硒太阳电池获得7.1%的最高转换效率.通过建立禁带宽度与开路电压的关系模型,解释了不同衬底温度下制备的铜铟镓硒太阳电池的开路电压的差异.
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翟子豪;
沈鸿烈
- 《第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会》
| 2017年
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摘要:
本文采用热丝化学气相沉积的方法,以乙炔和氢气作为气态源,在石英衬底的表面制备非晶碳膜,研究了不同衬底温度(450~850°C)和冷却方式对于非晶碳膜结构与光电性能的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,非晶碳膜的结构逐渐由非晶态向纳米石墨态再向石墨态发生转变,且该转变有助于非晶碳膜光电性能的提升.随后,在衬底温度850°C条件下制备了非晶碳膜,研究了氢气、氩气及炉冷三种冷却方式对非晶碳膜结构及光电性能的影响,并提出厚度变化模型对三种冷却方式机制进行了解释.结果表明,相比于其它冷却方式,采用氢气冷却能进一步提高非晶碳膜的光电性能.
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曾勇;
宁洪龙;
方志强;
刘贤哲;
陶瑞强;
胡诗犇;
朱峰;
姚日晖;
王磊;
兰林锋;
彭俊彪
- 《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》
| 2015年
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摘要:
本文利用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)的方法,通过调控AZO薄膜的衬底温度和氧分压,获得方阻为17.03Ω/sq的高导电率AZO薄膜.详细研究了衬底温度和氧分压对AZO薄膜电阻率的影响.如图1所示,结果表明:在不通氧气时,AZO薄膜电阻率随衬底温度升高而降低,而在氧气氛围中,该趋势正好相反.AFM测试表明,在无氧的氛围中,衬底温度增加改善了AZO薄膜粗糙度,从而使电阻率降低.然而,当通入氧气时,衬底温度对薄膜电阻率影响存在两个方面的效应:(1)改善AZO薄膜粗糙度从而减少表面散射,使电阻率降低;(2)如图2所示,促进了AZO薄膜对氧气的吸附,导致电阻率升高.因此,温度升高不但使氧在薄膜中的扩散系数增大,促进了更多的氧捕获电子,使薄膜电阻率增大;而且电子容易挣脱各种陷阱和缺陷被氧捕获,导致导电载流子浓度下降,也会使电阻率增大.
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吴兆;
洪瑞江
- 《第13届全国博士生学术年会——新能源专题》
| 2015年
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摘要:
本文通过单靶一步溅射再退火的办法在钠钙玻璃衬底与镀钼衬底上制备了铜铟硒(CIS)薄膜,通过优化工艺参数,获得了结晶性良好的CIS薄膜,在此基础上可进行下一步的Ga或Al元素的掺杂,重点分析研究了溅射沉积薄膜时衬底温度以及不同退火温度对薄膜结晶性的影响;发现衬底温度为150°C时,退火获得的CIS薄膜结晶性最好;不同的退火温度对Mo衬底上的CIS薄膜结晶性影响不大.实验反映出靶材致密度对溅射所得CIS薄膜的影响,一步法制备CIS对靶材质量要求较高.
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韩安军;
孙云;
李博研;
何静靖;
李志国;
张毅;
刘玮
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
衬底温度保持恒定,在Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发Ga、In、Cu制备厚度约为0.7 μm的CuIn0.3Ga0.7Se2(CIGS)薄膜.利用X 射线衍射仪分析衬底温度对薄膜晶体结构及物相组成的影响,扫描电子显微镜表征薄膜形貌及结晶状态的变化,分光光度计与积分球测量衬底温度对薄膜光学性能的影响.研究发现衬底温度为450°C时,薄膜呈现单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2相.衬底温度低于450°C,CIGS 薄膜存在严重的Ga的两相分离.薄膜表层的高Ga 含量以小颗粒形式存在,均匀分布于薄膜表面,增加了薄膜表面的粗糙度,提高了超薄CIGS 材料对光的吸收.通过对电池性能的分析发现,低温制备的超薄CIGS电池,短路电流密度相对较高,CIGS电池可实现低温、超薄、高效.
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丁雅丽;
林银银;
梁国进;
黎明锴;
何云赋
- 《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》
| 2015年
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摘要:
高质量非极性面取向ZnOS薄膜的生长制备及其结构和性能探究具有重要的学术意义和潜在应用价值.由于极性面量子阱受到斯塔克效应的影响,近年来人们对ZnO的研究已经扩展到了非极性面.对于阴离子改性的ZnOS合金,虽然对其极性面的生长和性能的研究已有较多报道,但对其非极性面的研究至今仍处于起步阶段.采用脉冲激光沉积(PLD)法,首次得到了单相外延生长的非极性m面ZnOS薄膜,研究了衬底温度对非极性m面ZnOS薄膜的结构及其光学性能的影响.
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