机译:通过对互连线进行退火并使用低偏置电压和低层间介电常数以及由此制造的半导体芯片来减少互连线的应力,从而降低0.25U和更小半导体芯片技术的应力诱发空隙的方法
公开/公告号US2002003306A1
专利类型
公开/公告日2002-01-10
原文格式PDF
申请/专利权人 NGO MINH VAN;BESSER PAUL R.;BUYNOSKI MATTHEW;CAFFALL JOHN;MACCRAE NICK;HUANG RICHARD J.;TRAN KHANH;
申请/专利号US19980105775
发明设计人 KHANH TRAN;RICHARD J. HUANG;PAUL R. BESSER;MATTHEW BUYNOSKI;JOHN CAFFALL;MINH VAN NGO;NICK MACCRAE;
申请日1998-06-26
分类号H01L29/40;H01L23/52;H01L23/48;H01L23/02;
国家 US
入库时间 2022-08-22 00:49:57