机译:减少应力引起的空隙为0.25m&mgr的方法;通过对互连线进行退火并使用低偏置电压和低层间电介质沉积速率来实现更小的半导体芯片技术,以及由此制造的半导体芯片
公开/公告号US6329718B1
专利类型
公开/公告日2001-12-11
原文格式PDF
申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;
申请/专利号US19980105775
发明设计人 KHANH TRAN;RICHARD J. HUANG;PAUL R. BESSER;MATTHEW BUYNOSKI;JOHN CAFFALL;MINH VAN NGO;NICK MACCRAE;
申请日1998-06-26
分类号H01L234/80;H01L235/20;
国家 US
入库时间 2022-08-22 00:48:46