机译:通过水蒸气退火抑制具有高k栅极电介质的Ge金属氧化物半导体电容器中不稳定的低fr GeOx中间层的生长
机译:通过水蒸气退火抑制高k栅极介电常数的Ge金属氧化物半导体电容器中不稳定的低k GeO_x中间层的生长
机译:利用水蒸气抑制具有亚纳米电容等效厚度的Hftio栅介电Ge金属氧化物半导体电容器中不稳定的Low-κ中间层的生长
机译:宽带隙高k Y_2O_3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:湿态环境下制备栅极介电层可抑制Ge MOS电容器中层间GeO
机译:具有各种高k栅极电介质的硅金属氧化物半导体系统的电子隧穿光谱。
机译:用于金属氧化物半导体电容器和场效应晶体管的氢化金刚石上高k氧化物概述
机译:在湿的NO环境中制备具有栅极电介质的Ge mOs电容器中的层间GeO x的抑制生长