公开/公告号CN101364541B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 东部高科股份有限公司;
申请/专利号CN200810133392.3
发明设计人 金大荣;
申请日2008-08-11
分类号
代理机构北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司;
代理人宋子良
地址 韩国首尔
入库时间 2022-08-23 09:06:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-10-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20110504 终止日期:20130811 申请日:20080811
专利权的终止
2011-05-04
授权
授权
2009-04-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-02-11
公开
公开
机译: 形成不对称凹槽和填充该凹槽的栅极结构的方法以及形成包括这种凹槽和栅极结构的半导体器件的相关方法
机译: 形成不对称凹槽和填充该凹槽的栅极结构的方法以及形成包括该凹槽和栅极结构的半导体器件的相关方法
机译: 形成不对称凹槽和填充该凹槽的栅极结构的方法以及形成包括该凹槽和栅极结构的半导体器件的相关方法