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朱彦旭; 李赉龙; 白新和; 宋会会; 石栋; 杨壮; 杨忠;
北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室;
北京 100124;
中国移动通信集团广东有限公司 惠州分公司;
广东 惠州 516000;
高电子迁移率晶体管; 感光栅极; 器件结构; 光伏效应;
机译:常关型GaN HEMT器件中p-GaN栅极的物理操作和优化
机译:原位钝化与GaN缓冲优化相结合,可在Si(111)上的Si_3N_4 / AlGaN / GaN HEMT器件中实现极低的电流分散和极低的栅极泄漏
机译:TCAD仿真功能可用于高级AlGaN / GaN HEMT器件的栅极泄漏电流分析
机译:原位钝化结合GaN缓冲优化,在SI(111)上的SI_3N_4 / AIGAN / GAN HEMT器件中的极低电流分散和低栅极泄漏
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:凹入式栅极结构对具有薄AlOxNy MIS栅极的AlGaN / GaN-on-SiC MIS-HEMT的影响
机译:关于常关GaN HEmT器件中p-GaN栅极的物理操作和优化
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制
机译:具有栅极间隔物的增强模式GaN HEMT器件及其制造方法
机译:具有自对准栅极的栅极,用于增强模式GaN晶体管
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