机译:利用电子束抗蚀剂工艺检查不对称栅极凹槽对AlGaAs / InGaAs PHEMT器件特性的影响
机译:通过基于柠檬酸的选择性湿法刻蚀增强了栅极凹入和侧壁凹入的AlGaAs / InGaAs PHEMT的特性
机译:通过干法刻蚀单栅极凹槽制造的高效微波功率AlGaAs / InGaAs PHEMT
机译:采用介电辅助工艺的0.12μm双凹栅AlGaAs / InGaAs / GaAs拟态高电子迁移率晶体管的直流和微波特性比较研究
机译:通过对InGaAs / InAlAs PHEMT使用75 nm的栅极长度和不对称的栅极凹槽实现1.2 THz的最大振荡频率
机译:高功率拟晶AlGaAs / InGaAs高电子迁移率晶体管的材料,物理学,器件物理学和技术。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:栅极下沉对InGap / alGaas / InGaas增强模式pHEmT器件性能的影响