一种高压LED芯片的深刻蚀方法

摘要

本发明提供了一种高压LED芯片的深刻蚀方法，采用两次匀胶两次曝光两次显影等操作之后，以具有所述预设角度斜面的正性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的桥接处和所述切割道进行深刻蚀处理，以及以具有垂直面的负性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的非桥接处同时进行深刻蚀处理。实现了一次深刻蚀出不同角度和不同线宽的隔离沟槽，以及在不改变切割道宽度的情况下实现全刻开处理，且具有一定的倒角，从而有效增加了高压LED芯片的发光面积占比，增加芯片的出光效率以及COW无需设置特殊测试芯片。