刻蚀区图形化对LED芯片出光率的影响

摘要

随着外延技术的不断提高,内量子效率已经高达99％,但是由于蓝宝石衬底以及GaN外延层与空气之间的折射率差值较大,会造成87％左右的光线全反射回芯片内部,造成出光率的极低.目前,工艺上采用电流扩展,倒装芯片,DBR结构以及反光电极等方法提高了芯片的出光率,但是利用率还是很低.本文以厚胶AZ-4620做掩膜,通过ICP刻蚀对划片道表面进行图形处理.结果表明,在刻蚀壁呈现微球型时,刻蚀区图形化的芯片与未经过刻蚀区图形化的芯片相比,亮度均有1.5％左右的提高.