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第十四届全国LED产业发展与技术研讨会

召开年：2014
召开地：安徽马鞍山
出版时间： 2014-09-24

主办单位：中国光学光电子行业协会

会议文集：第十四届全国LED产业发展与技术研讨会论文集

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1.AlGaInP发光二极管性能提升
- 吴超瑜;王笃祥;蔡伟智;刘如玲;郭桓绍;陶青山;贾月华
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：本文介绍了三安光电公司研发和生产的AlGaInP-LED薄膜RS系列芯片产品产业化技术现状.通过工艺技术调适使现有RS-LED芯片亮度提升20％,在LED产业中具有更有利的竞争力,其中提升亮度技术包括了将目前全方位镜面优化,藉由通过采用双ODR体系以及较佳的金属反射率将亮度提升10％,改变台面侧壁外型增加出光,以及将其搭配侧壁粗化等关键工艺技术,整体亮度提升约为20％,实现了有限面积下亮度指标大幅提升的目标.
2.紫外LED芯片透明电极的研制
- Lian Dazhen;廉大桢;Wang Shenglian;王省莲;Yang Jianke;杨建科;Liu Dawei;刘大为
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：透明电极的制作是LED管芯制作过程的关键技术,而由于紫外LED在其不同波段范围对可见光和紫外辐射的透过和吸收作用不同,其透明电极的设计就显得更为复杂.本文主要通过对氧化铟锡(indium-tin oxide,1TO)透明电极厚度的选取与ITO薄膜吸收性原理、薄膜增透性原理及方阻计算原理之间关系的分析,试验方法的设计,试验结果的比对,分析了ITO薄膜厚度的变化对紫外LED光电性能的影响,阐述了ITO透光电极在波长370-420nm的浅紫外波段的应用,供从事紫外LED管芯制造的同仁借鉴参考.
3.透明基板AlGaInP发光二极管薄膜芯片
- 王笃祥;吴超瑜;刘如玲;蔡伟智;张丽明;陶青山;杨恕帆
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：本文介绍三安光电公司研发透明基板键合、双电极AlGaInP-LED TS红光系列芯片产品的技术现况.通过先进工艺技术的开发与关键点参数的控制,产业化生产四元水平版LED外延片和芯片,可具有良好的性能与高可靠性.其中TS-LED芯片产品关键工艺技术,包含高穿透性结构、透明基板键合、衬底转移、和表面粗糙化等制程步骤,TS芯片具备良好出光效率和电流扩展性能,亮度指标大幅提升,红光TS-LED芯片最高亮度达680mcd,Ag-To封装后器件光通量可达4.81m.本文探讨TS-LED芯片开发工艺之特点,针对关键工序、质量控制点以及关键参数卡控等,提出原理说明以及实践量产之步骤,并付诸实践.
4.黄绿光AlGaInP发光二极管亮度提升与可靠性改善
- 黄俊凯;王晶;吴俊毅;吴超瑜;谢建元
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：本文介绍了三安光电公司研发和生产的黄绿光发光二极管芯片产品产业化技术,采用多项先进工艺和质量控制技术,使得生产的四元混晶发光二极管外延片和芯片具有良好的性能,其中关键在于透过调整多量子阱结构的铝组份,以及提高多量子阱的成长温度,降低成长时的杂质浓度的技术,使得所生产的四元混晶发光二极管芯片展现出高亮度与高可靠性的特质,透过这些技术,封装后的四元混晶发光二极管亮度提升26％,针对生产工艺的特点,本文探讨产业化生产的关键工序、生产过程质量控制点以及质量控制关键参数等,提出了切实有效的生产过程质量控制方法并付诸实践.
5.测试位置对引线键合测量值的影响
- Yin Jian;尹键
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：在GJB-548A-96(方法2011A)标准中规定双键合点的测试"钩子大约在引线中央施加拉力",而所谓的中央存在较大的人为因素,且在LED行业中,拉力测试点为弧度最高点即弧高,本文针对钩子位置的影响进行讨论,分析表明:当放置的钩子位于弧高点的测量误差为36.5％.由于无法准确判定测量位置,其试验测量的误差为20％～50％之间.因此为保证其测试的准确性,提出分别对第一键合点抗拉强度及第二键合点抗拉强度进行测量,第一键合点与第二键合点拉力强度均需符合测试标准.
6.户外全彩LED显示屏光污染防治及技术解决方案探讨
- Tu Menglong;屠孟龙
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：本论文对LED户外显示屏的光污染问题进行了探讨,对LED显示屏的主要光污染,包括光入侵、眩光、显示屏亮度、夜空辉光等光污染,参照国际照明委员会(CIE)与上海市的限制标准,提出了LED显示屏的光污染的参考限制参数.针对显示屏的光污染,提出了器件级的解决方案.在有效可视范围内,光能量集中分布,有利于降低显示屏功耗,在无效可视范围内,尽量降低光能量分布,减少光污染.经过实测数据的对比,这个器件级的降低光污染解决方案,能有效降低无效可视亮度范围内10％～50％的光污染.
7.LED灯驱动电源设计
- 张兴
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：在发光二极管照明灯商品化的时候，从节约成本方面，有必要对其驱动电源作更深的考虑。本文采用PWM技术来实现电路的稳流，使发光二极管照明灯更稳定、可靠，同时制作更简单。
8.高密度级LED技术引领市场
- 邵嘉平
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：拥有高光学控制因素OCF的高密度级LED封装器件将使得实现体积更小、照明性能更高、照明品质更佳、系统成本更低、照明设计更灵活、照明产品更富有创新性的新一代LED照明解决方案成为可能。这将不仅仅为现有LED照明存量市场提供更好的解决万案，更会为今后LED照明新增市场带来更多想象空间和发展机遇。高密度级LED技术的不断提升，为LED照明市场提供可持续性的前进动力。
9.阳极氧化铝陶瓷膜铝基板及其在LED照明中的应用
- Wang Yongtao;王勇涛;Xu Wen;徐文;Zhang Shijuan;张诗娟;Wang Wenfeng;王文峰
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：采用阳极氧化可以在铝表面生成一层绝缘氧化铝陶瓷层,利用该陶瓷层替代铝基板中的胶膜,可以制备一种阳极氧化铝陶瓷膜铝基板.由于陶瓷膜较高的导热系数,采用该技术铝基板的"整体热阻"可降低至0.34K□cm2/W,从而能够匹配大功率LED灯珠的散热负荷.阳极氧化铝陶瓷膜的抗电强度可达120V/ m,绝缘电阻率大于106M ·cm,达到LED照明灯具的绝缘需要.LED结温与电压漂移研究显示:采用该铝基板比填料高导热铝基板的热阻降低4℃/W,与理论预期相符.综上,阳极氧化铝陶瓷膜铝基板在大功率LED灯珠的应用中具有明显优势.
10.发光二极管芯片光退化特性研究
- 蔡伟智;梁奋;时军朋;赵来文
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：本文分析了LED芯片光输出退化机理,分组抽取LED芯片进行光退化试验,通过实验验证了LED芯片光输出退化的小电流现象.利用此现象扩大了LED外延工艺设计和日常生产的试验监控范围,有效为LED外延材料生长工艺的优化和改善提供参考数据,达到预测和改善LED芯片光退化现象的目的.
11.刻蚀区图形化对LED芯片出光率的影响
- Sun Xiawei;孙夏微;Yu Yang;余洋;Wang Jiangbo;王江波;Liu Yuan;刘源
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：随着外延技术的不断提高,内量子效率已经高达99％,但是由于蓝宝石衬底以及GaN外延层与空气之间的折射率差值较大,会造成87％左右的光线全反射回芯片内部,造成出光率的极低.目前,工艺上采用电流扩展,倒装芯片,DBR结构以及反光电极等方法提高了芯片的出光率,但是利用率还是很低.本文以厚胶AZ-4620做掩膜,通过ICP刻蚀对划片道表面进行图形处理.结果表明,在刻蚀壁呈现微球型时,刻蚀区图形化的芯片与未经过刻蚀区图形化的芯片相比,亮度均有1.5％左右的提高.
12.LED路灯照明智能控制标准研究
- Shen Zhonghong;申中鸿;Yang Lin;杨林;Liu Qunxing;刘群兴;Jiang Chunxu;蒋春旭
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：本文针对LED路灯照明智能控制系统,研究了其标准制定中可能涉及的内容,包括系统组成模块,以及各模块所可能涉及的相关检验检测项目,指出了智能控制系统研究单位与标准制定单位的研究方向,具有一定参考价值.
13.显示屏SMD LED的失效机理探析和预防解决方案
- Meng Mu;孟牧;Liu Han;刘瀚
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：本文主要分析LED显示屏用SMD LED的几种失效机理,从SMD LED的湿应力、热应力、抗静电能力、显示屏电路隐患和显示屏制作工艺缺陷等方面进行详细的研究分析,并基于上述分析结果提出可行的预防解决方案.
14.基于MATLAB的LED主波长精确计算方法研究
- Zhang Chenzhao;张晨朝;Lin Qiquan;林奇全;Zhang Ruixia;张瑞霞;Liu Dongyue;刘东月;Huang Jie;黄杰
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：LED器件一般采用光谱仪对其光谱参数进行测试,利用公式计算出色品坐标,再利用色品坐标计算得到主波长.传统计算主波长的方法是通过先求斜率再查表得到结果,计算过程不够直观.本文提出一种新的可以精确计算LED主波长的方法,并利用MATLAB软件编程实现,整个计算思路和过程简单直观,可以很容易的被从业人员接受.验证结果证明本方法有较高的准确性,并且可以方便的切换参考光源,得到不同的计算结果.
15.红外遥控接收放大器解码特性——红外编码格式匹配性的研究
- Chen Wei;陈巍
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：红外遥控接收放大器由于价格低廉,在涉及到红外遥控的家电产品上都有广泛应用.由于性能上的差异,每款红外遥控接收放大器产品在应用上无法完美兼容所有红外编码格式,因此对于红外遥控接收放大器最主要的特性研究,是确认其所能匹配的红外编码格式.本文通过对红外编码格式的解析,在具体每款红外遥控接收放大器的测试分析上,只需要确定其能解码的红外遥控发射器发射的最小调制信号宽度和间隔,则可以迅速准确地确定红外遥控接收放大器能匹配哪种红外编码格式.并且在新红外编码格式匹配上,也可以做到迅速确定可以匹配的红外遥控接收放大器产品,避免出现匹配性问题.
16.可变光斑LED手术无影灯的总体光学设计
- Zhou Shikang;周士康;Han Hongmei;韩红梅;Xu Li;许礼;Chen Chungen;陈春根
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：用LED为光源的手术无影灯比用传统卤素灯的无影灯有无可比拟的优点,而光斑尺寸的大范围连续变化则是高档无影灯的一个重要指标.本文用来自各自LED模块的七个单光班来合成总的灯具照明光斑,其中外围的六个沿径向同步移动从而使得总光斑可变.通过构建单光斑及总光斑的照度分布的数学函数,可以方便地找出无影灯的照度分布在符合国标的范围内随单光斑形状、移动量等参数而变的规律.由计算的结果可以确定单光斑的照度分布参数、光斑移动量、总光斑的最大变化范围、照度均匀度等总体光学设计中的重要参数,并提供了LED透镜设计的要求.本文提供的独创性的计算方法可用于任何变化范围的无影灯设计.
17.城市道路照明路灯布局研究
- Shen Zhonghong;申中鸿;Yang Lin;杨林;Jiang Chunxu;蒋春旭
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：分析研究城市道路任一点的水平照度值,并结合相关数据处理方法,给出道路照度值的表达式;分析城市道路水平照度值最小点位置,并结合某城市部分道路照明实际照度数据,与现行城市道路照明标准CJJ-45互相印证.文章内容可为城市道路照明路灯布局提供参考意见,并可为城市道路照明标准CJJ-45的进一步修订提供一个研究方向.
18.LED的热管理分析与热学性能测量技术
- Wang Dajian;王大健;Li Sheng;李晟;Li Qian;李倩;Pan Jiangen;潘建根
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：LED的热特性不仅直接影响光色电性能,还会影响产品的可靠性和使用寿命,因此对LED产品进行有效的热管理以及热学性能测量非常重要.本文简要分析了LED热管理中需要重点考虑的关键影响因素,着重介绍了LED热性能测量和热阻结构分析的基本原理,并采用我国自主研发的热阻测量设备对实际样本进行对比试验分析,给出了热阻测量的实际分析案例.
19.国产化GaN基MOCVD设备关键技术
- Michael Zing;邢志刚;Yan Jianfeng;颜建锋
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：在半导体照明市场规模迅速成长的情况下,作为行业上游关键制造设备的MOCVD,国产化MOCVD设备在市场推广方面取得了阶段性的成果.作为代表的ProMaxyTM MOCVD具备多项含有核心竞争力的关键技术,本文对这些硬件关键技术和相应开发的外延关键工艺技术进行了讨论,本文同时还对通过ProMaxyTM MOCVD设备所生长的各项单层工艺和LED外延性能指标进行了测试和验证.
20.4英寸InGaN/GaN量子阱生长温度控制与监测
- Jason Hoo;胡建正;Lion Wang;汪洋;Guo Quanyong;郭泉泳;Chunlei Guo;郭春磊;Liu Yingbin;刘英斌;Steven Lee;李天笑
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：InGaN/GaNMQW发光波长对温度非常敏感.但是由于石墨载盘高速旋转、晶圆透明等原因,MOCVD外延过程中的温度控制和监测十分困难.本文综合红外温度测量原理、MQW样品的PL波长测量、MQW结构的XRD测量和模拟等手段,研究了测量温度与真实温度的对应关系.在满锅情况下,由于平片衬底与图形衬底对红外辐射的不同散射效果,造成真实温度一致的情况下,测量温度有10度左右的差别.而在少片情况下,蓝宝石衬底的保温效应比较明显,它造成了衬底间的温度干扰和控温不正确,在特定位置出现了较大的波长差别.为了让测量温度尽可能等同于真实温度,需要根据衬底种类、外延层结构等进行温度补偿.为了能稳定、重复的控制少片波长,应该采用每圈放1片衬底.
21.粗化生长速率对GaN外延层位错及LED性能的影响
- Huang Xiaohui;黄小辉;Zhou Debao;周德保;Chen Xiangdong;陈向东;Kang Jian;康建
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：本文论述了粗化生长速率对图形化衬底(patterned sapphire substrates (PSS)上GaN外延层位错产生的机理以及位错密度分布的影响.利用扫描电子显微镜(SEM),隧道电子显微镜(TEM)等测试手段对PSS上GaN外延层进行分析研究.研究发现,当粗化生长速率由2.2 μm/h降低至1.6 μm/h后,GaN外延层中的位错密度也随之下降,在此基础上分析各生长速率下的位错形貌、分布、密度以及由此推导的PSS上GaN位错产生机理,同时本文还论述了不同粗化速率下生长LED的光电性能,得出1.6μm/h粗化生长速率下不仅位错密度小且光电性能优异,是最适合PSS上生长GaN的粗化速率.
22.采用量子阱垒层生长条件的掺Si氮化镓的性能研究
- Zhang Liang;张良;Huang Zhanchao;黄占超;Li Xuefei;李雪飞;Ding Xingxie;丁兴燮;Xi Ming;奚明;Ma Yue;马悦
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：采用国产金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,用量子阱垒层生长条件生长硅掺杂GaN(nGaN)单层材料并研究了其表面形貌和电学性质.通过改变Si源的流量,得到了载流子浓度从-5×16到-3× 18cm-3的nGaN样品.与高温GaN比较,两者的载流子浓度和Si/Ⅲ都成线性关系,但是斜率不同.对低温样品进行了原子力显微镜表面形貌分析,二次离子质谱分析,常温及低温霍尔测量.实验结果表明,随着Si掺杂浓度的提高,样品表面的位错坑密度增加,样品的晶体质量下降.在-5×16cm-3的载流子浓度下,样品的常温霍尔迁移率达到1040cm2/Vs.分析结果表明,较低的位错密度是样品高迁移率的主要原因.
23.LED封装用YAG:Ce荧光粉散射特性研究
- Li Weiping;李伟平;Cai Lianzhang;蔡连章
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：本文利用Mie散射理论,通过数值计算的方法研究了LED封装用YAG:Ce荧光粉的光学散射常数,详细探讨了YAG:Ce荧光粉对蓝光和黄光散射常数与荧光粉粒径的关系;发现YAG:Ce荧光粉对白光LED中典型蓝光(λ=455nm)和黄光(λ=560nm)散射的吸收和前向散射随着荧光粉粒径的增大而加强,并伴随有一定的波动性,其中对黄光的吸收和散射波动振幅和周期较大.这些结论对深入研究YAG:Ce荧光粉重吸收、荧光粉光学仿真、LED封装器件外量子效率分析等具有一定的指导意义.
24.基于绿色设计思想的LED灯具产品全生命周期开发模型
- 韩立成;苏庆华
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：分析了LED灯具产品传统开发模式中存在的问题,提出了基于绿色设计思想的LED灯具产品全生命周期开发模型,列出了产品开发各阶段绿色设计内容.并由相关参考评估依据,提出了LED灯具产品绿色评估模型.结合该开发模型在企业的应用,积累了实际应用经验.
25.LED高压芯片的制备与性能研究
- Yang xiaodong;杨小东;Liang fubo;梁伏波;Kong liping;孔利平
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：在蓝宝石基板上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长GaN基多量子阱外延层,利用电感耦合等离子体刻蚀和金属桥接技术,在薄膜芯片工艺基础上结合了普通大功率芯片设计,制备了具有高取出光效率的LED高压芯片(HV LED).测试高压芯片和传统正装大功率芯片,在相同功率下,高压芯片光效高出传统芯片11.7％,其中LED HV40*40mi1芯片25mA正向电流下,工作电压39.5V,硅胶封装的蓝光LED灯的光输出功率530mw,标准YAG荧光粉封装白光灯的光通量为132.71m,取光效率达134.41m/w.
26.基于荧光粉涂覆玻璃基板COB LED的制作与表征
- Lin Cheng;林丞;Liu Baolin;刘宝林;Lin Zhenxiang;林祯祥;Li Xiaohong;李小红;Shen Yafeng;沈亚锋
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：近年来,多芯片COB(chip-on-board) LED已经成为半导体照明业内的一大趋势.COB所用基材主要分为两大类:陶瓷基板与金属基板.但这两类基板均不透明,光线在基板中较大损耗,不利于LED取光.此外,采用硅胶或环氧树脂混合荧光粉的点胶工艺是主流传统的LED封装工艺.而传统的LED其发出的光线在基板、芯片、灌封胶等中也会损失.因此,COB LED的相对于商品化TOP LED取光效率仍然较低.目的:提出一种新的封装结构,改善COB LED取光率低、空间发光角度小的问题.方法:采用透明的平面玻璃作为基板.荧光粉胶膜采用丝网印刷技术涂覆于玻璃基板表面,用于替代传统的点胶工艺.结果:采用两块荧光粉胶涂覆玻璃作为基材制作了双面发光的高取光率COB LED并表征了其性能参数.该暖白光3000K COB LED具有1501m/W高光效,发光角度大于250°,色容差小于5SCDM.结论:与传统COB LED结构相比,本文研究的结构可提高取光率约15％.以上结果具有一定价值并有潜力用于大功率LED封装应用.
27.一种新型3D COB封装结构设计
- Du Yuanbao;杜元宝;Zhang Riguang;张日光;Lin Sheng;林胜;Zhang Yaohua;张耀华
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：LED的内在特征如低碳、节能、环保决定了它是最理想的光源去替代传统光源,根据目前市场上LED模块COB的封装结构特点以及相关研究结果,本文提出了一种新型3D COB封装结构装设计.众所周知,COB光源凭借其独特的技术优势已经成为当今照明市场的主流,但其也存在许多问题如出光角度小,容易死灯,制成灯具后容易产生色差等问题.本文研究一种新型3D COB封装结构.该结构采用无金线的电器连接技术与远程荧光粉技术相结合方式制备出可3D均匀出光的COB光源器件.该器件可以真正意义上实现3D出光,代表着COB未来的发展方向,符合当今照明市场的需求.
28.TOP LED发展趋势之EMC封装
- Zhu Xiaoqing;朱小清
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：LED由支架、晶片、硅胶和荧光粉等组成,其中支架是LED的最主要的部件.传统的TOP LED器件支架采用的是PA6T、PA9T等热塑性(Thermoplastic)材料,这种材料耐温性较差,只适应于小电流小功率的产品.随着大家对LED器件性价比的进一步关注,单颗LED器件的功率及亮度越来越高,TOP LED逐步从小功率往中功率甚至大功率发展,EMC(环氧模塑料)材料开始取代热塑性材料用于TOP LED支架.EMC是一种热固性材料,具有高可靠性、高耐热性、低膨胀系数、低吸水性等优点,可以承受更大的电流和功率,很好的匹配了市场的发展趋势,同时EMC支架是采用模压成型的方式,更适合批量化生产,从而可以进一步降低产品成本.目前EMC还存在一些设备成本高等问题,但是随着LED市场及生产技术的不断发展,EMC封装将成为LED器件发展的重要方向.
29.具有ITO/Ti3O5薄膜结构的高亮度AIGaInP LED
- Bai Jifeng;白继锋;Yang Kai;杨凯;Li Juncheng;李俊承;Xu Jielin;许杰林;Ma Xiangzhu;马祥柱;Zhang Yong;张永;Wang Xiangwu;王向武
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：采用ITO/Ti305薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层,窗口层,电流阻挡层和增透膜层.通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度.通过ITO/Ti305增透膜设计提升LED的光提取效率.具有该ITO/Ti305薄膜结构的主波长621nm的高亮度A1GaInP LED芯片(150×150um2)较传统结构芯片发光强度提升40％,20mA注入电流下,电压均值在2.1V左右.
30.获“能源之星”认证的LED产品解读
- Wan Chuiming;万垂铭;Chen Haiying;陈海英
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：本文主要是对获得能源之星认证的LED光源、LED灯具产品特点进行解读分析.LED光源申请认证数前三位的型号为Par灯,A-系列灯泡,MR系列,获得认证的产品相对色温以2700-3000K为主,显色指数最低要求为80.LED灯具产品认证数以Downlight型最多,该类灯具市场需求量也最大.获得认证的产品品牌主要是国际大厂Technical Costumer Products、GE照明、飞利浦照明.LED灯具产品获认证厂家所在地区分布在美国、加拿大北美地区.能源之星认证是业界公认的产品品质认证,也是厂家提升产品品牌,推广产品应用的重要手段.
31.LED照明企业品牌塑造的途径
- Wang Yu;王玉
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：本文从不同角度提出了企业塑造品牌的战略意义,对LED照明行业的品牌特性做出了简要介绍,提出了LED照明行业尤其是中小企业建立品牌形象、实施品牌传播的具体策略和措施,介绍了部分代表性企业的成功做法,这对于处于新兴纷争状态的LED照明行业的品牌竞争胜出具有重要的参考价值,并且强调渠道是塑造品牌的的支撑点,提出了有利于塑造品牌的渠道模式如专卖店和商场超市等,介绍了专卖店建设和商超终端的有效措施,同时也指出了其中的难点所在,品牌渠道建设是一个渐进过程,建议品牌企业从自身实际出发、量力而行,切不可好大喜功、盲目跟风,尽可能争取最好的结果,推动品牌的的树立.
32.从实战案例看LED企业发展过程中的知识产权问题应对——日亚vs亿光的专利战争
- Luo Jiaxiu;罗佳秀;Fan Bing;范兵;Xie Xuejun;谢学军
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：LED产业巨头日本日亚化学工业株式会社与台湾封装龙头亿光电子工业股份有限公司之间的专利纠纷自1999年起已持续了十余年,诉讼地涉及美国、日本、欧洲、中国等全球主要LED市场.拥有多项基础专利和强大专利实力的日亚首先对亿光及其客户宣战,专利战初期双方多以和解告终.2011年,日亚在对亿光的专利诉讼中首尝败绩,此后,亿光开始在全球范围对日亚的专利展开无效行动.双方的专利纠纷在起诉对方侵权和反诉对方专利无效中循环往复,直至今日尚未落幕.本文通过研究分析日亚和亿光之间的专利纠纷、应对策略、双方专利实力对比等,得出将起诉侵权、无效专利、媒体宣传相结合、重视开放创新和按技术领域、目标地分层次布局专利等启示,为我国LED企业提供参考借鉴.
33.红外遥控接收放大器抗灯干扰能力的研究——外屏蔽对接收距离提升的幅度
- Lan Yuping;兰玉平;Chen Wei;陈巍
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：红外遥控接收放大器受到干扰时,接收红外信号的能力会减弱,通过增加外屏蔽能提升红外遥控接收放大器的抗干扰性能.为了更清晰的反映外屏蔽抗干扰的效果,本文选用不同的干扰源分别测试分析.在这些干扰下,测试无屏蔽时红外遥控接收放大器的接收距离和有外屏蔽时红外遥控接收放大器的接收距离,对比测试数据得出不同的干扰源下外屏蔽的抗干扰能力.白炽灯和日光灯在强光照下增加外屏蔽接收距离能提升3倍以上,节能灯若光源频率与红外遥控接收放大器载波频率相近的,外屏蔽能使接收距离提高2倍到3倍,若光源频率离红外遥控接收放大器载波频率较远的,外屏蔽能提高的幅度不大.
34.LED球泡灯装配生产线优化设计与仿真
- Zeng Ning;曾宁;Wang Guangyao;王广耀;Liu Jian;刘剑;Hu Xiaomei;胡小梅;Wei Chengjun;魏臣隽
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：为了保证灯泡生产线各个工位之间生产节拍的平衡,防止工位与工位之间出现工件累积现象的发生,对整条生产线装配节拍进行优化.采用仿真模拟技术,结合相应的计算方法,将一系列的参数数据导入到仿真系统中.经仿真模拟后,得到灯泡生产线的最优生产节拍.通过最优生产节拍来确定气缸、机器人和传送带的参数.
35.大功率LED热阻测量不确定度的一种评定方法
- Ru Zhiqin;茹志芹;Zhang Ruixia;张瑞霞;Peng Hao;彭浩;Liu Dongyue;刘东月;Huang Jie;黄杰
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》 | 2014年
摘要：介绍了电学法测量大功率LED热阻的测量不确定度的一种评定方法.首先对各个分量的不确定度进行分析,得出各分量的相对不确定度,再通过合成计算热阻的合成不确定度.对各个分量按照A类和B类不确定度分别进行了详细计算.对温度系数的计算过程中采用的最小二乘法线性拟合引入的不确定度进行了分析.该评定方法从各分量的相对不确定度可以较清楚地评估出各个分量对热阻值的影响程度,有助于测试人员采取有效措施减小误差,获得更加准确的测量结果.