退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110364420B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-26
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN201910639441.9
发明设计人 韩军;赵佳豪;邢艳辉;崔博垚;
申请日2019-07-16
分类号H01L21/02(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/455(20060101);C23C16/52(20060101);
代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人刘萍
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-08-23 12:40:20
机译: 具有InGaN / GaN超晶格的发光二极管的制造方法
机译: 具有富含ingan / gan超晶格的发光二极管及其制造方法
机译: 基于半导体GAN:P / INGAN / GAN:N的立方晶格太阳能电池,在氧化镁,MGO上呈立方相,在两个侧面上均可发光。
机译:具有插入的p-GaN / i-InGaN超晶格结构的GaN基发光二极管的特性
机译:具有AlGaN / GaN短超晶格插入结构的绿色InGaN / GaN多量子阱发光二极管的改进的热稳定性
机译:通过使用多个超晶格结构改善AlN / GaN超晶格质量
机译:双流金属有机气相外延生长的InGaN / GaN Fibonacci超晶格的表征
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:使用在空心n-GaN纳米线上形成的非极性同轴InGaN / GaN多量子阱结构产生氢
机译:在蚀刻的GaN纳米棒阵列上通过金属有机气相外延生长的GaN / InGaN / GaN核-壳结构的刻面恢复和发光
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质