掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
电子学、通信
>
International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP
International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP
召开年:
2003
召开地:
Nara(JP);Nara(JP)
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
中国信息界-e制造
中国集成电路
音响技术
电子信息对抗技术
中国有线电视
微电子技术
真空电子技术
通信学报
电子工业专用设备
通信对抗
更多>>
相关外文期刊
International journal of satellite communications policy and management
Electrical Engineers, Journal of the Institution of
The journal of China Universities of Posts and Telecommunications
Journal of the Audio Engineering Society
Response
Connector Specifier
Electrical Engineers, Proceedings of the Institution of
International Journal on Wireless and Optical Communications
New Electronics
Mobile Communications International
更多>>
相关中文会议
2010年第十二届全国消费电子技术年会暨数字电视研讨会
2001年电子测量新技术报告会
第七届全国雷达学术年会
上海市科协第七届学术年会—上海市激光学会2009年学术年会
上海市通信学会第十一届学术年会
四川省电子学会电子测量与仪器专委会第十四届学术年会
2008世界通信大会中国论坛网络和信息安全分论坛暨第三届中国电信行业信息安全论坛
全国第十三次光纤通信暨第十四届集成光学学术会议
第五届京、津、沪、渝有线电视技术研讨会暨第五届全国城市有线电视技术研讨会
2012广东通信青年论坛
更多>>
相关外文会议
2nd International Conference on Emission Electronics
Conference on High-Power Laser Ablation V pt.1; 20040425-20040430; Taos,NM; US
Symposium Proceedings vol.918; Symposium on Chalcogenide Alloys for Reconfigurable Electronics; 20060419-21; San Francisco,CA(US)
10th International Colloquium on Structural Information and Communication Complexity Jun 18-20, 2003 Umea, Sweden
IASTED(International Association of Science and Technology for Development) International Multi-Conference on Automation, Control, and Information Technology: Communication Systems; 20050620-24; Novosibirsk(RU)
MOEMS and miniaturized systems XVI
Conference on Neural Network and Distributed Processing Oct 22-23, 2001, Wuhan, China
Third International Conference on Cryptology in India, Dce 16-18, 2002, Hyderabad, India
Proceedings of the technical program, SMTA International 2009
2019 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
InN metalorganic vapour phase epitaxy and ellipsometric characterisation
机译:
InN金属有机气相外延和椭偏特征
作者:
M. Drago
;
T. Schmidtling
;
U. W. Pohl
;
S. Peters
;
W. Richter
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity);
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
2.
Lattice-matched boronphosphide (BP)/hexagonal GaN heterostructure for inhibition of dislocation penetration
机译:
晶格匹配的磷化硼(BP)/六方氮化镓异质结构,用于抑制位错渗透
作者:
T. Udagawa
;
M. Odawara
;
G. Shimaoka
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
nucleation and growth: microscopic aspects;
other semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
3.
Lattice-matched interface between GaN and ZrB_2
机译:
GaN和ZrB_2之间的晶格匹配界面
作者:
J.-I. Iwata
;
K. Siraishi
;
A. Oshiyama
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
solid surfaces and solid-solid interfaces: structure and energetics;
electron states at surfaces and interfaces;
surface double layers, schottky barriers, and work functions;
4.
Localization characteristics of photoluminescence decay dynamics in an In_xGa_(1-x)As_(1-y)N_y/GaAs single quantum well
机译:
In_xGa_(1-x)As_(1-y)N_y / GaAs单量子阱中光致发光衰减动力学的局域特性
作者:
M. Nakayama
;
K. Tokuoka
;
K. Nomura
;
T. Yamada
;
A. Moto
;
S. Takagishi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
quantum wells;
III-V semiconductors;
quantum wells;
5.
Spectroscopic ellipsometry study on the dielectric functions of GaPN alloys
机译:
椭圆偏振光谱法研究GaPN合金的介电作用
作者:
H. Kanaya
;
H. Yaguchi
;
Y. Hijikata
;
S. Yoshida
;
S. Miyoshi
;
K. Onabe
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
semiconductor compounds;
optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity);
III-V semiconductors;
6.
Local structure of rare-earth-doped diluted magnetic semiconductor GaGdN
机译:
稀土掺杂稀磁半导体GaGdN的局部结构
作者:
M. Hashimoto
;
S. Emura
;
R. Asano
;
H. Tanaka
;
N. Teraguchi
;
A. Suzuki
;
Y. Nanishi
;
T. Honma
;
N. Umesaki
;
H. Asahi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
magnetic semiconductors;
EXAFS spectroscopy;
7.
Localized biexcitons in Al_xGa_(1-x)N ternary alloy epitaxial layers
机译:
Al_xGa_(1-x)N三元合金外延层中的局部双激子
作者:
Y. Yamada
;
C. Sasaki
;
Y. Ueki
;
T. Taguchi
;
S. Tanaka
;
Y. Nakagawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
excitons and related phenomena;
III-V semiconductors;
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
III-V semiconductors;
8.
Solid C_(60) layer growth on AlN (0001) surface for C_(60) FET structure by MBE
机译:
MBE用于C_(60)FET结构的AlN(0001)表面上的固态C_(60)层生长
作者:
D. Yokoyama
;
H. Nojiri
;
A. Yamamoto
;
A. Hashimoto
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
low-energy electron diffraction (LEED) and reflection high-energy electron diffraction (RHEED);
fullerenes and fullerene-related materials;
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
molecular, atomic, ion, and chemical bea;
9.
Long-lived excitons up to 1 μs in GaN/AlN self-assembled quantum dots
机译:
GaN / AlN自组装量子点中的长寿命激子高达1μs
作者:
S. Kako
;
M. Miyamura
;
K. Hoshino
;
Y. Arakawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
quantum dots;
10.
Magnetic properties of rare-earth-doped GaN
机译:
稀土掺杂GaN的磁性
作者:
H. Bang
;
J. Sawahata
;
G. Piao
;
M. Tsunemi
;
H. Yanagihara
;
E. Kita
;
K. Akimoto
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
rare earth metals and alloys;
magnetic properties of thin films, surfaces, and interfaces;
III-V semiconductors;
11.
Magnetic freeze-out of electrons in InGaN/GaN multiple quantum wells
机译:
InGaN / GaN多量子阱中电子的磁冻结
作者:
B. Arnaudov
;
T. Paskova
;
O. Valassiades
;
S. Evtimova
;
P. P. Paskov
;
B. Monemar
;
M. Heuken
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
galvanomagnetic and other magnetotransport effects;
low-field transport and mobility;
piezoresistance;
III-V semiconductors;
12.
Magnetic properties of the rare-earth-doped semiconductor GaEuN
机译:
稀土掺杂半导体GaEuN的磁性能
作者:
H. Tanaka
;
M. Hashimoto
;
S. Emura
;
A. Yanase
;
R. Asano
;
Y.-K. Zhou
;
H. Bang
;
K. Akimoto
;
T. Honma
;
N. Umesaki
;
H. Asahi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
magnetic semiconductors;
EXAFS spectroscopy;
13.
Low-frequency noise characterizations on Ni/GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers
机译:
沉积在中温缓冲层上的Ni / GaN肖特基二极管上的低频噪声表征
作者:
W. K. Fong
;
B. H. Leung
;
C. Surya
;
L. W. Lu
;
W. K. Ge
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
surface double layers, schottky barriers, and work functions;
noise processes and phenomena;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
14.
Si(111) as alternative substrate for AlGaN/GaN HEMT
机译:
Si(111)作为AlGaN / GaN HEMT的替代衬底
作者:
Y. Dikme
;
M. Fieger
;
F. Jessen
;
A. Szymakowski
;
H. Kalisch
;
J. F. Woitok
;
P. van Gemmern
;
P. Javorka
;
M. Marso
;
N. Kaluza
;
R. H. Jansen
;
M. Heuken
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
interface structure and roughness;
nucleation and growth: microscopic aspects;
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
field effect devices;
15.
Low-energy electron-beam irradiation of GaN-based quantum well structures
机译:
GaN基量子阱结构的低能电子束辐照
作者:
U. Jahn
;
S. Dhar
;
H. Kostial
;
I. M. Watson
;
K. Fujiwara
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
quantum wells;
16.
Low-energy charge-transfer state and optical properties of Eu~(3+)-doped GaN
机译:
Eu〜(3+)掺杂GaN的低能电荷转移态和光学性质
作者:
Masanori Tanaka
;
Shinichi Morishima
;
Hyungjin Bang
;
Jeung Sun Ahn
;
Takashi Sekiguchi
;
Katsuhiro Akimoto
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
semiconductors;
III-V semiconductors;
17.
Simultaneous composition mapping and hyperspectral cathodoluminescence imaging of InGaN epilayers
机译:
InGaN外延层的同时成分映射和高光谱阴极发光成像
作者:
P. R. Edwards
;
R. W. Martin
;
K. P. ODonnell
;
I. M. Watson
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
18.
Role of oxygen in AlN sublimation growth
机译:
氧气在AlN升华生长中的作用
作者:
S. Yu. Karpov
;
A. V. Kulik
;
I. N. Przhevalskii
;
M. S. Ramm
;
Yu. N. Makarov
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
theory and models of crystal growth;
physics of crystal growth, crystal morphology and orientation;
growth from vapor;
solid-phase precipitation;
surface and interface chemistry;
heterogeneous catalysis at surfaces;
19.
Room-temperature operation of GaN-based blue-violet laser diodes fabricated on sapphire substrates using high-temperature-grown single-crystal AlN buffer layers
机译:
使用高温生长的单晶AlN缓冲层在蓝宝石衬底上制造的GaN基蓝紫色激光二极管的室温工作
作者:
Yasuo Ohba
;
Susumu Iida
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
20.
Reduction of leakage current of p-n junction by using air-bridged lateral epitaxial growth technique
机译:
通过空气桥接横向外延生长技术减少p-n结的泄漏电流
作者:
A. Yamada
;
Y. Kawaguchi
;
T. Yokogawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
conductivity phenomena in semiconductors and insulators;
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
21.
Fast growth of high quality GaN
机译:
高质量GaN的快速增长
作者:
D. Gogova
;
H. Larsson
;
R. Yakimova
;
Z. Zolnai
;
I. Ivanov
;
B. Monemar
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
22.
Reduction of oxygen contamination in AlN
机译:
减少AlN中的氧气污染
作者:
J. Salzman
;
S. Prawer
;
B. Meyler
;
Y. Golan
;
M. Shandalov
;
R. Sauer
;
N. Teofilov
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
thin film structure and morphology;
III-V semiconductors;
theory and models of crystal growth;
physics of crystal growth, crystal morphology and orientation;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
23.
Reduction of the bowing in MOVPE AlGaN/GaN HEMT structures by using an interlayer insertion method
机译:
使用层间插入方法减少MOVPE AlGaN / GaN HEMT结构中的弯曲
作者:
M. Sakai
;
T. Egawa
;
H. Ishikawa
;
T. Jimbo
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
multilayers;
semiconductor-device characterization, design, and modeling;
24.
Fabrication of native, single-crystal AlN substrates
机译:
天然单晶AlN衬底的制造
作者:
L. J. Schowalter
;
G. A. Slack
;
J. B. Whitlock
;
K. Morgan
;
S. B. Schujman
;
B. Raghothamachar
;
M. Dudley
;
K. R. Evans
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
methods of crystal growth;
physics of crystal growth;
25.
Refractive indices of B_xAl_(1-x)N (x = 0-0.012) and B_yGa_(1-y)N (y = 0-0.023) epitaxial layers in ultraviolet region
机译:
B_xAl_(1-x)N(x = 0-0.012)和B_yGa_(1-y)N(y = 0-0.023)外延层在紫外线区域的折射率
作者:
Shunsuke Watanabe
;
Takayohi Takano
;
Keisuke Jinen
;
Jun Yamamoto
;
Hideo Kawanishi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
26.
Recent progress of nitride-based light emitting devices
机译:
氮化物基发光器件的最新进展
作者:
T. Mukai
;
S. Nagahama
;
M. Sano
;
T. Yanamoto
;
D. Morita
;
T. Mitani
;
Y. Narukawa
;
S. Yamamoto
;
I. Niki
;
M. Yamada
;
S. Sonobe
;
S. Shioji
;
K. Deguchi
;
T. Naitou
;
H. Tamaki
;
Y. Murazaki
;
M. Kameshima
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
light-emitting devices;
27.
Recombination dynamics in low-dimensional nitride semiconductors
机译:
低维氮化物半导体中的重组动力学
作者:
Y. Kawakami
;
A. Kaneta
;
K. Omae
;
A. Shikanai
;
K. Okamoto
;
G. Marutsuki
;
Y. Narukawa
;
T. Mukai
;
Sg. Fujita
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
near-field scanning microscopy and spectroscopy;
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
28.
Recent progress of high power GaN-based violet laser diodes
机译:
高功率GaN基紫激光二极管的最新进展
作者:
O. H. Nam
;
K. H. Ha
;
J. S. Kwak
;
S. N. Lee
;
K. K. Choi
;
T. H. Chang
;
S. H. Chae
;
W. S. Lee
;
Y. J. Sung
;
H. S. Pack
;
J. H. Chae
;
T. Sakong
;
Y. Park
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
III-V semiconductors;
29.
Preferential In-N bond formation in InGaAsN layers
机译:
InGaAsN层中优先形成In-N键
作者:
M. Uchida
;
A. Masuda
;
A. Yamamoto
;
A. Hashimoto
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
30.
Glide along non-basal slip planes in InGaN epilayers
机译:
沿InGaN外延层中的非基本滑移面滑动
作者:
S. Srinivasan
;
L. Geng
;
F. A. Ponce
;
Y. Narukawa
;
S. Tanaka
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
deformation and plasticity (including yield, ductility, and superplasticity);
III-V semiconductors;
31.
GaN-based epitaxy on silicon: stress measurements
机译:
基于GaN的硅外延:应力测量
作者:
A. Krost
;
A. Dadgar
;
G. Strassburger
;
R. Clos
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
deformation and plasticity (including yield, ductility, and superplasticity);
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
32.
GaN-based Single Mirror Light Emitting Diodes with high external quantum efficiency
机译:
具有高外部量子效率的基于GaN的单镜面发光二极管
作者:
Christoph M. Zellweger
;
Julien Dorsaz
;
Jean-Francois Carlin
;
Hans-Joerg Buehlmann
;
Ross P. Stanley
;
and Marc Ilegems
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
optoelectronic device characterization, design, and modeling;
light-emitting devices;
33.
First-principle study on the structures and electronic properties of gallium nitride nanowires
机译:
氮化镓纳米线的结构和电子性质的第一性原理研究
作者:
Yoshihiko Kawakami
;
Nobuyuki Higashimaki
;
Kentaro Doi
;
Koichi Nakamura
;
Akitomo Tachibana
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
nanoscale materials: clusters, nanoparticles, nanotubes, and nanocrystals;
basis sets (LCAO, plane-wave, APW, etc.) and related methodology (scattering methods, ASA, linearized methods, etc.);
density functional theory, local density approximation, gradi;
34.
Photoreflectance studies of N- and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures confining a polarisation induced 2DEG
机译:
N面和Ga面AlGaN / GaN异质结构的光反射研究,限制了极化诱导的2DEG
作者:
A. T. Winzer
;
R. Goldhahn
;
C. Buchheim
;
O. Ambacher
;
A. Link
;
M. Stutzmann
;
Y. Smorchkova
;
U. K. Mishra
;
J. S. Speck
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
surface states, band structure, electron density of states;
piezoelectricity and electromechanical effects;
electrooptical effects;
35.
Photoluminescence of single InGaN quantum dots grown at low surface densities by MOVPE
机译:
MOVPE在低表面密度下生长的单个InGaN量子点的光致发光
作者:
M. P. Halsall
;
P. Harmer
;
P. J. Parbrook
;
T. Wang
;
J.-P. R. Wells
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
quantum dots;
III-V semiconductors;
quantum dots;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
36.
Electronic structure of InN observed by Shubnikov-de Haas measurements
机译:
Shubnikov-de Haas测量观察到InN的电子结构
作者:
T. Inushima
;
M. Higashiwaki
;
T. Matsui
;
T. Takenobu
;
M. Motokawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor compounds;
III-V semiconductors;
37.
Evolution of AlN buffer layers on silicon and effects on the properties of epitaxial GaN films
机译:
硅上的AlN缓冲层的演变及其对外延GaN膜性能的影响
作者:
K. Y. Zang
;
S. J. Chua
;
L. S. Wang
;
C. V. Thompson
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
atomic force microscopy (AFM);
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
nucleation and growth: microscopic aspects;
structure and morphology;
thickness;
crystalline orienta;
38.
Characterization of MOVPE grown AlN/GaN heterointerfaces by grazing incidence X-ray reflectivity Alloy formation at heterointerfaces
机译:
通过掠入射X射线反射率表征MOVPE生长的AlN / GaN异质界面
作者:
Masanobu Hiroki
;
Naoki Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray reflectometry (surfaces, interfaces, films);
interface structure and roughness;
III-V semiconductors;
methods of crystal growth;
physics of crystal growth;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
39.
Control of electron density in InN by Si doping and optical properties of Si-doped InN
机译:
通过Si掺杂控制InN中的电子密度和Si掺杂InN的光学性质
作者:
M. Higashiwaki
;
T. Inushima
;
T. Matsui
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
40.
Characteristics of amplified spontaneous emission of high indium content InGaN/GaN quantum wells with various silicon doping conditions
机译:
不同硅掺杂条件下高铟含量InGaN / GaN量子阱的放大自发发射特性
作者:
Yung-Chen Cheng
;
En-Chiang Lin
;
Shih-Wei Feng
;
Hsiang-Chen Wang
;
C. C. Yang
;
Kung-Jen Ma
;
Chang-Chi Pan
;
Jen-Inn Chyi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
quantum wells;
41.
Comparison of magnetic properties of GaMnN thin films grown by NH_3-MBE at different growth temperatures
机译:
NH_3-MBE在不同生长温度下生长的GaMnN薄膜的磁性能比较
作者:
P. P. Chen
;
H. Makino
;
J. J. Kim
;
T. Yao
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
magnetic properties of monolayers and thin films;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
42.
Comprehensive overview on elastic strain relaxation mechanisms in nitride heterostructures: Stranski-Krastanow versus Frank-Van der Merwe growth mode
机译:
氮化物异质结构中弹性应变松弛机制的全面概述:Stranski-Krastanow与Frank-Van der Merwe生长模式
作者:
B. Daudin
;
N. Gogneau
;
C. Adelmann
;
E. Sarigiannidou
;
E. Monroy
;
E. Bellet-Amalric
;
J. L. Rouviere
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
43.
Compositional analysis of AlInGaN quaternary layers grown by metalorganic vapour phase epitaxy
机译:
金属有机气相外延生长AlInGaN四元层的组成分析
作者:
D. Amabile
;
R. W. Martin
;
T. Wang
;
M. A. Whitehead
;
P. J. Parbrook
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
44.
Direct growth of cubic AlN and GaN on Si (001) with plasma-assisted MBE
机译:
等离子体辅助MBE在Si(001)上直接生长立方AlN和GaN
作者:
T. Ohachi
;
T. Kikuchi
;
Y. Ito
;
R. Takagi
;
M. Hogiri
;
K. Miyauchi
;
M. Wada
;
Y. Ohnishi
;
K. Fujita
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
nanocrystalline materials;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
45.
Direct observation of hillocks on pendeo-epitaxial GaN films and stabilization of GaN seed layers for hillock-free surface
机译:
直接观察外延GaN薄膜上的小丘以及无小丘表面的GaN籽晶层的稳定化
作者:
H. S. Cheong
;
C. S. Park
;
C.-H. Hong
;
H. K. Cho
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
atomic f;
46.
Determination of dislocation density in epitaxially grown GaN using an HCl etching process
机译:
使用HCl蚀刻工艺确定外延生长GaN中的位错密度
作者:
F. Habel
;
M. Seyboth
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
atomic force microscopy (AFM);
surface cleaning, etching, patterning;
47.
Development of a 2'-AlGaN/GaN HEMT technology on sapphire and SiC for mm-wave high-voltage power applications
机译:
在蓝宝石和SiC上开发用于毫米波高压功率应用的2“ -AlGaN / GaN HEMT技术
作者:
R. Kiefer
;
R. Quay
;
S. Mueller
;
T. Feltgen
;
B. Raynor
;
J. Schleife
;
K. Koehler
;
H. Massler
;
S. Ramberger
;
F. van Raay
;
A. Tessmann
;
M. Mikulla
;
G. Weimann
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor-device characterization, design, and modeling;
field effect devices;
48.
Angular dependence of the in-plane polarization anisotropy in the absorption coefficient of strained M-plane GaN films on γ-LiAlO_2
机译:
面内极化各向异性与γ-LiAlO_2上应变M面GaN膜的吸收系数的角度相关性
作者:
Pranob Misra
;
Y. J. Sun
;
O. Brandt
;
H. T. Grahn
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor compounds;
semiconductors;
III-V semiconductors;
49.
Annealing effects of ZnO films deposited on (0001) A1_2O_3 and (111) Si substrate by RF sputtering and GaN layer grown on ZnO films used as buffer layer by MOCVD
机译:
通过RF溅射在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜的退火效应以及通过MOCVD在用作缓冲层的ZnO膜上生长的GaN层的退火效应
作者:
S.-R. Jeon
;
M.-A. Yu
;
S. K. Shim
;
G. M. Yang
;
S. J. Son
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
other semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
50.
Anomalous pressure dependence of light emission in cubic InGaN
机译:
立方InGaN中发光的反常压力依赖性
作者:
S. P. Lepkowski
;
T. Suski
;
H. Teisseyre
;
T. Kitamura
;
Y. Ishida
;
H. Okumura
;
T. Onuma
;
T. Koida
;
S. F. Chichibu
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
high-pressure and shock wave effects in solids and liquids;
semiconductor compounds;
51.
Analysis of self-pulsation characteristics of InGaN laser diode
机译:
InGaN激光二极管的自脉冲特性分析
作者:
V. Z. Tronciu
;
Minoru Yamada
;
Tomoki Ohno
;
Shigetoshi Ito
;
Toshiyuki Kawakami
;
Mototaka Taneya
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
dynamical laser instabilities;
noisy laser behavior;
52.
Analysis of quantum efficiency of high brightness GaInN/GaN quantum wells
机译:
高亮度GaInN / GaN量子阱的量子效率分析
作者:
S. Lahmann
;
F. Hitzel
;
U. Rossow
;
A. Hangleiter
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
exciton-mediated interactions;
strain-induced piezoelectric fields;
III-V semiconductors;
quantum wells;
53.
Amorphous GaN: Zn films deposited by molecular beam deposition for blue electroluminescent devices
机译:
用于蓝色电致发光器件的分子束沉积沉积的非晶GaN:Zn膜
作者:
T. Honda
;
K. Shimanuki
;
M. Akiyama
;
Y. Amahori
;
H. Kimura
;
H. Kawanishi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
low-energy electron diffraction (LEED) and reflection high-energy electron diffraction (RHEED);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
54.
AlN substrates: fabrication via vapor phase growth and characterization
机译:
AlN衬底:通过气相生长和表征制造
作者:
Yu. Melnik
;
V. Soukhoveev
;
V. Ivantsov
;
V. Sizov
;
A. Pechnikov
;
K. Tsvetkov
;
O. Kovalenkov
;
V. Dmitriev
;
A. Nikolaev
;
N. Kuznetsov
;
E. Silveira
;
J. Freitas
;
Jr.
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
55.
Admittance characterization and analysis of trap states in AlGaN/GaN heterostructures
机译:
AlGaN / GaN异质结构中的导纳表征和陷阱态分析
作者:
R. M. Chu
;
Y. G. Zhou
;
K. J. Chen
;
K. M. Lau
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping;
surface states, band structure, electron density of states;
field effect devices;
56.
Advanced characterization studies of sapphire substrate misorientation effects on GaN-based LED device development
机译:
蓝宝石衬底取向错误对基于GaN的LED器件开发的高级表征研究
作者:
D. Lu
;
D. I. Florescu
;
D. S. Lee
;
V. Merai
;
A. Parekh
;
J. C. Ramer
;
S. P. Guo
;
E. Armour
会议名称:
《》
|
2003年
关键词:
atomic force microscopy (AFM);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
57.
Al_2O_3-based surface passivation and insulated gate structure for AlGaN/GaN HFETs
机译:
AlGaN / GaN HFET的基于Al_2O_3的表面钝化和绝缘栅结构
作者:
Tamotsu Hashizume
;
Shinya Ootomo
;
Hideki Hasegawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
metal-insulator-semiconductor structures (including semiconductor-to-insulator);
interfaces;
heterostructures;
nanostructures;
58.
336 nm ultraviolet LEDs grown with AlN interlayers for strain reduction
机译:
使用AlN中间层生长的336 nm紫外线LED用于降低应变
作者:
T. M. Katona
;
M. C. Schmidt
;
T. Margalith
;
C. Moe
;
H. Tamura
;
H. Sato
;
C. Funaoka
;
R. Underwood
;
S. Nakamura
;
J. S. Speck
;
S. P. DenBaars
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
electroluminescence;
light-emitting devices;
59.
A comparative study on In-doping effects for MOVPE GaN films on Si(111) and sapphire substrates
机译:
Si(111)和蓝宝石衬底上MOVPE GaN膜的In掺杂效应的比较研究
作者:
A. Yamamoto
;
T. Tanikawa
;
Bablu K. Ghosh
;
Y. Hamano
;
A. Hashimoto
;
Y. Ito
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
nucleation and growth: microscopic aspects;
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
III-V semiconductors;
60.
A novel fabrication method for a 64 x 64 matrix-addressable GaN-based micro-LED array
机译:
一种用于64 x 64矩阵可寻址GaN的微型LED阵列的新颖制造方法
作者:
C.-W. Jeon
;
H. W. Choi
;
M. D. Dawson
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
light-emitting devices;
61.
Defect and emission distributions in thick HVPE-GaN layers grown on PENDEO templates
机译:
在PENDEO模板上生长的厚HVPE-GaN层中的缺陷和发射分布
作者:
E. Valcheva
;
T. Paskova
;
B. Monemar
;
A. M. Roskowski
;
R. F. Davis
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
62.
Delta doped AlGaN and AlGaN/GaN HEMTs: Pathway to improved performance?
机译:
增量掺杂的AlGaN和AlGaN / GaN HEMT:改善性能的途径?
作者:
Jeffrey S. Flynn
;
Henry Xin
;
Joe A. Dion
;
Edward L. Hutchins
;
Helder Antunes
;
Lara Fieschi-Corso
;
Rae Van Egas
;
George R. Brandes
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
field effect devices;
single electron devices;
63.
Demonstration of high-efficient InGaN-based violet light-emitting diodes with an external-quantum efficiency of more than 40
机译:
演示具有超过40%的外部量子效率的高效InGaN基紫光发光二极管
作者:
Hiromitsu Kudo
;
Youichiro Ohuchi
;
Takahide Jyouichi
;
Takashi Tsunekawa
;
Hiroaki Okagawa
;
Kazuyuki Tadatomo
;
Yasuhide Sudo
;
Munehiro Kato
;
Tsunemasa Taguchi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
electroluminescence;
light-emitting devices;
64.
Bandgaps of Ga_(1-x)In_xN by all-electron GWA calculation
机译:
通过全电子GWA计算Ga_(1-x)In_xN的带隙
作者:
Manabu Usuda
;
Noriaki Hamada
;
Kenji Shiraishi
;
Atsushi Oshiyama
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor compounds;
optical properties of bulk materials and thin films;
65.
Bulk GaN crystals grown at high pressure as substrates for blue-laser technology
机译:
高压生长的大块GaN晶体用作蓝激光技术的衬底
作者:
R. Czernetzki
;
M. Leszczynski
;
I. Grzegory
;
P. Perlin
;
P. Prystawko
;
C. Skierbiszewski
;
M. Krysko
;
M. Sarzynski
;
P. Wisniewski
;
G. Nowak
;
A. Libura
;
S. Grzanka
;
T. Suski
;
L. Dmowski
;
E. Litwin-Staszewska
;
M. Bockowski
;
S. Porowski
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
III-V semiconductors;
methods of deposition of films and coatings;
film growth and epitaxy;
66.
Polarity dependent properties of GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on GaN bulk crystals
机译:
氢化物气相外延在GaN块状晶体上生长的GaN层的极性依赖性
作者:
F. Tuomisto
;
T. Suski
;
H. Teisseyre
;
M. Krysko
;
M. Leszczynski
;
B. Lucznik
;
I. Grzegory
;
S. Porowski
;
D. Wasik
;
A. Witowski
;
W. Gebicki
;
P. Hageman
;
K. Saarinen
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V and II-VI semiconductors;
II-VI semiconductors;
positron annihilation;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
67.
Melting point of wurtzite-type GaN crystal
机译:
纤锌矿型GaN晶体的熔点
作者:
K. Harafuji
;
T. Tsuchiya
;
K. Kawamura
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
solid-liquid transitions;
68.
Microwave-aided transport measurements on high-density two-dimensional electron systems confined at AlGaN/GaN heterointerfaces
机译:
限制在AlGaN / GaN异质界面上的高密度二维电子系统的微波辅助传输测量
作者:
D. R. Hang
;
C. F. Huang
;
Y. F. Chen
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
We present microwave-aided magnetotransport measurements on high-density two-dimensional electron gas (2DEG) systems confined at AlGaN/GaN heterointerfaces. We show that the modulated patterns of Shubnikov-de Haas (SdH) oscillations which are due to high;
69.
Microstructure and electronic properties of InGaN alloys
机译:
InGaN合金的微观结构和电子性能
作者:
F. A. Ponce
;
S. Srinivasan
;
A. Bell
;
L. Geng
;
R. Liu
;
M. Stevens
;
J. Cai
;
H. Omiya
;
H. Marui
;
S. Tanaka
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
composition and phase identification;
piezoelectricity and electromechanical effects;
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
70.
Magnetotransport measurement of effective mass, quantum scattering time, and alloy scattering potential of polarization-doped 3D electron slabs in graded-AlGaN
机译:
梯度AlGaN中极化掺杂3D电子平板的有效质量,量子散射时间和合金散射势的磁传输测量
作者:
Debdeep Jena
;
S. Heikman
;
J. S. Speck
;
U. K. Mishra
;
A. Link
;
O. Ambacher
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
galvanomagnetic and other magnetotransport effects (including thermomagnetic effects);
electronic transport in nanoscale materials and structures;
71.
Measurement of surface contact potential of AlGaN/GaN heterostructure and n-GaN by Kelvin probe force microscopy
机译:
用开尔文探针力显微镜测量AlGaN / GaN异质结构和n-GaN的表面接触电势
作者:
Tengfeng Xie
;
Shigeru Kishimoto
;
Takashi Mizutani
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
solid surfaces and solid-solid interfaces: structure and energetics;
microscopy of surfaces, interfaces, and thin films;
72.
MOVPE growth and characterization of high-N content InGaPN alloy lattice-matched to GaP
机译:
与GaP晶格匹配的高N含量InGaPN合金的MOVPE生长和表征
作者:
S. Sanorpim
;
F. Nakajima
;
R. Katayama
;
N. Nakadan
;
T. Kimura
;
K. Onabe
;
Y. Shiraki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
73.
MOVPE growth and n-type conductivity control of high-quality Si-doped Al_(0.5)Ga_(0.5)N using epitaxial AlN as an underlying layer
机译:
使用外延AlN作为底层的高质量Si掺杂Al_(0.5)Ga_(0.5)N的MOVPE生长和n型电导率控制
作者:
Yoshihiro Kida
;
Akira Iishiga
;
Tomohiko Shibata
;
Hiroyuki Naoi
;
Hideto Miyake
;
Kazumasa Hiramatsu
;
Mitsuhiro Tanaka
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
74.
Optical study of gallium and nitrogen polarity layers of GaN grown on sapphire
机译:
蓝宝石上生长的GaN的镓和氮极性层的光学研究
作者:
A. Cros
;
N. V. Joshi
;
T. Smith
;
A. Cantarero
;
G. Martinez-Criado
;
O. Ambacher
;
M. Stutzmann
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
indirect evidence of dislocations and other defects (resistivity, slip, creep, strains, internal friction, EPR, NMR, etc.);
III-V and II-VI semiconductors;
75.
Optical and magnetic properties of the DyN/GaN superlattice
机译:
DyN / GaN超晶格的光学和磁性
作者:
Y. K. Zhou
;
M. S. Kim
;
N. Teraguchi
;
A. Suzuki
;
Y. Nanishi
;
H. Asahi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
thin film structure and morphology;
other ferromagnetic metals and alloys;
other solid inorganic materials;
76.
Optical properties of GaN/AlN quantum boxes under high photo-excitation
机译:
GaN / AlN量子盒在高光激发下的光学性质
作者:
S. Kalliakos
;
T. Bretagnon
;
P. Lefebvre
;
S. Juillaguet
;
T. Taliercio
;
P. Valvin
;
B. Gil
;
N. Grandjean
;
A. Dussaigne
;
B. Damilano
;
J. Massies
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
quantum dots;
77.
Measurement of optical nonlinearities from intersubband transitions in GaN/AlGaN quantum wells at 1.5 μm
机译:
在1.5μm下测量GaN / AlGaN量子阱中子带间跃迁的光学非线性
作者:
Gang Chen
;
R. Rapaport
;
O. Mitrofanov
;
C. Gmachl
;
H. M. Ng
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
quantum wells;
78.
Atomic structure and energy of grain boundaries in GaN
机译:
GaN中的原子结构和晶界能
作者:
Jun Chen
;
Pierre Ruterana
;
Gerard Nouet
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
grain and twin boundaries;
total energy and cohesive energy calculations;
79.
Laser controlled thermocracking die separation technique for sapphire substrate based devices
机译:
蓝宝石衬底基器件的激光控制热裂模分离技术
作者:
V. Kondratenko
;
S. Tchernykh
;
P. Gindin
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
thermal properties of crystalline solids;
optical properties of bulk materials and thin films;
80.
X-ray characterization of high quality AlN epitaxial layers: effect of growth condition on layer structural properties
机译:
高质量AlN外延层的X射线表征:生长条件对层结构性能的影响
作者:
Q. S. Paduano
;
A. J. Drehman
;
D. W. Weyburne
;
J. Kozlowski
;
J. Serafinczuk
;
J. Jasinski
;
Z. Liliental-Weber
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
experimental determination of defects by diffraction and scattering;
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
81.
Triode-type basic display structure using Si-doped AlN field emitters
机译:
使用Si掺杂AlN场致发射器的三极管型基本显示结构
作者:
Yoshitaka Taniyasu
;
Makoto Kasu
;
Toshiki Makimoto
;
Naoki Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
semiconductor devices;
82.
Two-step temperature ramping technique in MOCVD GaN films with high electromechanical coupling coefficients
机译:
具有高机电耦合系数的MOCVD GaN薄膜中的两步升温技术
作者:
Jae-Hoon Lee
;
Ki-Yeol Park
;
Sung-Bum Bae
;
Doo-Hyeb Youn
;
Kyu-Seok Lee
;
Chang-Min Jeon
;
Ho-Won Jang
;
Jong-Lam Lee
;
Hyung-Koun Cho
;
Myoung-Bok Lee
;
Sung-Ho Hahm
;
Young-Hyun Lee
;
Jung-Hee Lee
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
acoustoelectric effects and surface acoustic waves (SAW) in piezoelectrics;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
83.
Effect of well profile on optical and structural properties in InGaN/GaN quantum wells and light emitting diodes
机译:
阱轮廓对InGaN / GaN量子阱和发光二极管中光学和结构性质的影响
作者:
H. W. Shim
;
E.-K. Suh
;
C.-H. Hong
;
Y.-W. Kim
;
H. J. Lee
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
III-V semiconductors;
electroluminescence;
quantum wells;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
84.
Effects of heavy nitrogen doping in Ⅲ-Ⅴ semiconductors - How well does the conventional wisdom hold for the dilute nitrogen “Ⅲ-Ⅴ-N alloys'?
机译:
Ⅲ-Ⅴ族半导体中重氮掺杂的影响-稀有氮对“Ⅲ-Ⅴ-N合金”的传统看法如何?
作者:
Yong Zhang
;
B. Fluegel
;
M. C. Hanna
;
J. F. Geisz
;
L.-W. Wang
;
A. Mascarenhas
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
intrinsic properties of excitons;
optical absorption spectra;
impurity and defect levels;
photoluminescence, properties and materials;
85.
Effect of Al content on the microstructure in GaN grown on Si by MOVPE
机译:
Al含量对MOVPE在Si上生长的GaN中微结构的影响
作者:
X. Chen
;
M. Ishiko
;
Y. Kuroiwa
;
N. Sawaki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
86.
Effect of growth interruption on In-rich InGaN/GaN single quantum well structures
机译:
生长中断对富InGaN / GaN单量子阱结构的影响
作者:
Soon-Yong Kwon
;
Hyun Jin Kim
;
Hyunseok Na
;
Hui-Chan Seo
;
Hee Jin Kim
;
Yoori Shin
;
Young-Woon Kim
;
SukhoYoon
;
Hye Jeong Oh
;
Cheolsoo Sone
;
Yongjo Park
;
Yuanping Sun
;
Yong-Hoon Cho
;
Euijoon Yoon
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
atomic force microscopy (AFM);
quantum wells;
quantum wells;
87.
Efficient two-photon absorption of bulk GaN in the near-infrared region
机译:
高效GaN在近红外区的双光子吸收
作者:
Y. Toda
;
T. Matsubara
;
R. Morita
;
K. Hoshino
;
T. Someya
;
Y. Arakawa
会议名称:
《》
|
2003年
关键词:
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
88.
Electric properties of RF-MBE InGaAsN grown layer
机译:
RF-MBE InGaAsN生长层的电性能
作者:
T. Suzuki
;
T. Yamaguchi
;
A. Yamamoto
;
A. Hashimoto
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
theory of electronic transport;
scattering mechanisms;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
89.
Characterization of GaN based Schottky UV detectors in the vacuum UV (VUV) and the soft X-ray (SX) region (10-100 nm)
机译:
在真空UV(VUV)和软X射线(SX)区域(10-100 nm)中表征基于GaN的肖特基UV检测器
作者:
Atsushi Motogaito
;
Hironobu Watanabe
;
Kazumasa Hiramatsu
;
Kazutoshi Fukui
;
Yutaka Hamamura
;
Kazuyuki Tadatomo
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
90.
Characterization of InGaN/GaN Fibonacci superlattices grown by two-flow metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
双流金属有机气相外延生长的InGaN / GaN Fibonacci超晶格的表征
作者:
K. Kusakabe
;
K. Ohkawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
91.
Comparison of the material properties of gainN structures grown with ammonia and dimethyl-hydrazine as nitrogen precursors
机译:
以氨和二甲基肼为氮前驱体生长的gainN结构的材料性能比较
作者:
V. Perez-Solorzano
;
B. Santic
;
A. Groening
;
M. Jetter
;
M. Seip
;
H. Schweizer
;
F. Scholz
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
92.
Coupling of optical modes in GaN-based laser-diodes
机译:
GaN基激光二极管中的光学模式耦合
作者:
S. Einfeldt
;
S. Figge
;
T. Boettcher
;
D. Hommel
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
III-V semiconductors;
optoelectronic device characterization, design, and modeling;
light-emitting devices;
93.
TEM analysis of threading dislocations in crack-free Al_xGa_(1-x)N grown on an AlN(0001) template
机译:
在AlN(0001)模板上生长的无裂纹Al_xGa_(1-x)N中的螺纹位错的TEM分析
作者:
N. Kuwano
;
T. Tsuruda
;
Y. Kida
;
H. Miyake
;
K. Hiramatsu
;
T. Shibata
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
94.
TEM characterization of InN films grown by RF-MBE
机译:
RF-MBE生长的InN薄膜的TEM表征
作者:
T. Araki
;
S. Ueta
;
K. Mizuo
;
T. Yamaguchi
;
Y. Saito
;
Y. Nanishi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation;
95.
The role of the growth temperature for the SiN interlayer deposition in GaN
机译:
生长温度对GaN中SiN层间沉积的作用
作者:
Tim Boettcher
;
Jens Dennemarck
;
Roland Kroeger
;
Stephan Figge
;
Detlef Hommel
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
96.
The surface treatment of sapphire substrate and its effects on the initial stage of GaN growth by MOVPE
机译:
蓝宝石衬底的表面处理及其对MOVPE对GaN生长初期的影响
作者:
M. Tsuda
;
K. Watanabe
;
S. Kamiyama
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
interfaces;
heterostructures;
nanostructures;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
97.
Variation of structural and optical properties across an AlGaN/GaN HEMT structure directly imaged by cathodoluminescence microscopy
机译:
阴极发光显微镜直接成像的整个AlGaN / GaN HEMT结构的结构和光学性质的变化
作者:
F. Bertram
;
J. Christen
;
S. Heikman
;
S. Keller
;
S. P. DenBaars
;
U. K. Mishra
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V and II-VI semiconductors;
growth from vapor;
field effect devices;
98.
Thermoelectric properties of Al_(1-x)In_xN and InO_sN_t prepared by reactive radio frequency sputtering
机译:
反应射频溅射制备Al_(1-x)In_xN和InO_sN_t的热电性能
作者:
S. Yamaguchi
;
R. Izaki
;
K. Yamagiwa
;
K. Taki
;
Y. Iwamura
;
A. Yamamoto
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
doping and impurity implantation in III-V and II-VI semiconductors;
thermoelectric and thermomagnetic effects;
III-V semiconductors;
99.
Visible red light emission from Eu-doped GaN quantum dots grown by plasma-assisted MBE
机译:
等离子体辅助MBE生长的Eu掺杂GaN量子点发出的可见红光
作者:
Y. Hori
;
F. Enjalbert
;
D. Jalabert
;
E. Monroy
;
Le Si Dang
;
X. Biquard
;
M. Tanaka
;
O. Oda
;
B. Daudin
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
quantum dots;
quantum dots;
quantum dots;
100.
Visible emissions near 2.2 eV from InN films grown on Si (111) and sapphire (0001) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy
机译:
电子回旋共振等离子体辅助分子束外延法在Si(111)和蓝宝石(0001)衬底上生长的InN薄膜发出的可见发射光接近2.2 eV
作者:
T. Yodo
;
H. Yona
;
Y. Harada
;
A. Sasaki
;
M. Yoshimoto
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
意见反馈
回到顶部
回到首页