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N极性和非极性GaN衬底上的氮化物外延生长方法及特性研究

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3.3.2 N 极性面GaN 样品HRXRD 的摇摆曲线及位错密度

5.2 展望

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作者
王学炜;
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作者单位

西安电子科技大学;

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授予单位西安电子科技大学;
学科软件工程
授予学位硕士
导师姓名许晟瑞,韩红波;
年度 2020
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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O64TQ6;
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