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公开/公告号CN108416179B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN201810465594.1
发明设计人 吕伟锋;
申请日2018-05-16
分类号G06F30/367(20200101);
代理机构33246 浙江千克知识产权代理有限公司;
代理人周希良
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
入库时间 2022-08-23 12:26:52
机译: 一种具有场效应晶体管的半导体器件的制造方法,该场效应晶体管具有稍微掺杂的源极层和漏极层
机译: 一种通过在接触区域的区域中施加反应性有机半导体层来降低有机场效应晶体管中的接触电阻的方法-选择性地掺杂中间层
机译: 用于场效应晶体管的硅掺杂层的制造方法,包括在凹槽中形成半导体层以在晶体管沟道区中产生拉伸应变,以及在该层上形成顶涂层以及在涂层上形成硅掺杂层
机译:了解未掺杂的基于HfO_2的负电容场效应晶体管中的负差分电阻和工作区域
机译:了解未掺杂的HFO_2的负电容场效应晶体管中的负差分电阻和操作区域
机译:双材料栅极方法抑制16 nm金属氧化物半导体场效应晶体管器件中的随机掺杂引起的特性波动
机译:硅中的一种新型三端负差分电导装置:热电子声音发射场效应晶体管
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动分析
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:InAs量子点的基于GaAs的调制掺杂场效应晶体管中N形负差分电阻的观察
机译:Gaas调制掺杂场效应晶体管(mODFETs)中的高能中子辐照效应:阈值电压