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机译:双材料栅极方法抑制16 nm金属氧化物半导体场效应晶体管器件中的随机掺杂引起的特性波动
Institute of Communications Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan,Department of Electrical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Institute of Communications Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Institute of Communications Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Institute of Communications Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Department of Electrical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
机译:抑制16 NM金属氧化物-半金属半导体场效应晶体管器件中随机掺杂引起的特征波动的双门方法的新结构
机译:器件和电路级抑制技术,用于在16 nm栅SRAM单元中随机掺杂引起的静态噪声容限波动
机译:16nm门高k /金属栅极互补金属氧化物半导体器件和反相器电路中的随机接口陷阱引起的电特性波动
机译:使用双材料栅极抑制16 nm MOSFET器件中随机掺杂引起的特性波动
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动分析
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
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机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。