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化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法

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化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH

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公开/公告号CN100451162C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-01-14

原文格式PDF
申请/专利权人南京大学;
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申请/专利号CN200510095459.5
发明设计人韩平;王荣华;夏冬梅;刘成祥;谢自力;赵红;修向前;朱顺明;顾书林;施毅;张荣;郑有炓;
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申请日2005-11-17
分类号
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司;
代理人汤志武
地址 210093 江苏省南京市汉口路22号
入库时间 2022-08-23 09:01:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-01-16

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/06 授权公告日:20090114 终止日期:20111117 申请日:20051117

专利权的终止
2009-01-14

授权

授权
2006-09-06

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-07-12

公开

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1. 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法 [P] . 中国专利： CN100451162C . 2009.01.14
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