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中国电子学会;
机译:锗在多孔硅上的生长:缓冲液孔隙度对外延层晶体质量的影响
机译:高折射率硅衬底上生长的应变硅锗层和弛豫硅锗层的形貌
机译:应变硅层厚度对薄缓冲层应变硅/硅锗异质结构中位错分布和硅锗弛豫的影响
机译:硅锗和硅锗碳外延层的电子和材料表征。
机译:通过共面和非共面X射线衍射表征在(011)和(111)取向硅上生长的锗层中的位错
机译:光谱椭偏仪表征高锗含量的硅锗异质结构和梯度合金层
机译:红外光谱区中薄锗层和硅层的高分辨率电子和能量损失分析。 Hochaufgeloeste Elektronen- Enegieverlustanalyse von Duennen Germanium- und silicium-schichten im Infrarotem spektralbereich
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:集成双极互补金属氧化物半导体电路制造包括形成外延层,该外延层包括具有比上硅锗子层高的锗浓度的下硅锗子层
机译:双极晶体管包括用于高频操作的硅层,第一类型的硅外延层,硅锗外延层和第二类型的硅外延层
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