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王亚东; 黄靖云; 叶志镇; 章国强; 亓震; 赵炳辉;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
超高真空化学气相沉积; 应变; 锗硅碳三元合金; 外延生长;
机译:Si_(1-x)C_x合金外延UHV-CVD生长过程中弛豫行为的研究
机译:从应变硅锗亚层的异质结构中逐层三维生长外延锗膜的转变研究
机译:300 mm UHV / CVD冷壁反应器中基于硅烷和乙硅烷的外延(100)硅的低温生长
机译:使用硅烷和锗烷在Si(100)上进行Si_1-xGe_x合金的UHV-CVD异质外延生长
机译:通过分子束外延生长的碳化硅/硅(001)和碳化锗/锗(001)合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
机译:GaAs上的低温等离子体增强了CVD的硅外延生长:III-V / Si集成的新范例
机译:错误:“通过分子束外延”“苹果酱硅基底碳合金的生长。物理。吧。 67,1865(1995)
机译:硅上的硅锗碳异质外延生长
机译:Si 1-XY Sub> GE X Sub> C Y Sub>和Si 1-Y Sub> C 的外延和多晶生长通过UHV-CVD在Si上形成Y Sub>合金层
机译:Si 1-xy Sub> Ge x Sub> C y Sub>和Si 1-y Sub> C 的外延和多晶生长UHV-CVD在Si上形成y Sub>合金层
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