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第六届全国固体薄膜学术会议

召开年：1998
召开地：成都
出版时间： 1998-09

主办单位：中国电子学会

会议文集：第六届全国固体薄膜学术会议论文集

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1.GaN／GaAs异质结构中大密度面缺陷的分析
- 韩培德;杨海峰;杨辉
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：运用高分辨透射电子显微镜分析GaN／GaAs异质微观结构。观察到立方相外延层GaN中存在看大量的、不对称的面缺陷（层错和微孪晶）。并对其生成的原因进行了讨论
- GaN/GaAs异质结构;
- 大密度面缺陷;
2.用霍尔测量的方法对UHV-CVD生长的GeSi／Si材料迁移率的测量与分析
- 王丽;陈培毅
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文对UHV-CVD方法生长的GeSi／Si异质结材料的迁移率与生长条件的关系做了研究。文章首先介绍了GeSi外延的生长，然后对测量结果做了分析。测试表明，研究人员所生长的GeSi／Si外延测量在迁移率及晶格质量方面已达到一定要求；选择适当的生长温度，控制外延生长厚度在临界厚度内，可望获得较高的迁移率。
3.超簿RCA氧化硅膜的特性研究
- 罗葵;金雪林
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文着重描述了用RCA化学清洗方法是如何制备出优化的超薄氧化硅膜的。同时，针对它在多晶硅发射极器件中的应用，通过时该膜在不同制备条件下的测量及退人前后的比较，进一步对该薄膜的一些应用特性进行了研究。
4.MM-HEMT材料的分子束外延生长研究
- 吴文;曾一平
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：研究人员用分子束外延方法在GaAs（001）衬底上生长了以In<,0.53>Ga<,O.47>As为沟道的HEMT材料。对应于P-HEMT（Pseudomorphic HEMT），这种HEMT被称为Metamorphic HEMU简称MM-HEMT。为了克服衬底和器件结构层之间高达3．8℅的晶格失配，在衬底上生长了厚度约为1微米的In<,x>Ga<,1-x>As变组分缓冲层，x从0变到O.53。实验发现衬底温度对缓冲层的质量有着至关重要的影响。
5.CVD中应用的高稳定度恒温装置
- 李瑞云;王俊
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- 恒温装置;
- 化学气相沉积;
6.低温Si-GSMBE中Si 2H 6的热裂解过程
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
7.Si衬底上SiC的生长
- 王引书;李晋闽
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- Si衬底;
- SiC;
8.精确控制优质P-HEMT／Inp材料结构参数的研究
- 张金福;梁基本
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- P-HEMT/InP材料;
- 结构参数;
9.非晶金刚石簿膜光电性质及场致电子发射特性的研究
- 佘峻聪;陈军
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
10.钝化玻璃膜的形成与表征
- 戴国瑞;孙颖
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：半导体的表面状况对器件的稳定性、可靠性及产品的成品率影响很大，一直是人们所关注的重要课题之一。六十年代初Mautin等人提出了玻璃钝化硅器件后，世界各国对钝化玻璃粉都进行了深入的研究，很快就应用到高压大功率晶体管、闸流管以及各种高压组合件上。随着彩色电视机和各种显示装置的发展，高压大功率晶体管的玻璃钝化技术子八十年代趋于成熟和完善，近期有关该课题的研究，主要集中在OH-对玻璃钝化MOS结构的C-V特性研究，改变玻璃粉组成控制OH-离子的影响等。尽管国内很多单位的学者在这个领域中也做了大量的工作，但仍未从根本上解决玻璃钝化的实际问题。“八五”期间中国经国务院批准引进十八个彩电国产化的项目，其中之一是“彩电用高反压晶体管生产线”，目前，生产的产品能满足电视机的要求，但关键性材料玻璃粉等仍需从国外进口，生产的主动性受外国控制，而且需要支付大量的外汇。研究人员课题组承担了省科委钝化玻璃粉研究的课题，试图研制出与进口玻璃粉性能相似的产品，实现从材料到器件完全国产化，推动中国电子产业的发展。该文报导了玻璃粉通过电泳技术得到均匀的涂粉层，经过适当的烧工艺制得了钝化玻璃膜，讨论了电泳原理动力学过程和各种因素对粉涂层厚度的影响。借助差热分析（DTA）、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等手段，对钝化玻璃膜晶化温度、微晶组成及表面形貌进行了表征。
11.全碳分子衍生物的结构稳定性
- 黄春晖
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文报道用B3-LYP密度泛函（DFT）方法从头计算C<,12>Zr<,8>和C<,28>@Zr两种分子结构，通过分析体系的结合能、电荷转移、成键特征，认为这两种结构都具有较高的稳定性。在C<,12>Zr<,8>中，(C-Zr)极性键和σ（C-C）键对分子结构稳定性起决定性作用。而在C<,28>＠Zr中，Zr起配位体作用，它促进C<,28>基团的碳-碳成键，使成数目增加消除了碳原子悬键，有利于结构的稳定性。
12.3C-SiC薄膜的红外特性研究★
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
13.GaAs表面硫化学钝化的光调制反射谱研究
- 廖友贵;潘士宏;梁基本
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：硫化是迄今为止最好的钝GaAs表面的方法。该文利用一系列硫化学试剂对表面一本征层一重掺杂层（s-i-n<'+>）结构的样品进行钝化，利用光调制反射谱观察到了大量的Franz－Keldysh振荡，并测量出了本征层的电场强度，从而研究了GaAs表面硫钝化前后费米能级的变化，并且比较了各种钝化方法的钝化效果。
14.多晶硅薄膜应力特性研究
- 张国炳;郝一龙
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验结果。ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速退火（ＲＴＡ）可以使其压应力松弛，并可使其转变成为本征张应力。
15.硫化锌薄膜的微结构研究*
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
16.硅基GaN外延层透射电镜高分辨像分析*
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
17.用等离子体氦离子注入实现Smart Cut
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
18.热丝法制备硅薄膜化学反应动力学*
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
19.硅基GaN外延层的调光电子能谱及二次离子质谱的研究*
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
20.P-si（111）上溅射生长ZnO薄膜的结构特性*
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
21.UHV／CVD系统外延生长锗硅碳三元合金*
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
22.改进电沉积法制备三氧化钨电色薄膜*
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
23.AuGeNi／TiN／Au与n-GaAs欧姆接触性能研究
- 李江
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文介绍了采用TiN做阻挡层的AuGeNi／TiN／Au金属化结构与n-GaAs之间的欧姆接触特性，该方法采用电子束蒸发AuGeNi多层金属，然后采用反应溅射TiN薄膜，最后溅射Au的方式形成多层金属化系统。
- 欧姆接触;
24.ECRPlasmaCVD法淀积介质膜技术
- 谭满清
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECRPlasmaCVD）法淀积介质膜技术是实现性能优良的光电子器件光学膜和电学膜的重要技术手段之一，该文阐述了该技术的原理和优点，介绍了所淀积的介质膜的优良特性等等。
- 介质膜;
25.ECRPCVDSiN薄膜应力特性研究
- 恩云飞
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文介绍了电子回旋并振等离子于体CVD半导体薄膜制备工艺，并对这种工艺下得到的SiN介质膜应力进行了研究。
- 电子回旋共振等离子体CVD;
26.常压CVD技术及其应用
- 刘淑琴
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- 掩蔽膜;
27.HR膜在双稳激光器中的应用
- 张权生
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- HR膜;
28.氧化物高温超导薄膜
- 熊光成
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- 氧化物;
29.UHV／CVD法生长SiGe／Si异质结研究
- 余金中
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：UHV／CVD（超高真空化学气相沉积）是近年来发展起来的一项生长技术。
- SiGe/Si异质结;
30.利用背面氩离子轰击提高SiO<,2>-Si界面硬度
- 曾勇彪
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：利用低能（55OeV）氩离子束轰击多晶硅栅金属-氧化物-半导体（MOS）电容器背面，能改善SiO<,2>-Si的界面特性。
- 背面氩离子轰击;
31.用等离子体氦离子注入实现SmartCut
- 邹子英
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- 等离子体;
32.刻蚀法制备的量子点阵及它们的荧光性质
- 王杏华
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- 刻蚀法;
33.3C-SiC薄膜的红外特性研究
- 刘达清
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文结合生长条件，首次较系统、深入地研究了以Si（lll）为衬底，采用化学汽相沉积技术所长3C-SiC薄膜的室温傅里叶变换红外透射谱与材料结晶形态、结晶化程度和组份的内在关系，结果表明汽相Si／C比例和生长温度是影响薄膜质量，导致其透射谱特征吸收峰变化的主要因素。
- 化学汽相沉积;
34.电沉积氧化镍钴电致变色薄膜材料其双层膜的研究
- 于振瑞
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：利用电沉积方法制备了氧化镍及氧化钴电致变色材料并对它们的结构及电色特性进行了研究。
- 电沉积;
35.异质结薄膜CeO<,2>／Si高温热退火界面扩散——反应机理研究
- 吴正龙
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- 异质结薄膜;
36.基于新型靶材的磁控溅射法制备铋铝替代镝铁石榴石磁光存储薄膜
- 马向阳
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- 靶材;
37.BDNLangmuir-Blodgett膜气体敏感机理
- 杨得全
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- 气体敏感机理;
38.ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术
- 谭满清;茅冬生
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR Plasma CVD）法淀积介质膜技术是实现性能优良的光电子器件光学膜和电学膜的重要技术手段之一，该文阐述了该技术的原理和优点，介绍了所淀积的介质膜的优良特性等等。
39.热丝法制备硅薄膜化学反应动力学
- 郭晓旭;朱美芳
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
40.C70薄膜／Si界面电子态
- 陈开茅;周锡煌;张亚雄
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- C70薄膜;
- Si界面电子态;
41.常压CVD技术及真应用
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
42.纳米硅薄膜与纳米技术进展
- 林鸿溢;李映雪
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
- 纳米硅薄膜;
- 纳米技术;
43.PSG膜中含磷量对晶体管放大倍数的影响
- 叶绿;范伟宏
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文研究了以低压化学气相淀积方法生长PSG表面钝化膜中磷的含量对磺向PNP管放大倍数的影响。给出了工艺的实验数据，得到一个为适用于集成电路中横向PNP管钝化膜的最佳工艺数据，在这种工艺条件下，得到PSG膜中含磷量为4Wt℅。
44.高可靠性薄膜微带基片金属化工艺
- 冯春健
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：采用多层结构，实现高可靠性薄膜微带基片金属化，引入化学镀镍层作为中间焊接阻挡层，提高微波基片工作可靠性；表面金属采用Sn-Bi合金镀层，可焊性优异。与传统的Ni-Cr+Au金属化系统相比，可靠性、耐焊性得到极大提高，用于微波固态电子部件薄膜微带基片金属化。
45.电沉积氧化钨电色薄膜的结构及其红外反射率的研究
- 于振瑞;贾小东
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：利用脉冲电沉积的方法首次制备了氧化钨电致变色薄膜材料。利用后续退火处理使之结晶。测量了样品的反射率。研究了反射率与样品制备件之间的关系。通过优化制备条件，获得了明显的近红外反射率调制幅度。
46.铕离子注入氧化硅膜可见光发射的研究
- 王亮;郑怀德
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
47.UHV／CVD生长Si 1-xGe x／Si合金锗偏聚的研究*
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
48.电沉积氧化镍钻电致变色薄膜材料其双层膜的研究*
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
49.半绝缘InP掩埋1．55um激光器
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年
50.基于硅化物和化学镀的自对准金属化工艺
- 周进;盛柏林
- 《第六届全国固体薄膜学术会议》 | 1998年