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公开/公告号CN110322907B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-11
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市得一微电子有限责任公司;
申请/专利号CN201910469101.6
发明设计人 薛春;李乔;石亮;李晓明;吴大畏;
申请日2019-05-31
分类号G11C5/14(20060101);G11C16/08(20060101);G11C16/26(20060101);
代理机构
代理人
地址 518057 广东省深圳市南山区粤海街道科技园南十二路18号长虹科技大厦6楼09-2、10-11单元
入库时间 2022-08-23 11:11:52
机译: 擦除存储器单元后,将闪存单元中的阈值电压收敛到闪存存储器中,并且闪存门阵列具有按相同方法控制电源的方法,即门电压和漏极电压用于聚合存储单元的阈值电压
机译: 使用低温工艺制造3d堆叠单元结构的闪存器件的方法和3d堆叠单元结构的闪存器件
机译: 具有用于监视串选择晶体管的阈值电压的SSL状态检查建筑物的3D堆叠NAND闪存阵列及其监视和操作方法
机译:机器学习方法预测3D NAND闪存中读取干扰的阈值电压分布
机译:基于3D NAND闪存可靠性的高效阈值电压分布试验方法
机译:3D NAND闪存中阈值电压分布温度依赖性的研究
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机译:3D NAND闪存记忆中的随机电报噪声
机译:3D-FlashMap:3D NAND闪存的物理位置感知块映射策略
机译:评估3D NaND闪存的辐射敏感性。