法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-05
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C5/14 申请日:20190531
实质审查的生效
2019-10-11
公开
公开
机译: 擦除存储器单元后,将闪存单元中的阈值电压收敛到闪存存储器中,并且闪存门阵列具有按相同方法控制电源的方法,即门电压和漏极电压用于聚合存储单元的阈值电压
机译: 使用低温工艺制造3d堆叠单元结构的闪存器件的方法和3d堆叠单元结构的闪存器件
机译: 具有用于监视串选择晶体管的阈值电压的SSL状态检查建筑物的3D堆叠NAND闪存阵列及其监视和操作方法