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公开/公告号CN108010962B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN201711227122.4
发明设计人 金冬月;王利凡;张万荣;陈蕊;郭燕玲;郭斌;陈虎;
申请日2017-11-29
分类号
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人刘萍
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-08-23 11:02:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-19
授权
2018-06-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/737 申请日:20171129
实质审查的生效
2018-05-08
公开
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机译: SOI高击穿电压半导体器件
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