机译:具有多区域掺杂和多步氧化的SOI上的新型高击穿电压横向双极晶体管
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur-208 016, India;
机译:SOI上的新型高击穿电压横向肖特基集电极双极晶体管:设计与分析
机译:在埋入氧化物层顶部界面上具有横向可变掺杂分布的新型SOI LDMOS的击穿电压的提高
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机译:SOI上的一种新型多态掺杂和多氮氧化物高击穿电压横向双极晶体管
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动分析
机译:AlN /蓝宝石模板上的薄沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的高横向击穿电压
机译:具有横向掺杂层的掩埋变形的新的低关断损耗SOI横向绝缘栅双极晶体管
机译:Gaas异质结双极晶体管,具有106 V击穿电压