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High-Performance AlGaN Double Channel HEMTs with Improved Drain Current Density and High Breakdown Voltage

机译：具有改善的漏极电流密度和高击穿电压的高性能AlGaN双通道HEMT

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Cross-sectional view (not to scale) of AlGaN double channel, AlGaN single channel, and GaN double channel heterostructures (HEMTs)

机译：AlGaN双通道，AlGaN单通道和GaN双通道异质结构（HEMT）的横截面图（未按比例绘制）

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期刊名称 Nanoscale Research Letters
作者
Yachao Zhang; Yifan Li; Jia Wang; Yiming Shen; Lin Du; Yao Li; Zhizhe Wang; Shengrui Xu; Jincheng Zhang; Yue Hao;
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作者单位

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年(卷),期 2020(15),-1
年度 2020
页码 -1
总页数 7
原文格式 PDF
正文语种
中图分类生化遗传学;生化药理学;
关键词
Nitride; High electron mobility transistor; Double channel; AlGaN channel; Breakdown;

机译：氮化物;高电子迁移率晶体管;双沟道;AlGaN沟道;击穿;

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