University of Toronto (Canada);
机译:用于超低导通电阻和高击穿电压的扩展沟槽栅极超结横向功率MOSFET
机译:用于超低导通电阻和高击穿电压的扩展沟槽栅极超结横向功率MOSFET
机译:新型沟槽栅极功率MOSFET具有高击穿电压并在漂移区中使用SiGe区域降低了导通电阻
机译:具有以下特性的高密度,低导通电阻,沟槽横向功率MOSFET沟槽底部源极接触
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:反复雪崩的引线键合低压分立功率沟槽n-MOSFET的可靠性
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发